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Transistores (5716)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SQ4840EY-T1_BE3 | 3.3100 |  | 5093 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Sq4840 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 40 V | 20.7a (TC) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 14a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 62 NC @ 10 V | ± 20V | 2440 pf @ 20 V | - | 7.1W (TC) | |||||
 | SQ3419EV-T1_BE3 | 0.6900 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | SQ3419 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 40 V | 6.9a (TC) | 4.5V, 10V | 58mohm @ 2.5a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 11.3 NC @ 4.5 V | ± 20V | 990 pf @ 20 V | - | 5W (TC) | |||||
 | IRFL9110TRPBF-BE3 | 0.8800 | | 1456 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Irfl9110 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-223 | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 100 V | 1.1a (TC) | 10V | 1.2ohm @ 660ma, 10v | 4V @ 250 µA | 8.7 NC @ 10 V | ± 20V | 200 pf @ 25 V | - | 2W (TA), 3.1W (TC) | |||||
 | Sq7415aen-t1_be3 | - | | 9246 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Sq7415 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 60 V | 16a (TC) | 4.5V, 10V | 65mohm @ 5.7a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 1385 pf @ 25 V | - | 53W (TC) | ||||||
| SQ4435EY-T1_BE3 | 1.4400 | | 8199 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | SQ4435 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SQ4435EY-T1_BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 15A (TC) | 4.5V, 10V | 18mohm @ 8a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 58 NC @ 10 V | ± 20V | 2170 pf @ 15 V | - | 6.8W (TC) | ||||
| Sqs401en-t1_be3 | 0.9400 | | 21 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | SQS401 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 40 V | 16a (TC) | 4.5V, 10V | 29mohm @ 12a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 21.2 NC @ 4.5 V | ± 20V | 1875 pf @ 20 V | - | 62.5W (TC) | |||||
| Sq4005ey-t1_be3 | 1.0100 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | SQ4005 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SQ4005EY-T1_BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 12 V | 15A (TC) | 2.5V, 4.5V | 22mohm @ 13.5a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 38 NC @ 4.5 V | ± 8V | 3600 pf @ 6 V | - | 6W (TC) | ||||
| Sq9945bey-t1_be3 | 1.1100 | | 8725 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | SQ9945 | Mosfet (Óxido de metal) | 4W (TC) | 8-Soico | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 5.4a (TC) | 64mohm @ 3.4a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 12NC @ 10V | 470pf @ 25V | - | |||||||
| Sq4282ey-t1_be3 | 1.5100 | | 92 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Sq4282 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.9W (TC) | 8-Soico | descascar | 1 (ilimitado) | 742-sq4282ey-t1_be3tr | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 8a (TC) | 12.3mohm @ 15a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 47nc @ 10V | 2367pf @ 15V | - | ||||||
 | Sqj951ep-t1_be3 | 1.6100 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | SQJ951 | Mosfet (Óxido de metal) | 56W (TC) | Powerpak® SO-8 Dual | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 30V | 30A (TC) | 17mohm @ 7.5a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 50nc @ 10V | 1680pf @ 10V | - | ||||||
 | SQ2351ES-T1_BE3 | 0.6000 | | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | SQ2351 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SQ2351ES-T1_BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 3.2a (TC) | 2.5V, 4.5V | 115mohm @ 2.4a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 5.5 NC @ 4.5 V | ± 12V | 330 pf @ 10 V | - | 2W (TC) | ||||
| SQ3427AEEV-T1_BE3 | 0.7800 | | 812 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | SQ3427 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 60 V | 5.3a (TC) | 4.5V, 10V | 95mohm @ 4.5a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 1000 pf @ 30 V | - | 5W (TC) | |||||
| SI3430DV-T1-BE3 | 1.2500 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | SI3430 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 1.8a (TA) | 6V, 10V | 170mohm @ 2.4a, 10v | 4.2V @ 250 µA | 8.2 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.14W (TA) | ||||||
 | Sir150DP-T1-RE3 | 0.8800 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir150 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 45 V | 30.9A (TA), 110A (TC) | 4.5V, 10V | 2.71mohm @ 15a, 10v | 2.3V @ 250 µA | 70 NC @ 10 V | +20V, -16V | 4000 pf @ 20 V | - | 5.2W (TA), 65.7W (TC) | |||||
 | SQS423ENW-T1_GE3 | - | | 6729 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8W | SQS423 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8W | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SQS423ENW-T1_GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 16a (TC) | 4.5V, 10V | 21mohm @ 12a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 26 NC @ 4.5 V | ± 20V | 1975 pf @ 15 V | - | 62.5W (TC) | |||
 | SiHG039N60EF-GE3 | 12.4500 | | 5096 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Sihg039 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2266-SiHG039N60EF-GE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 V | 61a (TC) | 10V | 40mohm @ 32a, 10V | 5V @ 250 µA | 126 NC @ 10 V | ± 30V | 4323 pf @ 100 V | - | 357W (TC) | |||
| SiHW21N80AE-GE3 | 4.7800 | | 3139 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | SiHW21 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 247ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2266-SiHW21N80AE-GE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 800 V | 17.4a (TC) | 10V | 235mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 72 NC @ 10 V | ± 30V | 1388 pf @ 100 V | - | 32W (TC) | |||
| SIZF918DT-T1-GE3 | 1.5900 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | Sizf918 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.4W (TA), 26.6W (TC), 3.7W (TA), 50W (TC) | 8PowerPair® (6x5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2-canal (dual), Schottky | 30V | 23a (TA), 40a (TC), 35A (TA), 60A (TC) | 4mohm @ 10a, 10v, 1.9mohm @ 10a, 10v | 2.4V @ 250 µA, 2.3V @ 250 µA | 22nc @ 10V, 56nc @ 10V | 1060pf @ 15V, 2650pf @ 15V | - | ||||||
| Sir164Adp-T1-GE3 | 1.0700 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir164 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 35.9a (TA), 40a (TC) | 4.5V, 10V | 2.2mohm @ 15a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 77 NC @ 10 V | +20V, -16V | 3595 pf @ 15 V | - | 5W (TA), 62.5W (TC) | ||||
 | SiHD3N50DT4-GE3 | 0.3563 | | 8362 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | D | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | SiHD3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 500 V | 3A (TC) | 10V | 3.2ohm @ 1.5a, 10V | 5V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 30V | 175 pf @ 100 V | - | 69W (TC) | ||||
| SiHFL110TR-GE3 | 0.6300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Sihfl110 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-223 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 V | 1.5a (TC) | 10V | 540mohm @ 900 mA, 10V | 4V @ 250 µA | 8.3 NC @ 10 V | ± 20V | 180 pf @ 25 V | - | 2W (TA), 3.1W (TC) | ||||
 | SiHB6N80E-GE3 | 1.3550 | | 1217 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SiHB6 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 800 V | 5.4a (TC) | 10V | 940mohm @ 3a, 10v | 4V @ 250 µA | 44 NC @ 10 V | ± 30V | 827 pf @ 100 V | - | 78W (TC) | ||||
| SiHFZ48S-GE3 | 1.0810 | | 4427 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sihfz48 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 60 V | 50A (TC) | 10V | 18mohm @ 43a, 10v | 4V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 2400 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 190W (TC) | ||||
| SiHF530Strl-Ge3 | 1.0700 | | 800 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SIHF530 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 V | 14a (TC) | 10V | 160mohm @ 8.4a, 10v | 4V @ 250 µA | 26 NC @ 10 V | ± 20V | 670 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 88W (TC) | ||||
| SiHG47N60AEF-GE3 | 8.7500 | | 2163 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Sihg47 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 600 V | 40A (TC) | 10V | 70mohm @ 23.5a, 10v | 4V @ 250 µA | 189 NC @ 10 V | ± 30V | 3576 pf @ 100 V | - | 313W (TC) | ||||
 | SIA483ADJ-T1-GE3 | 0.5300 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | SIA483 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 10.6a (TA), 12a (TC) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 5a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 26 NC @ 10 V | +16V, -20V | 950 pf @ 15 V | - | 3.4W (TA), 17.9W (TC) | ||||
| Siha690n60e-ge3 | 0.9150 | | 4904 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Siha690 | Mosfet (Óxido de metal) | Paquete entero de 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 4.3a (TC) | 10V | 700mohm @ 2a, 10v | 5V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 30V | 347 pf @ 100 V | - | 29W (TC) | ||||
 | Siha186n60ef-ge3 | 2.8600 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Siha186 | Mosfet (Óxido de metal) | Paquete entero de 220 | descascar | 1 (ilimitado) | 742-Siha186n60ef-ge3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 8.4a (TC) | 10V | 193mohm @ 9.5a, 10v | 5V @ 250 µA | 32 NC @ 10 V | ± 30V | 1081 pf @ 100 V | - | 156W (TC) | ||||
 | SIHB186N60EF-GE3 | 2.9600 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SiHB186 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SiHB186N60EF-GE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 8.4a (TC) | 10V | 193mohm @ 9.5a, 10v | 5V @ 250 µA | 32 NC @ 10 V | ± 30V | 1081 pf @ 100 V | - | 156W (TC) | ||||
 | SiHH240N60E-T1-GE3 | 2.8000 | | 38 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Sihh240 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 8 x 8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SiHH240N60E-T1-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 600 V | 12a (TC) | 10V | 240mohm @ 5.5a, 10V | 5V @ 250 µA | 23 NC @ 10 V | ± 30V | 783 pf @ 100 V | - | 89W (TC) |
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