- RFQ
- Proseperar
- Contáctenos
Tel: +86-0755-83501315
Correo electrónico:sales@sic-components.com
- Chino
- Inglés
- Francés
- Alemán
- portugués
- Español
- ruso
- japonés
- coreano
- árabe
- irlandés
- Griego
- turco
- italiano
- danés
- rumano
- indonesio
- checo
- africaans
- sueco
- Polaco
- vasco
- catalán
- esperanto
- hindi
- Lao
- albanés
- Amárico
- armenio
- Azerbaiyano
- Bielorruso
- bengalí
- bosnio
- búlgaro
- Cebuano
- Chichewa
- corso
- croata
- Holandés
- Estonio
- Filipino
- finlandés
- frisio
- gallego
- georgiano
- Gujarati
- haitiano
- Hausa
- hawaiano
- hebreo
- Hmong
- húngaro
- islandés
- Igbo
- javanés
- Kannada
- Kazáceo
- Jemer
- kurdo
- Kirguistán
- latín
- letón
- lituano
- Luxembou ..
- macedónio
- madagascarí
- malayo
- Malayalam
- maltés
- maorí
- Marathi
- mongol
- birmano
- Nepalí
- noruego
- Pashto
- persa
- punjabi
- serbio
- Sesotho
- Sinhala
- eslovaco
- esloveno
- somalí
- Samoo
- Escocés gaélico
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- swahili
- Tayiko
- Tamil
- Telugu
- tailandés
- ucranio
- Urdu
- Uzbek
- vietnamita
- galés
- Xhosa
- yídish
- Yoruba
- zulú
- Kinyarwanda
- Tártaro
- Oriya
- Turco
- Uigur
Transistores (2488)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) | Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) | Drenaje real (ID) - Max |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2SK3309 (TE24L, Q) | - |  | 7505 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 2SK3309 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220SM | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 450 V | 10a (TA) | 10V | 650mohm @ 5a, 10v | 5V @ 1MA | 23 NC @ 10 V | ± 30V | 920 pf @ 10 V | - | 65W (TC) | ||||||||||||||||||
 | TPC8031-H (TE12LQM) | - | | 5858 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | TPC8031 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SOP (5.5x6.0) | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 11a (TA) | 13.3mohm @ 5.5a, 10V | 2.5V @ 1MA | 21 NC @ 10 V | 2150 pf @ 10 V | - | - | ||||||||||||||||||||
 | TPCP8001-H (TE85LFM | - | | 4459 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | U-Mosiii | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | TPCP8001 | Mosfet (Óxido de metal) | PS-8 (2.9x2.4) | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 7.2a (TA) | 4.5V, 10V | 16mohm @ 3.6a, 10V | 2.3V @ 1MA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 640 pf @ 10 V | - | 1W (TA), 30W (TC) | ||||||||||||||||||
 | SSM3J120TU, LF | - | | 2941 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | U-Mosiv | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, planos de cables | SSM3J120 | Mosfet (Óxido de metal) | UFM | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 4A (TA) | 1.5V, 4V | 38mohm @ 3a, 4V | 1V @ 1MA | 22.3 NC @ 4 V | ± 8V | 1484 pf @ 10 V | - | 500MW (TA) | |||||||||||||||||
 | SSM3K315T (TE85L, F) | - | | 5970 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | U-Mosiv | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | SSM3K315 | Mosfet (Óxido de metal) | TSM | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 6a (TA) | 4.5V, 10V | 27.6mohm @ 4a, 10v | 2.5V @ 1MA | 10.1 NC @ 10 V | ± 20V | 450 pf @ 15 V | - | 700MW (TA) | ||||||||||||||||||
| 2SK3068 (TE24L, Q) | - | | 7876 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 2SK3068 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220SM | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 500 V | 12a (TA) | 10V | 520mohm @ 6a, 10v | 4V @ 1MA | 45 NC @ 10 V | ± 30V | 2040 pf @ 10 V | - | 100W (TC) | ||||||||||||||||||
 | TPN14006NH, L1Q | 0.3533 | | 4019 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | U-Mosviii-H | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | TPN14006 | Mosfet (Óxido de metal) | Advance 8-TSON (3.1x3.1) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 60 V | 13a (TA) | 6.5V, 10V | 14mohm @ 6.5a, 10V | 4V @ 200 µA | 15 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 30 V | - | 700MW (TA), 30W (TC) | |||||||||||||||||
 | TK10A60W, S4VX | 2.7800 | | 50 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Dtmosiv | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | TK10A60 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220SIS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 9.7a (TA) | 10V | 380mohm @ 4.9a, 10V | 3.7V @ 500 µA | 20 NC @ 10 V | ± 30V | 700 pf @ 300 V | - | 30W (TC) | |||||||||||||||||
| SSM3K309T (TE85L, F) | - | | 1396 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | SSM3K309 | Mosfet (Óxido de metal) | TSM | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 4.7a (TA) | 1.8v, 4V | 31mohm @ 4a, 4V | - | ± 12V | 1020 pf @ 10 V | - | 700MW (TA) | |||||||||||||||||||
 | 2SK2145-BL (TE85L, F | 0.6800 | | 6 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | 2SK2145 | 300 MW | SMV | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 13PF @ 10V | 6 Ma @ 10 V | 200 MV @ 100 na | ||||||||||||||||||||||||
 | 2SK880-BL (TE85L, F) | 0.5900 | | 14 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | 2SK880 | 100 MW | SC-70 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 13PF @ 10V | 50 V | 6 Ma @ 10 V | 1.5 v @ 100 na | |||||||||||||||||||||||
 | RN1107, LF (CT | 0.2000 | | 6 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | RN1107 | 100 MW | SSM | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA | NPN - Pre -Sesgado | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 80 @ 10mA, 5V | 250 MHz | 10 kohms | 47 kohms | ||||||||||||||||||||
 | TK16C60W, S1VQ | - | | 7901 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Dtmosiv | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | TK16C60 | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 15.8a (TA) | 10V | 190mohm @ 7.9a, 10v | 3.7V @ 790 µA | 38 NC @ 10 V | ± 30V | 1350 pf @ 300 V | - | 130W (TC) | |||||||||||||||||
 | TP89R103NL, LQ | 0.6600 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | U-Mosviii-H | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | TP89R103 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SOP | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 15A (TC) | 4.5V, 10V | 9.1mohm @ 7.5a, 10v | 2.3V @ 100 µA | 9.8 NC @ 10 V | ± 20V | 820 pf @ 15 V | - | 1W (TC) | |||||||||||||||||
 | 2SK208-Y (TE85L, F) | 0.4900 | | 7 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 2SK208 | 100 MW | S-Mini | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 8.2pf @ 10V | 50 V | 1.2 Ma @ 10 V | 400 MV @ 100 na | 6.5 Ma | ||||||||||||||||||||||
 | TK39N60X, S1F | 7.2100 | | 2761 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Dtmosiv-h | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | TK39N60 | Mosfet (Óxido de metal) | To-247 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 600 V | 38.8a (TA) | 10V | 65mohm @ 12.5a, 10V | 3.5V @ 1.9MA | 85 NC @ 10 V | ± 30V | 4100 pf @ 300 V | - | 270W (TC) | |||||||||||||||||
 | SSM6N7002BFE, LM | 0.3300 | | 28 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | SSM6N7002 | Mosfet (Óxido de metal) | 150MW | ES6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 200 MMA | 2.1ohm @ 500 mA, 10V | 3.1V @ 250 µA | - | 17pf @ 25V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||
 | TPW4R008NH, L1Q | 2.7900 | | 4510 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | U-Mosviii-H | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | TPW4R008 | Mosfet (Óxido de metal) | Avance de 8-dsop | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 80 V | 116a (TC) | 10V | 4mohm @ 50a, 10v | 4V @ 1MA | 59 NC @ 10 V | ± 20V | 5300 pf @ 40 V | - | 800MW (TA), 142W (TC) | |||||||||||||||||
| TPW4R50Anh, L1Q | 2.7900 | | 3418 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | U-Mosviii-H | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | TPW4R50 | Mosfet (Óxido de metal) | Avance de 8-dsop | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 100 V | 92a (TC) | 10V | 4.5mohm @ 46a, 10v | 4V @ 1MA | 58 NC @ 10 V | ± 20V | 5200 pf @ 50 V | - | 800MW (TA), 142W (TC) | |||||||||||||||||
 | SSM6J507NU, LF | 0.4600 | | 50 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | U-Mosvi | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 6 wdfn | Ssm6j507 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-udfnb (2x2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 10a (TA) | 4V, 10V | 20mohm @ 4a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 20.4 NC @ 4.5 V | +20V, -25V | 1150 pf @ 15 V | - | 1.25W (TA) | |||||||||||||||||
 | TK9P65W, RQ | 0.8760 | | 2610 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Dtmosiv | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | TK9P65 | Mosfet (Óxido de metal) | Dpak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 650 V | 9.3a (TA) | 10V | 560mohm @ 4.6a, 10V | 3.5V @ 350 µA | 20 NC @ 10 V | ± 30V | 700 pf @ 300 V | - | 80W (TC) | |||||||||||||||||
 | TK14E65W5, S1X | 3.0200 | | 15 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Dtmosiv | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | TK14E65 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 650 V | 13.7a (TA) | 10V | 300mohm @ 6.9a, 10V | 4.5V @ 690 µA | 40 NC @ 10 V | ± 30V | 1300 pf @ 300 V | - | 130W (TC) | |||||||||||||||||
 | TK35A65W5, S5X | 6.3000 | | 7564 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Dtmosiv | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | TK35A65 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220SIS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 650 V | 35A (TA) | 10V | 95mohm @ 17.5a, 10V | 4.5V @ 2.1MA | 115 NC @ 10 V | ± 30V | 4100 pf @ 300 V | - | 50W (TC) | |||||||||||||||||
| TK14N65W5, S1F | 4.3100 | | 4776 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Dtmosiv | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | TK14N65 | Mosfet (Óxido de metal) | To-247 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 650 V | 13.7a (TA) | 10V | 300mohm @ 6.9a, 10V | 4.5V @ 690 µA | 40 NC @ 10 V | ± 30V | 1300 pf @ 300 V | - | 130W (TC) | |||||||||||||||||
 | TK8Q65W, S1Q | 1.7200 | | 5 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Dtmosiv | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To-251-3 Stub Leads, ipak | TK8Q65 | Mosfet (Óxido de metal) | I-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 650 V | 7.8a (TA) | 10V | 670mohm @ 3.9a, 10v | 3.5V @ 300 µA | 16 NC @ 10 V | ± 30V | 570 pf @ 300 V | - | 80W (TC) | |||||||||||||||||
| TK28A65W, S5X | 5.0100 | | 34 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Dtmosiv | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | TK28A65 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220SIS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 650 V | 27.6a (TA) | 10V | 110mohm @ 13.8a, 10v | 3.5V @ 1.6MA | 75 NC @ 10 V | ± 30V | 3000 pf @ 300 V | - | 45W (TC) | |||||||||||||||||
 | SSM3K318R, LF | 0.4300 | | 710 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | U-Mosiv | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-3 Platos Platos | SSM3K318 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23F | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 2.5a (TA) | 4.5V, 10V | 107mohm @ 2a, 10v | 2.8V @ 1MA | 7 NC @ 10 V | ± 20V | 235 pf @ 30 V | - | 1W (TA) | |||||||||||||||||
 | TMBT3906, LM | 0.1800 | | 15 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | TMBT3906 | 320 MW | Sot-23-3 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 150 Ma | 100NA (ICBO) | PNP | 400mv @ 5 Ma, 50 Ma | 100 @ 10mA, 1V | 250MHz | |||||||||||||||||||||
| SSM6K504NU, LF | 0.3800 | | 4 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | U-Mosvii | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 6 wdfn | SSM6K504 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-udfnb (2x2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 9a (TA) | 4.5V, 10V | 19.5mohm @ 4a, 10v | 2.5V @ 100 µA | 4.8 NC @ 4.5 V | ± 20V | 620 pf @ 15 V | - | 1.25W (TA) | |||||||||||||||||
 | SSM6N48FU, RF (D | - | | 1977 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | SSM6N48 | Mosfet (Óxido de metal) | 300MW | US6 | descascar | 1 (ilimitado) | Ssm6n48furf (D | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 100 mA (TA) | 3.2ohm @ 10mA, 4V | 1.5V @ 100 µA | - | 15.1pf @ 3V | Puerta de Nivel Lógico, Unidad de 2.5V |
2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m2
Almacén en stock
Lista de deseos (0 elementos)