SIC
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Transistores (3903)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C
IXFR32N100Q3 IXYS IXFR32N100Q3 44.7700
RFQ
 ECAD 9904 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Clase Q3 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IXFR32 Mosfet (Óxido de metal) Isoplus247 ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado -IXFR32N100Q3 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 1000 V 23a (TC) 10V 350mohm @ 16A, 10V 6.5V @ 8MA 195 NC @ 10 V ± 30V 9940 pf @ 25 V - 570W (TC)
IXTY02N50D IXYS Ixty02n50d 2.5100
RFQ
 ECAD 290 0.00000000 Ixys Agotamiento Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Ixty02 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 70 N-canal 500 V 200MA (TC) - 30OHM @ 50MA, 0V - ± 20V 120 pf @ 25 V MODO DE AGOTAMENTO 1.1W (TA), 25W (TC)
IXFA80N25X3 IXYS IXFA80N25X3 9.9500
RFQ
 ECAD 9977 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Ultra X3 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Ixfa80 Mosfet (Óxido de metal) TO-263 (D2PAK) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 250 V 80a (TC) 10V 16mohm @ 40a, 10v 4.5V @ 1.5MA 83 NC @ 10 V ± 20V 5430 pf @ 25 V - 390W (TC)
IXFX88N20Q IXYS IXFX88N20Q -
RFQ
 ECAD 7497 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Clase Q Caja Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Variatura a 247-3 Ixfx88 Mosfet (Óxido de metal) MÁS247 ™ -3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 200 V 88a (TC) 10V 30mohm @ 44a, 10V 4V @ 4MA 146 NC @ 10 V ± 30V 4150 pf @ 25 V - 500W (TC)
IXFK80N60P3 IXYS IXFK80N60P3 18.5800
RFQ
 ECAD 7938 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Polar3 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-264-3, TO-264AA IXFK80 Mosfet (Óxido de metal) TO-264AA (IXFK) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 600 V 80a (TC) 10V 70mohm @ 500 mA, 10V 5V @ 8MA 190 NC @ 10 V ± 30V 13100 pf @ 25 V - 1300W (TC)
IXFR130N65X3 IXYS IXFR130N65X3 40.3760
RFQ
 ECAD 3538 0.00000000 Ixys - Tubo Activo IXFR130 - 238-IXFR130N65X3 30
IXGT32N120A3-TRL IXYS IXGT32N120A3-TRL 6.3036
RFQ
 ECAD 6251 0.00000000 Ixys - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-268-3, D³PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Ixgt32 Estándar 300 W TO-268HV (IXGT) - 238-IXGT32N120A3-TRLTR EAR99 8541.29.0095 400 - PT 1200 V 75 A 230 A 2.35V @ 15V, 32a - 89 NC -
LSIC1MO120T0120-TU IXYS LSIC1MO120T0120-TU 11.4549
RFQ
 ECAD 5203 0.00000000 Ixys - Tubo Activo - Montaje en superficie TO-263-8, D²PAK (7 cables + Pestaña), TO-263CA LSIC1MO120 SIC (Transistor de Unión de CARBURO de Silicio) Un 263-7 descascar 238-LSIC1MO120T0120-TU EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 1200 V 27a (TC) - - - - - -
IXFK120N60X3 IXYS Ixfk120n60x3 20.9944
RFQ
 ECAD 9957 0.00000000 Ixys - Tubo Activo Ixfk120 - 238-IXFK120N60X3 25
IXFP20N60X3 IXYS IXFP20N60X3 4.6618
RFQ
 ECAD 2457 0.00000000 Ixys - Tubo Activo IXFP20 - 238-IXFP20N60X3 50
IXFH28N60X3 IXYS IXFH28N60X3 6.4620
RFQ
 ECAD 5346 0.00000000 Ixys - Tubo Activo IXFH28 - 238-IXFH28N60X3 30
IXFP18N65X3 IXYS IXFP18N65X3 5.0984
RFQ
 ECAD 7812 0.00000000 Ixys - Tubo Activo IXFP18 - 238-IXFP18N65X3 50
IXFK140N60X3 IXYS Ixfk140n60x3 26.1024
RFQ
 ECAD 2828 0.00000000 Ixys - Tubo Activo IXFK140 - 238-IXFK140N60X3 25
IXFX130N65X3 IXYS Ixfx130n65x3 27.1407
RFQ
 ECAD 2154 0.00000000 Ixys - Tubo Activo IXFX130 - 238-IXFX130N65X3 30
LSIC1MO120T0080-TU IXYS LSIC1MO120T0080-TU 15.9640
RFQ
 ECAD 8494 0.00000000 Ixys - Tubo Activo - Montaje en superficie TO-263-8, D²PAK (7 cables + Pestaña), TO-263CA LSIC1MO120 SIC (Transistor de Unión de CARBURO de Silicio) Un 263-7 descascar 238-LSIC1MO120T0080-TU EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 1200 V 39A (TC) - - - - - -
IXFK130N65X3 IXYS Ixfk130n65x3 27.1404
RFQ
 ECAD 8816 0.00000000 Ixys - Tubo Activo IXFK130 - 238-IXFK130N65X3 25
IXYH40N120C4H1 IXYS IXYH40N120C4H1 8.2350
RFQ
 ECAD 2271 0.00000000 Ixys - Tubo Activo Ixyh40 - 238-IXYH40N120C4H1 30
VMO440-02FL/13 IXYS VMO440-02FL/13 -
RFQ
 ECAD 3652 0.00000000 Ixys - Una granela Obsoleto VMO440 - 238-VMO440-02FL/13 Obsoleto 1
IXYL40N250CV1 IXYS Ixyl40n250cv1 87.6100
RFQ
 ECAD 1800 0.00000000 Ixys XPT ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Isoplusi5-pak ™ Ixyl40 Estándar 577 W Isoplusi5-pak ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 1250V, 40a, 1ohm, 15V 210 ns - 2500 V 70 A 400 A 4V @ 15V, 40A 11.7MJ (Encendido), 6.9mj (apaguado) 270 NC 21ns/200ns
IXFQ24N60X IXYS Ixfq24n60x 5.9610
RFQ
 ECAD 5349 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Ultra X Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Ixfq24 Mosfet (Óxido de metal) Un 3p descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 24a (TC) 10V 175mohm @ 12a, 10v 4.5V @ 2.5mA 47 NC @ 10 V ± 30V 1910 pf @ 25 V - 400W (TC)
IXTP230N075T2 IXYS Ixtp230n075t2 6.3900
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 Ixys Trencht2 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Ixtp230 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 75 V 230A (TC) 10V 4.2mohm @ 50A, 10V 4V @ 250 µA 178 NC @ 10 V ± 20V 10500 pf @ 25 V - 480W (TC)
IXFN27N80Q IXYS IXFN27N80Q -
RFQ
 ECAD 6167 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Clase Q Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita Ixfn27 Mosfet (Óxido de metal) Sot-227b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 N-canal 800 V 27a (TC) 10V 320mohm @ 500 mA, 10V 4.5V @ 4MA 170 NC @ 10 V ± 20V 7600 pf @ 25 V - 520W (TC)
IXFT10N100 IXYS Ixft10n100 -
RFQ
 ECAD 7596 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-268-3, D³PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Ixft10 Mosfet (Óxido de metal) Un 268AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 1000 V 10a (TC) 10V 1.2ohm @ 5a, 10v 4.5V @ 4MA 155 NC @ 10 V ± 20V 4000 pf @ 25 V - 300W (TC)
IXFK32N60 IXYS Ixfk32n60 -
RFQ
 ECAD 2082 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-264-3, TO-264AA IXFK32 Mosfet (Óxido de metal) TO-264AA (IXFK) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 600 V 32A (TC) 10V 250mohm @ 500 mA, 10V 4.5V @ 8MA 325 NC @ 10 V ± 20V 9000 pf @ 25 V - 500W (TC)
IXFN150N65X2 IXYS Ixfn150n65x2 48.0800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Ultra X2 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita Ixfn150 Mosfet (Óxido de metal) Sot-227b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 N-canal 650 V 145A (TC) 10V 17mohm @ 75a, 10v 5V @ 8MA 355 NC @ 10 V ± 30V 21000 pf @ 25 V - 1040W (TC)
IXTH86N20T IXYS IXTH86N20T 6.4897
RFQ
 ECAD 1635 0.00000000 Ixys Zanja Tubo Activo - A Través del Aguetero TO-247-3 IXTH86 Mosfet (Óxido de metal) TO-247 (IXTH) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 200 V 86a (TC) - - - -
IXTK200N10L2 IXYS Ixtk200n10l2 38.7700
RFQ
 ECAD 240 0.00000000 Ixys Linear L2 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-264-3, TO-264AA Ixtk200 Mosfet (Óxido de metal) To-264 (ixtk) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Q7017004 EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 100 V 200a (TC) 10V 11mohm @ 100a, 10v 4.5V @ 3MA 540 NC @ 10 V ± 20V 23000 pf @ 25 V - 1040W (TC)
IXFT30N50 IXYS Ixft30n50 -
RFQ
 ECAD 5749 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-268-3, D³PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Ixft30 Mosfet (Óxido de metal) Un 268AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 500 V 30A (TC) 10V 160mohm @ 15a, 10v 4V @ 4MA 300 NC @ 10 V ± 20V 5700 pf @ 25 V - 360W (TC)
IXFN52N100X IXYS IXFN52N100X 55.9400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Ultra X Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita IXFN52 Mosfet (Óxido de metal) Sot-227b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 N-canal 1000 V 44a (TC) 10V 125mohm @ 26a, 10v 6V @ 4MA 245 NC @ 10 V ± 30V 6725 pf @ 25 V - 830W (TC)
IXTY1R4N60P IXYS Ixty1r4n60p -
RFQ
 ECAD 2695 0.00000000 Ixys Polarhv ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Ixty1 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 70 N-canal 600 V 1.4a (TC) 10V 9ohm @ 700 mA, 10V 5.5V @ 25 µA 5.2 NC @ 10 V ± 30V 140 pf @ 25 V - 50W (TC)
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    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

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    2800+

    Fabricantes mundiales

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