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Transistores (181)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Aplicacionales | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Calificación real (amplificador) | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Tipo de transistor |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | ALD210808APCL | 8.3302 |  | 7246 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Epad®, Umbral Cero ™ | Tubo | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 16 DIP (0.300 ", 7.62 mm) | ALD210808 | Mosfet (Óxido de metal) | 500MW | 16 PDIP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 Canales n, par emparejado | 10.6v | 80mera | - | 20mv @ 10 µA | - | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | ALD114804SCL | 5.7644 | | 1045 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | Tubo | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | ALD114804 | Mosfet (Óxido de metal) | 500MW | 16-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1014-1056 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 Canales n, par emparejado | 10.6v | 12 Ma, 3 Ma | 500OHM @ 3.6V | 360mv @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | MODO DE AGOTAMENTO | |||||
| ALD110808PCL | 5.9624 | | 8290 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | Tubo | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 16 DIP (0.300 ", 7.62 mm) | ALD110808 | Mosfet (Óxido de metal) | 500MW | 16 PDIP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1014-1026 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 Canales n, par emparejado | 10.6v | 12 Ma, 3 Ma | 500OHM @ 4.8V | 820mv @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
| ALD210808AsCl | 7.5122 | | 5149 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Epad®, Umbral Cero ™ | Tubo | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | ALD210808 | Mosfet (Óxido de metal) | 500MW | 16-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 Canales n, par emparejado | 10.6v | 80mera | - | 20mv @ 10 µA | - | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | ALD1103SBL | 8.2500 | | 105 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | Tubo | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 14-SOICO (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | ALD1103 | Mosfet (Óxido de metal) | 500MW | 14-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1014-1009 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 n y 2 par de canal p | 10.6v | 40 Ma, 16 Ma | 75ohm @ 5V | 1V @ 10 µA | - | 10pf @ 5V | - | |||||
 | ALD1103PBL | 9.2600 | | 535 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | Tubo | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 14-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | ALD1103 | Mosfet (Óxido de metal) | 500MW | 14 PDIP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1014-1008 | EAR99 | 8541.21.0095 | 25 | 2 n y 2 par de canal p | 10.6v | 40 Ma, 16 Ma | 75ohm @ 5V | 1V @ 10 µA | - | 10pf @ 5V | - | |||||
 | Ald212902Sal | 5.6228 | | 6120 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Epad®, Umbral Cero ™ | Tubo | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | ALD212902 | Mosfet (Óxido de metal) | 500MW | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 par de canal n (dual) emparejado | 10.6v | 80mera | - | 20mv @ 10 µA | - | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
| Ald110902Sal | 4.9800 | | 33 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | Tubo | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | ALD110902 | Mosfet (Óxido de metal) | 500MW | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1014-1035 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 par de canal n (dual) emparejado | 10.6v | - | 500OHM @ 4.2V | 220MV @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
 | Ald1102pal | 8.2700 | | 54 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | Tubo | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | ALD1102 | Mosfet (Óxido de metal) | 500MW | 8 pdip | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1014-1006 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 par de canal p (dual) emparejado | 10.6v | - | 270ohm @ 5V | 1.2V @ 10 µA | - | 10pf @ 5V | - | |||||
| ALD110808AsCl | 8.9544 | | 6140 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | Tubo | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | ALD110808 | Mosfet (Óxido de metal) | 500MW | 16-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1014-1025 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 Canales n, par emparejado | 10.6v | 12 Ma, 3 Ma | 500OHM @ 4.8V | 810MV @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
| Ald910025sali | 5.3628 | | 9819 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Sab ™ | Tubo | Activo | 10.6v | Supercondensador de equilibrio automático | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | ALD910025 | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mera | 2 Canal N (Dual) | |||||||||||||
| ALD810016SCL | 4.7958 | | 5353 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Sab ™ | Tubo | Activo | 10.6v | Supercondensador de equilibrio automático | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | ALD810016 | 16-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1014-1269-5 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mera | 4 Canal N | ||||||||||||
| ALD810023SCLI | 5.5750 | | 9679 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Sab ™ | Tubo | Activo | 10.6v | Supercondensador de equilibrio automático | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | ALD810023 | 16-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mera | 4 Canal N | |||||||||||||
| Ald1115sal | 3.6146 | | 3719 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | Tubo | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | ALD1115 | Mosfet (Óxido de metal) | 500MW | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1014-1045 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | N y p-canal complementario | 10.6v | - | 1800OHM @ 5V | 1V @ 1µA | - | 3pf @ 5V | - | |||||
| Ald1102bpal | 8.8038 | | 8398 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | Tubo | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | ALD1102 | Mosfet (Óxido de metal) | 500MW | 8 pdip | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 par de canal p (dual) emparejado | 10.6v | - | 270ohm @ 5V | 1.2V @ 10 µA | - | 10pf @ 5V | - | ||||||
| ALD110800PCL | 6.3700 | | 6 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Epad®, Umbral Cero ™ | Tubo | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 16 DIP (0.300 ", 7.62 mm) | ALD110800 | Mosfet (Óxido de metal) | 500MW | 16 PDIP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1014-1018 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 Canales n, par emparejado | 10.6v | - | 500OHM @ 4V | 20mv @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
| ALD210802SCL | 5.7256 | | 7560 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Epad®, Umbral Cero ™ | Tubo | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | ALD210802 | Mosfet (Óxido de metal) | 500MW | 16-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 Canales n, par emparejado | 10.6v | 80mera | - | 20mv @ 10 µA | - | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | ALD310702SCL | 6.0054 | | 2024 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Epad®, Umbral Cero ™ | Tubo | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | ALD310702 | Mosfet (Óxido de metal) | 500MW | 16-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1014-1291 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 Canales P, par emparejado | 8V | - | - | 180mv @ 1 µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
| Ald110908Sal | 4.7014 | | 2643 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | Tubo | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | ALD110908 | Mosfet (Óxido de metal) | 500MW | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1014-1041 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 par de canal n (dual) emparejado | 10.6v | 12 Ma, 3 Ma | 500OHM @ 4.8V | 820mv @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
| ALD210804SCL | 5.7256 | | 6540 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Epad®, Umbral Cero ™ | Tubo | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | ALD210804 | Mosfet (Óxido de metal) | 500MW | 16-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 Canales n, par emparejado | 10.6v | 80mera | - | 20mv @ 10 µA | - | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | Ald111910mal | - | | 8551 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | Tubo | Obsoleto | - | - | - | ALD111910 | - | - | - | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1014-1219 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | - | - | - | - | - | - | - | - | |||||
| ALD310702APCL | 10.1814 | | 7292 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Epad®, Umbral Cero ™ | Tubo | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C | A Través del Aguetero | 16 DIP (0.300 ", 7.62 mm) | ALD310702 | Mosfet (Óxido de metal) | 500MW | 16 PDIP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1014-1288 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 Canales P, par emparejado | 8V | - | - | 180mv @ 1 µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
| Ald114904asal | 6.1776 | | 6987 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | Tubo | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | ALD114904 | Mosfet (Óxido de metal) | 500MW | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1014-1062 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 par de canal n (dual) emparejado | 10.6v | 12 Ma, 3 Ma | 500OHM @ 3.6V | 380mV @ 1 µA | - | 2.5pf @ 5V | MODO DE AGOTAMENTO | |||||
| ALD1105SBL | 5.9800 | | 50 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | Tubo | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 14-SOICO (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | ALD1105 | Mosfet (Óxido de metal) | 500MW | 14-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1014-1011 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 n y 2 par de canal p | 10.6v | - | 500OHM @ 5V | 1V @ 1µA | - | 3pf @ 5V | - | |||||
| ALD310702Ascl | 7.4692 | | 5116 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Epad®, Umbral Cero ™ | Tubo | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | ALD310702 | Mosfet (Óxido de metal) | 500MW | 16-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1014-1290 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 Canales P, par emparejado | 8V | - | - | 180mv @ 1 µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
| ALD810017SCLI | 5.5750 | | 5175 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Sab ™ | Tubo | Activo | 10.6v | Supercondensador de equilibrio automático | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | ALD810017 | 16-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mera | 4 Canal N | |||||||||||||
| Ald114913sal | 5.3400 | | 242 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | Tubo | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | ALD114913 | Mosfet (Óxido de metal) | 500MW | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1014-1066 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 par de canal n (dual) emparejado | 10.6v | 12 Ma, 3 Ma | 500OHM @ 2.7V | 1.26V @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | MODO DE AGOTAMENTO | |||||
| ALD310700APCL | 9.7700 | | 76 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Epad®, Umbral Cero ™ | Tubo | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C | A Través del Aguetero | 16 DIP (0.300 ", 7.62 mm) | ALD310700 | Mosfet (Óxido de metal) | 500MW | 16 PDIP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1014-1284 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 Canales P, par emparejado | 8V | - | - | 20mv @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
| ALD110804SCL | 5.8548 | | 3209 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | Tubo | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | ALD110804 | Mosfet (Óxido de metal) | 500MW | 16-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1014-1023 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 Canales n, par emparejado | 10.6v | 12 Ma, 3 Ma | 500OHM @ 4.4V | 420mv @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
| ALD810025SCL | 5.6500 | | 820 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Sab ™ | Tubo | Activo | 10.6v | Supercondensador de equilibrio automático | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | ALD810025 | 16-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1014-1259-5 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mera | 4 Canal N |
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