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Transistores (181)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Aplicacionales | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Calificación real (amplificador) | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Tipo de transistor |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | ALD810028SCL | 5.5046 |  | 4021 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Sab ™ | Tubo | Activo | 10.6v | Supercondensador de equilibrio automático | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | ALD810028 | 16-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1014-1262-5 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mera | 4 Canal N | ||||||||||||
 | Ald910023Sal | 5.0400 | | 51 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Sab ™ | Tubo | Activo | 10.6v | Supercondensador de equilibrio automático | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | ALD910023 | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1014-1263-5 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mera | 2 Canal N (Dual) | ||||||||||||
| ALD210814SCL | 5.7256 | | 8896 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Epad®, Umbral Cero ™ | Tubo | Activo | - | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | ALD210814 | Mosfet (Óxido de metal) | 500MW | 16-soico | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 Canales n, par emparejado | 10.6v | 80mera | - | 20mv @ 10 µA | - | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | Ald212902pal | 5.6826 | | 5658 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Epad®, Umbral Cero ™ | Tubo | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | ALD212902 | Mosfet (Óxido de metal) | 500MW | 8 pdip | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 par de canal n (dual) emparejado | 10.6v | 80mera | - | 20mv @ 10 µA | - | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | ALD310708SCL | 6.9700 | | 72 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Epad®, Umbral Cero ™ | Tubo | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | ALD310708 | Mosfet (Óxido de metal) | 500MW | 16-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1014-1299 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 Canales P, par emparejado | 8V | - | - | 780mv @ 1 µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
| Ald212914sal | 6.6728 | | 4033 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Epad®, Umbral Cero ™ | Tubo | Activo | - | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | ALD212914 | Mosfet (Óxido de metal) | 500MW | 8-Soico | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 par de canal n (dual) emparejado | 10.6v | 80mera | - | 20mv @ 10 µA | - | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
| Ald111933pal | 5.7644 | | 7667 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | Tubo | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | ALD111933 | Mosfet (Óxido de metal) | 500MW | 8 pdip | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1014-1051 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 par de canal n (dual) emparejado | 10.6v | - | 500OHM @ 5.9V | 3.35V @ 1 µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
| Ald1117sal | 4.2600 | | 574 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | Tubo | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | ALD1117 | Mosfet (Óxido de metal) | 500MW | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1014-1049 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 par de canal p (dual) emparejado | 10.6v | - | 1800OHM @ 5V | 1V @ 1µA | - | 3pf @ 5V | - | |||||
| Ald212908Sal | 5.6228 | | 5921 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Epad®, Umbral Cero ™ | Tubo | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | ALD212908 | Mosfet (Óxido de metal) | 500MW | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 par de canal n (dual) emparejado | 10.6v | 80mera | - | 20mv @ 10 µA | - | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | ALD114835PCL | 7.8996 | | 4717 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | Tubo | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 16 DIP (0.300 ", 7.62 mm) | ALD114835 | Mosfet (Óxido de metal) | 500MW | 16 PDIP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1014-1059 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 Canales n, par emparejado | 10.6v | 12 Ma, 3 Ma | 540ohm @ 0V | 3.45V @ 1 µA | - | 2.5pf @ 5V | MODO DE AGOTAMENTO | |||||
 | ALD1106PBL | 6.6500 | | 634 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | Tubo | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 14-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | ALD1106 | Mosfet (Óxido de metal) | 500MW | 14 PDIP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1014-1012 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 Canales n, par emparejado | 10.6v | - | 500OHM @ 5V | 1V @ 1µA | - | 3pf @ 5V | - | |||||
| Ald111933sal | 5.1400 | | 250 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | Tubo | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | ALD111933 | Mosfet (Óxido de metal) | 500MW | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 par de canal n (dual) emparejado | 10.6v | - | 500OHM @ 5.9V | 3.35V @ 1 µA | - | 2.5pf @ 5V | - | ||||||
| ALD810020SCL | 4.7958 | | 2200 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Sab ™ | Tubo | Activo | 10.6v | Supercondensador de equilibrio automático | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | ALD810020 | 16-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1014-1273-5 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mera | 4 Canal N | ||||||||||||
| Ald212900Sal | 5.6228 | | 7016 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Epad®, Umbral Cero ™ | Tubo | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | ALD212900 | Mosfet (Óxido de metal) | 500MW | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1014-1209 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 par de canal n (dual) emparejado | 10.6v | 80mera | 14ohm | 20mv @ 20 µA | - | 30pf @ 5V | Puerta de Nivel Lógico | |||||
| Ald212908pal | 5.6826 | | 7632 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Epad®, Umbral Cero ™ | Tubo | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | ALD212908 | Mosfet (Óxido de metal) | 500MW | 8 pdip | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 par de canal n (dual) emparejado | 10.6v | 80mera | - | 20mv @ 10 µA | - | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
| ALD310704SCL | 6.0054 | | 9339 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Epad®, Umbral Cero ™ | Tubo | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | ALD310704 | Mosfet (Óxido de metal) | 500MW | 16-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1014-1295 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 Canales P, par emparejado | 8V | - | - | 380mV @ 1 µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
| Ald110908pal | 5.7472 | | 9978 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | Tubo | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | ALD110908 | Mosfet (Óxido de metal) | 500MW | 8 pdip | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1014-1040 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 par de canal n (dual) emparejado | 10.6v | 12 Ma, 3 Ma | 500OHM @ 4.8V | 820mv @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
 | Ald111910pal | - | | 4901 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | Tubo | Obsoleto | - | - | - | ALD111910 | - | - | - | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1014-1220 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | - | - | - | - | - | - | - | - | |||||
| ALD110808APCL | 9.9446 | | 5951 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | Tubo | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 16 DIP (0.300 ", 7.62 mm) | ALD110808 | Mosfet (Óxido de metal) | 500MW | 16 PDIP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1014-1024 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 Canales n, par emparejado | 10.6v | 12 Ma, 3 Ma | 500OHM @ 4.8V | 810MV @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
| ALD210804PCL | 6.3498 | | 7102 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Epad®, Umbral Cero ™ | Tubo | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 16 DIP (0.300 ", 7.62 mm) | ALD210804 | Mosfet (Óxido de metal) | 500MW | 16 PDIP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 Canales n, par emparejado | 10.6v | 80mera | - | 20mv @ 10 µA | - | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
| ALD210808SCL | 5.8118 | | 8523 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Epad®, Umbral Cero ™ | Tubo | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | ALD210808 | Mosfet (Óxido de metal) | 500MW | 16-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 Canales n, par emparejado | 10.6v | 80mera | - | 20mv @ 10 µA | - | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
| Ald1116Sal | 4.2600 | | 5 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | Tubo | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | ALD1116 | Mosfet (Óxido de metal) | 500MW | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1014-1047 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 par de canal n (dual) emparejado | 10.6v | - | 500OHM @ 5V | 1V @ 1µA | - | 3pf @ 5V | - | |||||
| Ald111910Sal | - | | 9116 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | Tubo | Obsoleto | - | - | - | ALD111910 | Mosfet (Óxido de metal) | - | - | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1014-1221 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | - | - | - | - | - | - | - | - | |||||
| ALD210814PCL | 6.3498 | | 4240 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Epad®, Umbral Cero ™ | Tubo | Activo | - | A Través del Aguetero | 16 DIP (0.300 ", 7.62 mm) | ALD210814 | Mosfet (Óxido de metal) | - | 16 PDIP | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 4 Canales n, par emparejado | 10.6v | 80mera | - | 20mv @ 10 µA | - | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
| ALD810026SCLI | 5.8548 | | 4345 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Sab ™ | Tubo | Activo | 10.6v | Supercondensador de equilibrio automático | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | ALD810026 | 16-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mera | 4 Canal N | |||||||||||||
 | ALD1106SBL | 6.0100 | | 1 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | Tubo | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 14-SOICO (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | ALD1106 | Mosfet (Óxido de metal) | 500MW | 14-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1014-1013 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 Canales n, par emparejado | 10.6v | - | 500OHM @ 5V | 1V @ 1µA | - | 3pf @ 5V | - | |||||
 | Ald111933mal | - | | 8828 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho) | ALD111933 | Mosfet (Óxido de metal) | 500MW | 8-MSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1014-1050 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 par de canal n (dual) emparejado | 10.6v | - | 500OHM @ 5.9V | 3.35V @ 1 µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
| ALD110800AsCl | 8.6000 | | 436 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Epad®, Umbral Cero ™ | Tubo | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | ALD110800 | Mosfet (Óxido de metal) | 500MW | 16-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1014-1017 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 Canales n, par emparejado | 10.6v | - | 500OHM @ 4V | 10mv @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
| Ald1102bsal | 6.6082 | | 7427 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | Tubo | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | ALD1102 | Mosfet (Óxido de metal) | 500MW | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1014-1256 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 par de canal p (dual) emparejado | 10.6v | - | - | - | - | - | - | |||||
| ALD110804PCL | 6.5006 | | 6154 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | Tubo | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 16 DIP (0.300 ", 7.62 mm) | ALD110804 | Mosfet (Óxido de metal) | 500MW | 16 PDIP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1014-1022 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 Canales n, par emparejado | 10.6v | 12 Ma, 3 Ma | 500OHM @ 4.4V | 420mv @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - |
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