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Transistores (888)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
BC846B RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC846B RFG 0.2200
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BC846 200 MW Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 65 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 5 mm, 100 mapa 200 @ 2mA, 5V 100MHz
BC848BW RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC848BW RFG 0.0368
RFQ
 ECAD 4368 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BC848 200 MW Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 30 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
MMBT3906 RFG Taiwan Semiconductor Corporation MMBT3906 RFG 0.2100
RFQ
 ECAD 110 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT3906 350 MW Sot-23 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 40 V 200 MA 100NA (ICBO) PNP 400mv @ 5 Ma, 50 Ma 100 @ 10mA, 1V 250MHz
BC848C RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC848C RFG 0.0343
RFQ
 ECAD 2199 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BC848 200 MW Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 30 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 5 mm, 100 mapa 420 @ 2mA, 5V 100MHz
TSM150NB04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM150NB04LCR RLG 1.4100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn TSM150 Mosfet (Óxido de metal) 8-PDFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 10a (TA), 41a (TC) 4.5V, 10V 15mohm @ 10a, 10v 2.5V @ 250 µA 18 NC @ 10 V ± 20V 966 pf @ 20 V - 3.1W (TA), 56W (TC)
BC338-25 A1 Taiwan Semiconductor Corporation BC338-25 A1 -
RFQ
 ECAD 2708 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW Un 92 descascar Alcanzar sin afectado 1801-BC338-25A1TB Obsoleto 1 25 V 800 Ma 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50 mm, 500 mA 160 @ 100mA, 5V 100MHz
BC338-25 B1G Taiwan Semiconductor Corporation BC338-25 B1G -
RFQ
 ECAD 8848 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC338 625 MW Un 92 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 5,000 25 V 800 Ma 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50 mm, 500 mA 160 @ 100mA, 5V 100MHz
KTC3198-BL A1G Taiwan Semiconductor Corporation KTC3198-BL A1G -
RFQ
 ECAD 7523 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales KTC3198 500 MW Un 92 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 4.000 50 V 150 Ma 100NA (ICBO) NPN 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma 70 @ 2mA, 6V 80MHz
MMBT2222A RFG Taiwan Semiconductor Corporation MMBT2222A RFG 0.2400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT2222 300 MW Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 40 V 600 mA 10NA (ICBO) NPN 1V @ 50 Ma, 500 Ma 100 @ 150mA, 10V 300MHz
TSM2328CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2328CX RFG 1.0900
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 TSM2328 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 V 1.5a (TA) 10V 250mohm @ 1.5a, 10v 2.5V @ 250 µA 12 NC @ 4.5 V ± 20V 975 pf @ 25 V - 1.38W (TA)
TSM085P03CV RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSM085P03CV RGG 2.0100
RFQ
 ECAD 82 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN TSM085 Mosfet (Óxido de metal) 8-PDFN (3.1x3.1) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 Canal P 30 V 64a (TC) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 14a, 10v 2.5V @ 250 µA 55 NC @ 10 V ± 20V 3234 pf @ 15 V - 50W (TC)
TSM10N60CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM10N60CI C0G -
RFQ
 ECAD 8807 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA Mosfet (Óxido de metal) Ito-220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado TSM10N60CIC0G EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 600 V 10a (TC) 10V 750mohm @ 5a, 10v 4V @ 250 µA 45.8 NC @ 10 V ± 30V 1738 pf @ 25 V - 50W (TC)
TSM4N80CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM4N80CI C0G -
RFQ
 ECAD 3169 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA TSM4N80 Mosfet (Óxido de metal) ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 800 V 4A (TC) 10V 3ohm @ 1.2a, 10v 4V @ 250 µA 20 NC @ 10 V ± 30V 955 pf @ 25 V - 38.7W (TC)
KTC3198-Y-B0 A1G Taiwan Semiconductor Corporation KTC3198-Y-B0 A1G -
RFQ
 ECAD 5430 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 500 MW Un 92 descascar Alcanzar sin afectado 1801-KTC3198-Y-B0A1GTB Obsoleto 1 50 V 150 Ma 100NA (ICBO) NPN 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma 120 @ 150 mm, 6V 80MHz
BC548A B1G Taiwan Semiconductor Corporation BC548A B1G -
RFQ
 ECAD 2431 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC548 500 MW Un 92 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 5,000 30 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN - 110 @ 2mA, 5V -
TSM80N08CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM80N08CZ C0G -
RFQ
 ECAD 3900 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 TSM80 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 75 V 80a (TC) 10V 8mohm @ 40a, 10v 4V @ 250 µA 91.5 NC @ 10 V ± 20V 3905 pf @ 30 V - 113.6W (TC)
TSM9933DCS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM9933DCS RLG -
RFQ
 ECAD 5092 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) TSM9933 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal P (Dual) 20V 4.7a (TC) 60mohm @ 4.7a, 4.5V 1.4V @ 250 µA 8.5nc @ 4.5V 640pf @ 10V -
TSM3N80CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM3N80CZ C0G -
RFQ
 ECAD 7386 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 TSM3N80 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 800 V 3A (TC) 10V 4.2ohm @ 1.5a, 10V 4V @ 250 µA 19 NC @ 10 V ± 30V 696 pf @ 25 V - 94W (TC)
TSM60N380CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM60N380CZ C0G 2.2400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 TSM60 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 11a (TC) 10V 380mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250 µA 20.5 NC @ 10 V ± 30V 1040 pf @ 100 V - 125W (TC)
TSM500P02DCQ RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM500P02DCQ RFG 1.1900
RFQ
 ECAD 83 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-vdfn exposición almohadilla TSM500 Mosfet (Óxido de metal) 620MW 6-TDFN (2x2) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal P (Dual) 20V 4.7a (TC) 50mohm @ 3a, 4.5V 800mv @ 250 µA 9.6nc @ 4.5V 1230pf @ 10V -
BC547C B1G Taiwan Semiconductor Corporation BC547C B1G -
RFQ
 ECAD 6052 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC547 500 MW Un 92 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 5,000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN - 420 @ 2mA, 5V -
BC858A Taiwan Semiconductor Corporation BC858A 0.0334
RFQ
 ECAD 8548 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BC858 200 MW Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BC858ATR EAR99 8541.21.0075 9,000 30 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 125 @ 2mA, 5V 100MHz
BSS138 RFG Taiwan Semiconductor Corporation BSS138 RFG 0.3700
RFQ
 ECAD 64 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 50 V 260MA (TA) 4.5V, 10V 2.5ohm @ 260 mm, 10v 1.6V @ 250 µA 2 NC @ 10 V ± 20V 32 pf @ 25 V - 357MW (TA)
TSM3N90CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM3N90CZ C0G -
RFQ
 ECAD 8691 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 TSM3N90 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 900 V 2.5A (TC) 10V 5.1ohm @ 1.25a, 10V 4V @ 250 µA 17 NC @ 10 V ± 30V 748 pf @ 25 V - 94W (TC)
BC547A A1G Taiwan Semiconductor Corporation BC547A A1G -
RFQ
 ECAD 3073 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales BC547 500 MW Un 92 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 4.000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN - 110 @ 2mA, 5V -
BC857C RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC857C RFG 0.0343
RFQ
 ECAD 4570 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BC857 200 MW Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 420 @ 2mA, 5V 100MHz
TSM950N10CW RPG Taiwan Semiconductor Corporation TSM950N10CW RPG 1.5600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA TSM950 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 6.5a (TC) 4.5V, 10V 95mohm @ 5a, 10v 2.5V @ 250 µA 9.3 NC @ 10 V ± 20V 1480 pf @ 50 V - 9W (TC)
KTC3198-Y Taiwan Semiconductor Corporation KTC3198-Y 0.0583
RFQ
 ECAD 2280 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) KTC3198 500 MW Un 92 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-KTC3198-YTB EAR99 8541.21.0095 4.000 50 V 150 Ma 100NA (ICBO) NPN 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma 70 @ 2mA, 6V 80MHz
KTC3198-GR A1G Taiwan Semiconductor Corporation KTC3198-Gr A1G -
RFQ
 ECAD 9205 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales KTC3198 500 MW Un 92 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 4.000 50 V 150 Ma 100NA (ICBO) NPN 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma 70 @ 2mA, 6V 80MHz
TSC497CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSC497CX RFG 0.5200
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 TSC497 500 MW Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 300 V 500 mA 100na NPN 300mv @ 25 mm, 250 mA 100 @ 1 MMA, 10V 75MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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