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Transistores (888)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TSM16nd50ci C0G | 3.1438 |  | 6511 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Mosfet (Óxido de metal) | Ito-220 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 V | 16a (TC) | 10V | 350mohm @ 4a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 53 NC @ 10 V | ± 30V | 2551 pf @ 50 V | - | 59.5W (TC) | ||||||||||||
 | BC549A B1 | - | | 3106 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 500 MW | Un 92 | descascar | Alcanzar sin afectado | 1801-BC549AB1 | Obsoleto | 1 | 30 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | - | 110 @ 2mA, 5V | - | ||||||||||||||||||
| BC548A A1 | - | | 3861 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 500 MW | Un 92 | descascar | Alcanzar sin afectado | 1801-BC548AA1TB | Obsoleto | 1 | 30 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | - | 110 @ 2mA, 5V | - | ||||||||||||||||||
| BC337-40-B0 A1 | - | | 8251 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 625 MW | Un 92 | - | Alcanzar sin afectado | 1801-BC337-40-B0A1TB | Obsoleto | 1 | 45 V | 800 Ma | 100NA (ICBO) | NPN | 700mv @ 50 mm, 500 mA | 250 @ 100mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||
| BC338-25-B0 B1G | - | | 1839 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 MW | Un 92 | descascar | Alcanzar sin afectado | 1801-BC338-25-B0B1G | Obsoleto | 1 | 25 V | 800 Ma | 100NA (ICBO) | NPN | 700mv @ 50 mm, 500 mA | 250 @ 100mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||
| KTC3198-Y-B0 B1G | - | | 9128 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 500 MW | Un 92 | descascar | Alcanzar sin afectado | 1801-KTC3198-Y-B0B1G | Obsoleto | 1 | 50 V | 150 Ma | 100NA (ICBO) | NPN | 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma | 120 @ 150 mm, 6V | 80MHz | ||||||||||||||||||
| BC338-25-B0 A1 | - | | 6810 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 625 MW | Un 92 | - | Alcanzar sin afectado | 1801-BC338-25-B0A1TB | Obsoleto | 1 | 25 V | 800 Ma | 100NA (ICBO) | NPN | 700mv @ 50 mm, 500 mA | 250 @ 100mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||
| BC338-40-B0 A1 | - | | 4614 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 625 MW | Un 92 | - | Alcanzar sin afectado | 1801-BC338-40-B0A1TB | Obsoleto | 1 | 25 V | 800 Ma | 100NA (ICBO) | NPN | 700mv @ 50 mm, 500 mA | 250 @ 100mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||
| BC337-25 B1 | - | | 9978 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 MW | Un 92 | - | Alcanzar sin afectado | 1801-BC337-25B1 | Obsoleto | 1 | 45 V | 800 Ma | 100NA (ICBO) | NPN | 700mv @ 50 mm, 500 mA | 250 @ 100mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||
| BC550C A1 | - | | 9975 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 500 MW | Un 92 | descascar | Alcanzar sin afectado | 1801-BC550CA1TB | Obsoleto | 1 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | - | 420 @ 2mA, 5V | - | ||||||||||||||||||
| KTC3198-BL-M0 A2G | - | | 7823 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 500 MW | Un 92 | descascar | Alcanzar sin afectado | 1801-KTC3198-BL-M0A2GTB | Obsoleto | 1 | 50 V | 150 Ma | 100NA (ICBO) | NPN | 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma | 3000 @ 150mA, 6V | 80MHz | ||||||||||||||||||
| KTC3198-Gr-M0 A2G | - | | 1916 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 500 MW | Un 92 | descascar | Alcanzar sin afectado | 1801-KTC3198-Gr-M0A2GTB | Obsoleto | 1 | 50 V | 150 Ma | 100NA (ICBO) | NPN | 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma | 200 @ 150mA, 6V | 80MHz | ||||||||||||||||||
| BC338-40-B0 B1G | - | | 6068 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 MW | Un 92 | descascar | Alcanzar sin afectado | 1801-BC338-40-B0B1G | Obsoleto | 1 | 25 V | 800 Ma | 100NA (ICBO) | NPN | 700mv @ 50 mm, 500 mA | 250 @ 100mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||
| BC337-16-B0 A1 | - | | 6563 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 625 MW | Un 92 | - | Alcanzar sin afectado | 1801-BC337-16-B0A1TB | Obsoleto | 1 | 45 V | 800 Ma | 100NA (ICBO) | NPN | 700mv @ 50 mm, 500 mA | 250 @ 100mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||
| BC547B A1 | - | | 1117 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 500 MW | Un 92 | descascar | Alcanzar sin afectado | 1801-BC547BA1TB | Obsoleto | 1 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | - | 200 @ 2mA, 5V | - | ||||||||||||||||||
| BC546A B1 | - | | 2238 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 500 MW | Un 92 | descascar | Alcanzar sin afectado | 1801-BC546AB1 | Obsoleto | 1 | 65 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | - | 110 @ 2mA, 5V | - | ||||||||||||||||||
| TSM300NB06LDCR RLG | 2.2400 | | 5 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | TSM300 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W (TA), 40W (TC) | 8-PDFNU (5x6) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 5A (TA), 24a (TC) | 30mohm @ 5a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 17NC @ 10V | 966pf @ 30V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||
 | TSM056NH04CV RGG | 2.9000 | | 10 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Perfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | Mosfet (Óxido de metal) | 8-PDFN (3.1x3.1) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-TSM056NH04CVRGGTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 40 V | 16a (TA), 54A (TC) | 7V, 10V | 5.6mohm @ 27a, 10v | 3.6V @ 250 µA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 1828 pf @ 25 V | - | 34W (TC) | |||||||||||
 | TSM025NH04LCR RLG | 5.0500 | | 4 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Perfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte de superficie, Flanco Humectable | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-PDFNU (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-TSM025NH04LCRRLGTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 40 V | 26a (TA), 100a (TC) | 4.5V, 10V | 2.5mohm @ 50A, 10V | 2.2V @ 250 µA | 63.3 NC @ 10 V | ± 16V | 4179 pf @ 25 V | - | 136W (TC) | |||||||||||
| TSM60NC196CM2 RNG | 9.1600 | | 2 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | TSM60 | Mosfet (Óxido de metal) | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 600 V | 28a (TC) | 10V | 196mohm @ 9.5a, 10V | 5V @ 1MA | 39 NC @ 10 V | ± 20V | 1566 pf @ 300 V | - | 152W (TC) | |||||||||||
| TSM035NB04LCZ C0G | 3.3500 | | 4 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | TSM035 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-TSM035NB04LCZC0G | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 40 V | 18a (TA), 157a (TC) | 4.5V, 10V | 3.5mohm @ 18a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 111 NC @ 10 V | ± 20V | 6350 pf @ 20 V | - | 2W (TA), 156W (TC) | ||||||||||
| TSM060NB06LCZ C0G | 4.1700 | | 1146 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | TSM060 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-TSM060NB06LCZC0G | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 60 V | 13a (TA), 111a (TC) | 4.5V, 10V | 6mohm @ 13a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 107 NC @ 10 V | ± 20V | 6273 pf @ 30 V | - | 2W (TA), 156W (TC) | ||||||||||
| TSM250NB06CV RGG | 1.5500 | | 10 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | TSM250 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-PDFN (3.15x3.1) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 60 V | 6a (TA), 28a (TC) | 7V, 10V | 25mohm @ 6a, 10v | 4V @ 250 µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 1440 pf @ 30 V | - | 1.9W (TA), 42W (TC) | |||||||||||
| TSM60NC165CI C0G | 9.1600 | | 4 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | TSM60 | Mosfet (Óxido de metal) | Ito-220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-TSM60NC165CIC0G | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 600 V | 24a (TC) | 10V | 165mohm @ 11.3a, 10v | 5V @ 1MA | 44 NC @ 10 V | ± 30V | 1857 pf @ 300 V | - | 89W (TC) | ||||||||||
| TSM055N03PQ56 | 0.7033 | | 5653 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | TSM055 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-PDFN (5x5.8) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-TSM055N03PQ56TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 30 V | 80a (TC) | 4.5V, 10V | 5.5mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 11.1 NC @ 4.5 V | ± 20V | 1160 pf @ 25 V | - | 74W (TC) | |||||||||||
| TSM043NB04LCZ | 1.7791 | | 7779 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | TSM043 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-TSM043NB04LCZ | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 40 V | 16a (TA), 124A (TC) | 4.5V, 10V | 4.3mohm @ 16a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 76 NC @ 10 V | ± 20V | 4387 pf @ 20 V | - | 2W (TA), 125W (TC) | |||||||||||
| TSM085NB03DCR | 0.9944 | | 8310 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | TSM085 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W (TA), 40W (TC) | 8-PDFNU (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-TSM085NB03DCRTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 12a (TA), 51A (TC) | 8.5mohm @ 12a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 20NC @ 10V | 1091pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||
| TSM70N900ci | 2.3232 | | 4666 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | TSM70 | Mosfet (Óxido de metal) | Ito-220 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-TSM70N900ci | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 700 V | 4.5A (TC) | 10V | 900mohm @ 1.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 9.7 NC @ 10 V | ± 30V | 482 pf @ 100 V | - | 20W (TC) | |||||||||||
| TSM60NB260ci | 4.2905 | | 8831 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | TSM60 | Mosfet (Óxido de metal) | Ito-220 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-TSM60NB260ci | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 600 V | 13a (TC) | 10V | 260mohm @ 3.9a, 10v | 4V @ 250 µA | 30 NC @ 10 V | ± 30V | 1273 pf @ 100 V | - | 32.1W (TC) | |||||||||||
| TSM089N08LCR | 2.1142 | | 5536 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | TSM089 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-PDFN (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-TSM089N08LCRTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 80 V | 12A (TA), 67A (TC) | 4.5V, 10V | 8.9mohm @ 12a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 90 NC @ 10 V | ± 20V | 6119 pf @ 40 V | - | 2.6W (TA), 83W (TC) |
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