- RFQ
- Proseperar
- Contáctenos
Tel: +86-0755-83501315
Correo electrónico:sales@sic-components.com
- Chino
- Inglés
- Francés
- Alemán
- portugués
- Español
- ruso
- japonés
- coreano
- árabe
- irlandés
- Griego
- turco
- italiano
- danés
- rumano
- indonesio
- checo
- africaans
- sueco
- Polaco
- vasco
- catalán
- esperanto
- hindi
- Lao
- albanés
- Amárico
- armenio
- Azerbaiyano
- Bielorruso
- bengalí
- bosnio
- búlgaro
- Cebuano
- Chichewa
- corso
- croata
- Holandés
- Estonio
- Filipino
- finlandés
- frisio
- gallego
- georgiano
- Gujarati
- haitiano
- Hausa
- hawaiano
- hebreo
- Hmong
- húngaro
- islandés
- Igbo
- javanés
- Kannada
- Kazáceo
- Jemer
- kurdo
- Kirguistán
- latín
- letón
- lituano
- Luxembou ..
- macedónio
- madagascarí
- malayo
- Malayalam
- maltés
- maorí
- Marathi
- mongol
- birmano
- Nepalí
- noruego
- Pashto
- persa
- punjabi
- serbio
- Sesotho
- Sinhala
- eslovaco
- esloveno
- somalí
- Samoo
- Escocés gaélico
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- swahili
- Tayiko
- Tamil
- Telugu
- tailandés
- ucranio
- Urdu
- Uzbek
- vietnamita
- galés
- Xhosa
- yídish
- Yoruba
- zulú
- Kinyarwanda
- Tártaro
- Oriya
- Turco
- Uigur
Transistores (1315)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Figura de Ruido (db typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jan2n7236 | - |  | 2262 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | Militar, MIL-PRF-19500/595 | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-254-3, TO-254AA (CLIENTES POTENCADES RECTOS) | Mosfet (Óxido de metal) | Un 254AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal P | 100 V | 18a (TC) | 10V | 220mohm @ 18a, 10v | 4V @ 250 µA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | - | 4W (TA), 125W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
| 2N3811 | - | | 4600 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-78-6 METAL CAN | 2N380 | 350MW | Un 78-6 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 60V | 50mera | 10 µA (ICBO) | 2 PNP (dual) | 250mv @ 100 µA, 1 mA | 300 @ 1 mapa, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||
| Jan2N6800U | - | | 6695 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | Militar, MIL-PRF-19500/557 | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 18-clcc | Mosfet (Óxido de metal) | 18-ULCC (9.14x7.49) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 400 V | 3A (TC) | 10V | 1.1ohm @ 3a, 10v | 4V @ 250 µA | 34.75 NC @ 10 V | ± 20V | - | 800MW (TA), 25W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
| Apt4012bvr | - | | 2441 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | Power Mos V® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 247ad | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 400 V | 37a (TC) | 10V | 120mohm @ 18.5a, 10v | 4V @ 1MA | 290 NC @ 10 V | ± 30V | 5400 pf @ 25 V | - | 370W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
| MDS150 | - | | 6724 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Una granela | Obsoleto | 200 ° C (TJ) | Monte del Chasis | 55aw | 350W | 55aw | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 10dB | 60V | 4A | NPN | 20 @ 500mA, 5V | 1.03GHz ~ 1.09GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||
| MS2608H | - | | 5562 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | * | Una granela | Obsoleto | - | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MS2562 | - | | 2848 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Una granela | Obsoleto | - | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 60099h | - | | 9927 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Una granela | Obsoleto | - | No Aplicable | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 61110 | - | | 5925 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Una granela | Obsoleto | - | No Aplicable | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jantx2n3811l | - | | 6178 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | Militar, MIL-PRF-19500/336 | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-78-6 METAL CAN | 2N3811 | 350MW | Un 78-6 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 60V | 50mera | 10 µA (ICBO) | 2 PNP (dual) | 250mv @ 100 µA, 1 mA | 300 @ 1 mapa, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||
| MRF555GT | - | | 9515 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Una granela | Obsoleto | - | 3W | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 12.5dB | 16 V | 500mA | NPN | 50 @ 100 maja, 5v | 470MHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Aptm20um09sg | - | | 9799 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Una granela | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo J3 | Mosfet (Óxido de metal) | Módulo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 200 V | 195a (TC) | 10V | 9mohm @ 74.5a, 10v | 5V @ 4MA | 217 NC @ 10 V | ± 30V | 12300 pf @ 25 V | - | 780W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
| Jantxv2n7228u | - | | 6190 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | Militar, MIL-PRF-19500/592 | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Un 267ab | Mosfet (Óxido de metal) | Un 267ab | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 500 V | 12a (TC) | 10V | 515mohm @ 12a, 10v | 4V @ 250 µA | 120 NC @ 10 V | ± 20V | - | 4W (TA), 150W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
| Jan2n6898 | - | | 6708 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-204AA, TO-3 | Mosfet (Óxido de metal) | A 3 | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 5 | Canal P | 100 V | 25A (TC) | 10V | 200mohm @ 15.8a, 10V | 4V @ 250 µA | ± 20V | 3000 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | Apt34f60bg | - | | 9484 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | Power MOS 8 ™ | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-247-3 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 600 V | 34a (TC) | 10V | 210mohm @ 17a, 10v | 5V @ 1MA | 165 nc @ 10 V | ± 30V | 6640 pf @ 25 V | - | 624W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
| Aptm20dhm08g | - | | 8885 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Sp6 | Aptm20 | Mosfet (Óxido de metal) | 781W | Sp6 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 Asimétrico del canal (dual) | 200V | 208A | 10mohm @ 104a, 10v | 5V @ 5MA | 280nc @ 10V | 14400pf @ 25V | - | ||||||||||||||||||||||||||
 | Apt58m50jcu3 | - | | 6986 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | Power MOS 8 ™ | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-227 | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 500 V | 58a (TC) | 10V | 65mohm @ 42a, 10v | 5V @ 2.5MA | 340 NC @ 10 V | ± 30V | 10800 pf @ 25 V | - | 543W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
| MS1001A | - | | 5444 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Una granela | Obsoleto | - | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTM100U13SG | - | | 6195 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Una granela | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo J3 | Mosfet (Óxido de metal) | Módulo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 1000 V | 65a (TC) | 10V | 145mohm @ 32.5a, 10V | 4V @ 10mA | 2000 NC @ 10 V | ± 30V | 31600 pf @ 25 V | - | 1250W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
| Aptgt100da120d1g | - | | 3012 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | D1 | 520 W | Estándar | D1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Soltero | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 150 A | 2.1V @ 15V, 100A | 3 MA | No | 7 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||
 | Apt130sm70b | - | | 1120 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Sicfet (CARBURO DE SILICIO) | TO-247-3 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 700 V | 110A (TC) | 20V | 45mohm @ 60a, 20V | 2.4V @ 1MA | 220 NC @ 20 V | +25V, -10V | 3950 pf @ 700 V | - | 556W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
| MS2502A | - | | 9925 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Una granela | Obsoleto | - | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTGL60DSK120T3G | - | | 8130 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Sp3 | 280 W | Estándar | Sp3 | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | PÍCARO DE DOBLE DOLAR | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 80 A | 2.25V @ 15V, 50A | 250 µA | Si | 2.77 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||
| Mds140l | - | | 6833 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Una granela | Obsoleto | 200 ° C (TJ) | Monte del Chasis | 55aw | 500W | 55aw | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 9.5db | 70V | 12A | NPN | 20 @ 1a, 5v | 1.03GHz ~ 1.09GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||
| MS1030 | - | | 4963 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Una granela | Obsoleto | - | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jantxv2n3251aub | - | | 7093 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | Militar, MIL-PRF-19500/323 | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 2N3251 | 360 MW | UB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 V | 200 MA | 10 µA (ICBO) | PNP | 500mV @ 5 mm, 50 Ma | 100 @ 10mA, 1V | - | |||||||||||||||||||||||||||
| MS2092H | - | | 3698 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Una granela | Obsoleto | - | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MS1004 | - | | 7883 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Una granela | Obsoleto | 200 ° C (TJ) | Monte del Chasis | M177 | 330W | M177 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 14.5dB | 55V | 40A | NPN | 15 @ 10a, 6V | 30MHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1214-370m | - | | 8618 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Una granela | Obsoleto | 200 ° C (TJ) | Monte del Chasis | 55º | 600W | 55º | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 8.7db ~ 9db | 75V | 25A | NPN | 10 @ 5a, 5v | 1.2GHz ~ 1.4GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Apt15gn120kg | - | | 6344 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | Power MOS 7® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Apt15gn120 | Estándar | 195 W | Un 220 [k] | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 800V, 15A, 4.3OHM, 15V | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 45 A | 45 A | 2.1V @ 15V, 15a | 410 µJ (Encendido), 950 µJ (apaguado) | 90 NC | 10ns/150ns |
2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m2
Almacén en stock
Lista de deseos (0 elementos)