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Transistores (1315)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Figura de Ruido (db typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2A5 | - |  | 5393 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Una granela | Obsoleto | 200 ° C (TJ) | Montaje | 55et | 5.3w | 55et | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 7db ~ 9db | 22V | 3mera | NPN | 20 @ 100 mapa, 5V | 3.4GHz ~ 3.7GHz | - | ||||||||||||||||||
 | Jantx2n5012s | - | | 3506 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | Militar, MIL-PRF-19500/727 | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 1 W | TO-39 (TO-205Ad) | - | Rohs no conforme | No Aplicable | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 700 V | 200 MA | 10NA (ICBO) | NPN | 30 @ 25 MMA, 10V | - | |||||||||||||||||||
| Aptc60dskm70t3g | - | | 2689 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Sp3 | APTC60 | Mosfet (Óxido de metal) | 250W | Sp3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 Canal N (Dual) | 600V | 39A | 70mohm @ 39a, 10v | 3.9V @ 2.7MA | 259NC @ 10V | 7000PF @ 25V | - | |||||||||||||||
| APTM100DA18CT1G | - | | 2360 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | Power MOS 8 ™ | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | SP1 | Mosfet (Óxido de metal) | SP1 | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 1000 V | 40A (TC) | 10V | 216mohm @ 33a, 10v | 5V @ 2.5MA | 570 NC @ 10 V | ± 30V | 14800 pf @ 25 V | - | 657W (TC) | |||||||||||||||
| SD1224 | - | | 6742 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Una granela | Obsoleto | 200 ° C (TJ) | Monte del Chasis | M135 | SD122 | 60W | M135 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 7.6db | 35V | 5A | NPN | 20 @ 500mA, 5V | 175MHz | - | |||||||||||||||||
 | Jans2n2857ub-lc | - | | 5385 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | Militar, MIL-PRF-19500/343 | Banda | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 2N2857 | 200MW | UB | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 21db | 15V | 40mera | NPN | 30 @ 3mA, 1V | - | 4.5dB @ 450MHz | |||||||||||||||||
| MS2472 | - | | 4268 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Una granela | Obsoleto | 200 ° C (TJ) | Monte del Chasis | M112 | 1350W | M112 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 5.6db | 65V | 40A | NPN | 5 @ 250 Ma, 5V | 1.025GHz ~ 1.15 GHz | - | ||||||||||||||||||
| 2n2221aua | 14.7763 | | 7150 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD | 2N2221 | 650 MW | 4-SMD | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 V | 800 Ma | 50NA | NPN | 1V @ 50 Ma, 500 Ma | 40 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||
| Jan2n1016d | - | | 2325 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | Militar, MIL-PRF-19500/102 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 2N1016 | 150 W | To-82 | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 200 V | 7.5 A | 1mera | NPN | 2.5V @ 1a, 5a | 6 @ 7.5a, 4V | - | ||||||||||||||||||
| MRF5812MR2 | - | | 8822 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 62090 | - | | 7623 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Una granela | Obsoleto | - | No Aplicable | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF581A | - | | 3282 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Cerámica Micro-X (84C) | MRF581 | 1.25W | Cerámica Micro-X (84C) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | 13dB ~ 15.5dB | 15V | 200 MMA | NPN | 90 @ 50 mm, 5V | 5GHz | 3DB ~ 3.5dB @ 500MHz | ||||||||||||||||
| 2N7224U | - | | 6882 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Un 267ab | Mosfet (Óxido de metal) | Un 267ab | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 100 V | 34a (TC) | 10V | 81mohm @ 34a, 10v | 4V @ 250 µA | 125 NC @ 10 V | ± 20V | - | 4W (TA), 150W (TC) | ||||||||||||||
| MS1051 | - | | 8784 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Una granela | Obsoleto | 200 ° C (TJ) | Monte del Chasis | M174 | 290W | M174 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | 11dB ~ 13db | 18V | 20A | NPN | 10 @ 5mA, 5V | 30MHz | - | ||||||||||||||||||
| Jantxv2n4957ub | - | | 4318 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Una granela | Descontinuado en sic | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 200MW | UB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 25db | 30V | 30mera | PNP | 30 @ 5 MMA, 10V | - | 3.5dB @ 450MHz | |||||||||||||||||
| 2224-6L | - | | 9447 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Una granela | Obsoleto | 200 ° C (TJ) | Monte del Chasis | 55lv | 22W | 55lv | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 7db | 40V | 1.25a | NPN | 20 @ 1a, 5v | 2.2GHz ~ 2.4GHz | - | ||||||||||||||||||
| 2N5179 | - | | 1535 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Una granela | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | TO-206AF, TO-72-4 METAL CAN | 300MW | TO-72 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 20dB | 12V | 50mera | NPN | 25 @ 3mA, 1V | 200MHz | 4.5dB @ 200MHz | ||||||||||||||||||
 | Jantxv2n5012 | - | | 7344 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | Militar, MIL-PRF-19500/727 | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN | 1 W | A-5 | - | Rohs no conforme | No Aplicable | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 700 V | 200 MA | 10NA (ICBO) | NPN | 30 @ 25 MMA, 10V | - | |||||||||||||||||||
| 2225-4L | - | | 5353 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Una granela | Obsoleto | 200 ° C (TJ) | Monte del Chasis | 55lv | 10W | 55lv | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 8.5db | 40V | 600mA | NPN | 20 @ 200Ma, 5V | 2.2GHz ~ 2.5GHz | - | ||||||||||||||||||
| MS2201 | - | | 1574 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Una granela | Obsoleto | 200 ° C (TJ) | Monte del Chasis | M220 | 10W | M220 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 9db | 45V | 250 Ma | NPN | 0.95 @ 10mA, 5V | 1.025GHz ~ 1.15 GHz | - | ||||||||||||||||||
 | Aptm08tdum04pg | - | | 5382 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Sp6 | Aptm08 | Mosfet (Óxido de metal) | 138W | SP6-P | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 6 Canal N (Puente 3 Formas) | 75V | 120a | 4.5mohm @ 60a, 10V | 4V @ 1MA | 153nc @ 10V | 4530pf @ 25V | - | |||||||||||||||
| MRF555G | - | | 4751 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Una granela | Obsoleto | - | 3W | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 12.5dB | 16 V | 500mA | NPN | 50 @ 100 maja, 5v | 470MHz | - | ||||||||||||||||||||||
 | Jansr2n2221aub | 135.1908 | | 8147 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | Militar, MIL-PRF-19500/255 | Banda | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 2N2221 | 500 MW | UB | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 V | 800 Ma | 50NA | NPN | 1V @ 50 Ma, 500 Ma | 40 @ 150mA, 10V | - | |||||||||||||||||
| Jantxv2n5012s | - | | 6078 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | Militar, MIL-PRF-19500/727 | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 1 W | TO-39 (TO-205Ad) | - | Rohs no conforme | No Aplicable | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 700 V | 200 MA | 10NA (ICBO) | NPN | 30 @ 25 MMA, 10V | - | |||||||||||||||||||
| SD8268-21H | - | | 4953 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Una granela | Obsoleto | - | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 68201A | - | | 4964 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Una granela | Obsoleto | - | No Aplicable | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Sta8142 | - | | 2263 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | * | Una granela | Obsoleto | - | Rohs no conforme | No Aplicable | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2N6756 | - | | 9957 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-204AA, TO-3 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-204AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 100 V | 14a (TC) | 10V | 210mohm @ 14a, 10v | 4V @ 250 µA | 35 NC @ 10 V | ± 20V | - | 4W (TA), 75W (TC) | ||||||||||||||
 | Apt18m80s | - | | 1610 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | Power MOS 8 ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Apt18m80 | Mosfet (Óxido de metal) | D3pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 800 V | 19a (TC) | 10V | 530mohm @ 9a, 10v | 5V @ 1MA | 120 NC @ 10 V | ± 30V | 3760 pf @ 25 V | - | 500W (TC) | ||||||||||||
| MDS1100 | - | | 1004 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Una granela | Obsoleto | 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 55tu-1 | 8750W | 55tu-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 8.9db | 65V | 100A | NPN | 20 @ 5a, 5v | 1.03GHz | - |
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