- RFQ
- Proseperar
- Contáctenos
Tel: +86-0755-83501315
Correo electrónico:sales@sic-components.com
- Chino
- Inglés
- Francés
- Alemán
- portugués
- Español
- ruso
- japonés
- coreano
- árabe
- irlandés
- Griego
- turco
- italiano
- danés
- rumano
- indonesio
- checo
- africaans
- sueco
- Polaco
- vasco
- catalán
- esperanto
- hindi
- Lao
- albanés
- Amárico
- armenio
- Azerbaiyano
- Bielorruso
- bengalí
- bosnio
- búlgaro
- Cebuano
- Chichewa
- corso
- croata
- Holandés
- Estonio
- Filipino
- finlandés
- frisio
- gallego
- georgiano
- Gujarati
- haitiano
- Hausa
- hawaiano
- hebreo
- Hmong
- húngaro
- islandés
- Igbo
- javanés
- Kannada
- Kazáceo
- Jemer
- kurdo
- Kirguistán
- latín
- letón
- lituano
- Luxembou ..
- macedónio
- madagascarí
- malayo
- Malayalam
- maltés
- maorí
- Marathi
- mongol
- birmano
- Nepalí
- noruego
- Pashto
- persa
- punjabi
- serbio
- Sesotho
- Sinhala
- eslovaco
- esloveno
- somalí
- Samoo
- Escocés gaélico
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- swahili
- Tayiko
- Tamil
- Telugu
- tailandés
- ucranio
- Urdu
- Uzbek
- vietnamita
- galés
- Xhosa
- yídish
- Yoruba
- zulú
- Kinyarwanda
- Tártaro
- Oriya
- Turco
- Uigur
Transistores (888)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TSM4953DCS RLG | 1.6600 |  | 23 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | TSM4953 | Mosfet (Óxido de metal) | 2.5w | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Dual) | 30V | 4.9a (TA) | 60mohm @ 4.9a, 10V | 3V @ 250 µA | 28NC @ 10V | 745pf @ 15V | - | |||||||||||||
 | Tqm025nh04cr rlg | 6.3900 | | 5 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101, Perfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte de superficie, Flanco Humectable | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-PDFNU (4.9x5.75) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 5,000 | N-canal | 40 V | 26a (TA), 100a (TC) | 7V, 10V | 2.5mohm @ 50A, 10V | 3.6V @ 250 µA | 89 NC @ 10 V | ± 20V | 5691 pf @ 25 V | - | 136W (TC) | |||||||||||||||
 | BC847CW | 0.0357 | | 7744 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | BC847 | 200 MW | Sot-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-BC847CWTR | EAR99 | 8541.21.0075 | 18,000 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5 Ma, 100 Ma | 420 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||
 | TSM2NB60CP ROG | 1.9800 | | 5 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 600 V | 2a (TC) | 10V | 4.4ohm @ 1a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 9.4 NC @ 10 V | ± 30V | 249 pf @ 25 V | - | 44W (TC) | ||||||||||||
 | BC549B A1 | - | | 7605 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 500 MW | Un 92 | descascar | Alcanzar sin afectado | 1801-BC549BA1TB | Obsoleto | 1 | 30 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | - | 200 @ 2mA, 5V | - | ||||||||||||||||||
 | TSM1NB60SCT B0G | - | | 6913 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | Mosfet (Óxido de metal) | Un 92 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 500 mA (TC) | 10V | 10ohm @ 250 mA, 10v | 4.5V @ 250 µA | 6.1 NC @ 10 V | ± 30V | 138 pf @ 25 V | - | 2.5W (TC) | ||||||||||||
| BC338-16 B1 | - | | 3511 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 MW | Un 92 | - | Alcanzar sin afectado | 1801-BC338-16B1 | Obsoleto | 1 | 25 V | 800 Ma | 100NA (ICBO) | NPN | 700mv @ 50 mm, 500 mA | 250 @ 100mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||
| BC338-25 B1 | - | | 4709 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 MW | Un 92 | - | Alcanzar sin afectado | 1801-BC338-25B1 | Obsoleto | 1 | 25 V | 800 Ma | 100NA (ICBO) | NPN | 700mv @ 50 mm, 500 mA | 250 @ 100mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||
| BC548C A1 | - | | 6297 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 500 MW | Un 92 | descascar | Alcanzar sin afectado | 1801-BC548CA1TB | Obsoleto | 1 | 30 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | - | 420 @ 2mA, 5V | - | ||||||||||||||||||
| BC337-40-B0 B1G | - | | 9333 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 MW | Un 92 | descascar | Alcanzar sin afectado | 1801-BC337-40-B0B1G | Obsoleto | 1 | 45 V | 800 Ma | 100NA (ICBO) | NPN | 700mv @ 50 mm, 500 mA | 250 @ 100mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||
| KTC3198-O-M0 A2G | - | | 2333 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 500 MW | Un 92 | descascar | Alcanzar sin afectado | 1801-KTC3198-O-M0A2GTB | Obsoleto | 1 | 50 V | 150 Ma | 100NA (ICBO) | NPN | 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma | 70 @ 150mA, 6V | 80MHz | ||||||||||||||||||
| KTC3198-O-M0 B2G | - | | 8074 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 500 MW | Un 92 | descascar | Alcanzar sin afectado | 1801-KTC3198-O-M0B2G | Obsoleto | 1 | 50 V | 150 Ma | 100NA (ICBO) | NPN | 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma | 70 @ 150mA, 6V | 80MHz | ||||||||||||||||||
| BC337-40 A1 | - | | 3711 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 625 MW | Un 92 | descascar | Alcanzar sin afectado | 1801-BC337-40A1TB | Obsoleto | 1 | 45 V | 800 Ma | 100NA (ICBO) | NPN | 700mv @ 50 mm, 500 mA | 250 @ 100mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||
| BC549A A1 | - | | 2940 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 500 MW | Un 92 | descascar | Alcanzar sin afectado | 1801-BC549AA1TB | Obsoleto | 1 | 30 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | - | 110 @ 2mA, 5V | - | ||||||||||||||||||
| KTC3198-Gr-B0 A1G | - | | 2951 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 500 MW | Un 92 | descascar | Alcanzar sin afectado | 1801-KTC3198-Gr-B0A1GTB | Obsoleto | 1 | 50 V | 150 Ma | 100NA (ICBO) | NPN | 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma | 200 @ 150mA, 6V | 80MHz | ||||||||||||||||||
| KTC3198-Gr0 B2G | - | | 2979 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 500 MW | Un 92 | descascar | Alcanzar sin afectado | 1801-KTC3198-gr-M0B2G | Obsoleto | 1 | 50 V | 150 Ma | 100NA (ICBO) | NPN | 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma | 200 @ 150mA, 6V | 80MHz | ||||||||||||||||||
| KTC3198-O-B0 A1G | - | | 6443 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 500 MW | Un 92 | descascar | Alcanzar sin afectado | 1801-KTC3198-O-B0A1GTB | Obsoleto | 1 | 50 V | 150 Ma | 100NA (ICBO) | NPN | 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma | 70 @ 150mA, 6V | 80MHz | ||||||||||||||||||
 | BC550C B1 | - | | 1335 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 500 MW | Un 92 | descascar | Alcanzar sin afectado | 1801-BC550CB1 | Obsoleto | 1 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | - | 420 @ 2mA, 5V | - | ||||||||||||||||||
| BC546B B1 | - | | 5949 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 500 MW | Un 92 | descascar | Alcanzar sin afectado | 1801-BC546BB1 | Obsoleto | 1 | 65 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | - | 200 @ 2mA, 5V | - | ||||||||||||||||||
| BC547A A1 | - | | 5168 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 500 MW | Un 92 | descascar | Alcanzar sin afectado | 1801-BC547AA1TB | Obsoleto | 1 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | - | 110 @ 2mA, 5V | - | ||||||||||||||||||
| BC549C B1 | - | | 3929 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 500 MW | Un 92 | descascar | Alcanzar sin afectado | 1801-BC549CB1 | Obsoleto | 1 | 30 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | - | 420 @ 2mA, 5V | - | ||||||||||||||||||
| BC337-16-B0 B1 | - | | 5258 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 MW | Un 92 | - | Alcanzar sin afectado | 1801-BC337-16-B0B1 | Obsoleto | 1 | 45 V | 800 Ma | 100NA (ICBO) | NPN | 700mv @ 50 mm, 500 mA | 250 @ 100mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||
| BC547A B1 | - | | 2085 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 500 MW | Un 92 | descascar | Alcanzar sin afectado | 1801-BC547AB1 | Obsoleto | 1 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | - | 110 @ 2mA, 5V | - | ||||||||||||||||||
| BC546C B1 | - | | 7110 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 500 MW | Un 92 | descascar | Alcanzar sin afectado | 1801-BC546CB1 | Obsoleto | 1 | 65 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | - | 420 @ 2mA, 5V | - | ||||||||||||||||||
| BC549B B1 | - | | 5417 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 500 MW | Un 92 | descascar | Alcanzar sin afectado | 1801-BC549BB1 | Obsoleto | 1 | 30 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | - | 200 @ 2mA, 5V | - | ||||||||||||||||||
| BC546C A1 | - | | 9119 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 500 MW | Un 92 | descascar | Alcanzar sin afectado | 1801-BC546CA1TB | Obsoleto | 1 | 65 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | - | 420 @ 2mA, 5V | - | ||||||||||||||||||
 | TSM60NC620CH C5G | 3.6900 | | 1910 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | TSM60 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-251 (ipak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 1801-TSM60NC620CHC5G | 15,000 | N-canal | 600 V | 7a (TC) | 10V | 620mohm @ 2.4a, 10V | 5V @ 1MA | 15 NC @ 10 V | ± 20V | 501 pf @ 300 V | - | 78W (TC) | |||||||||||||
 | TSM60NC980CH C5G | 3.0700 | | 13 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | TSM60 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-251 (ipak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 1801-TSM60NC980CHC5G | EAR99 | 8541.29.0095 | 15,000 | N-canal | 600 V | 4A (TC) | 10V | 980mohm @ 1.5a, 10V | 5V @ 1MA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 330 pf @ 300 V | - | 57W (TC) | |||||||||||
| MMBT3904L-UA RFG | - | | 4856 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | Sot-23 | - | 1801-mmbt3904l-uarfg | Obsoleto | 1 | 40 V | 200 MA | 50NA | NPN | 300mv @ 5 Ma, 50 Ma | 100 @ 10mA, 1V | 250MHz | |||||||||||||||||||
 | TSM250NB06LDCR RLG | 1.0500 | | 4 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | TSM250 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W (TA), 48W (TC) | 8-PDFN (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 6A (TA), 29A (TC) | 25mohm @ 6a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 23nc @ 10V | 1314pf @ 30V | - |
2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m2
Almacén en stock
Lista de deseos (0 elementos)