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Transistores (5716)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) | Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI2316DS-T1-GE3 | 0.2741 |  | 2054 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2316 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 2.9a (TA) | 4.5V, 10V | 50mohm @ 3.4a, 10V | 800MV @ 250 µA (min) | 7 NC @ 10 V | ± 20V | 215 pf @ 15 V | - | 700MW (TA) | |||||||
 | IRL630StrrPBF | 2.6300 | | 4300 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRL630 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 200 V | 9A (TC) | 4V, 5V | 400mohm @ 5.4a, 5V | 2V @ 250 µA | 40 NC @ 10 V | ± 10V | 1100 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 74W (TC) | ||||||||
 | SUD45P03-15-E3 | - | | 5830 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud45 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | Canal P | 30 V | 13a (TA) | 4.5V, 10V | 15mohm @ 13a, 10v | 1V @ 250 µA (min) | 125 NC @ 10 V | ± 20V | 3200 pf @ 25 V | - | 4W (TA), 70W (TC) | |||||||
 | SI7459DP-T1-GE3 | - | | 4915 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7459 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 13a (TA) | 10V | 6.8mohm @ 22a, 10v | 3V @ 250 µA | 170 NC @ 10 V | ± 25V | - | 1.9W (TA) | ||||||||
 | Sum40012el-ge3 | 2.7300 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sum40012 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 40 V | 150A (TC) | 4.5V, 10V | 1.67mohm @ 30a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 195 NC @ 10 V | ± 20V | 10930 pf @ 20 V | - | 150W (TC) | ||||||||
 | SIS780DN-T1-GE3 | 0.6800 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | SIS780 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 18a (TC) | 4.5V, 10V | 13.5mohm @ 15a, 10v | 2.3V @ 250 µA | 24.5 NC @ 10 V | ± 20V | 722 pf @ 15 V | Diodo Schottky (Cuerpo) | 27.7W (TC) | |||||||||
 | SI1473DH-T1-GE3 | - | | 9268 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1473 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 2.7a (TC) | 4.5V, 10V | 100mohm @ 2a, 10v | 3V @ 250 µA | 6.2 NC @ 4.5 V | ± 20V | 365 pf @ 15 V | - | 1.5W (TA), 2.78W (TC) | |||||||
| IRF9Z24StrlPBF | 1.3028 | | 9028 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF9Z24 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 60 V | 11a (TC) | 10V | 280mohm @ 6.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 570 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 60W (TC) | ||||||||
 | IRFR020PBF | - | | 6937 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR020 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 14a (TC) | 10V | 100mohm @ 8.4a, 10V | 4V @ 250 µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 640 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||||
 | SI7718DN-T1-GE3 | - | | 2744 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7718 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 6mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 45 NC @ 10 V | ± 20V | 1600 pf @ 15 V | - | 3.7W (TA), 52W (TC) | |||||||
 | SIDR392DP-T1-GE3 | 2.7200 | | 17 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | SIDR392 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8DC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 82a (TA), 100A (TC) | 4.5V, 10V | 0.62mohm @ 20a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 188 NC @ 10 V | +20V, -16V | 9530 pf @ 15 V | - | 6.25W (TA), 125W (TC) | ||||||||
 | SiHA12N50E-E3 | 1.8900 | | 8336 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Siha12 | Mosfet (Óxido de metal) | Paquete entero de 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 500 V | 10.5a (TC) | 10V | 380mohm @ 6a, 10v | 4V @ 250 µA | 50 NC @ 10 V | ± 30V | 886 pf @ 100 V | - | 32W (TC) | ||||||||
| SI7402DN-T1-GE3 | - | | 2409 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7402 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 12 V | 13a (TA) | 1.8V, 4.5V | 5.7mohm @ 20a, 4.5V | 850MV @ 250 µA | 55 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 1.5W (TA) | ||||||||
 | SI4398DY-T1-GE3 | - | | 3490 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4398 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 20 V | 19a (TA) | 4.5V, 10V | 2.8mohm @ 25A, 10V | 3V @ 250 µA | 50 NC @ 4.5 V | ± 20V | 5620 pf @ 10 V | - | 1.6w (TA) | |||||||
| SQ2319ADS-T1_GE3 | 0.6900 | | 3532 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | SQ2319 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 40 V | 4.6a (TC) | 4.5V, 10V | 75mohm @ 3a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 16 NC @ 10 V | ± 20V | 620 pf @ 20 V | - | 2.5W (TC) | ||||||||
 | Irfpg40pbf | 5.7000 | | 68 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFPG40 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfpg40pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 1000 V | 4.3a (TC) | 10V | 3.5ohm @ 2.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 120 NC @ 10 V | ± 20V | 1600 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||||||
| SUD50P04-09L-E3 | 2.6600 | | 10 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud50 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | Canal P | 40 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 9.4mohm @ 24a, 10v | 3V @ 250 µA | 150 NC @ 10 V | ± 20V | 4800 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 136W (TC) | ||||||||
| SiHG61N65EF-GE3 | 9.2872 | | 5411 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Sihg61 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 650 V | 64a (TC) | 10V | 47mohm @ 30.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 371 NC @ 10 V | ± 30V | 7407 pf @ 100 V | - | 520W (TC) | ||||||||
 | Irfl9110 | - | | 6807 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Irfl9110 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-223 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfl9110 | EAR99 | 8541.29.0095 | 80 | Canal P | 100 V | 1.1a (TC) | 10V | 1.2ohm @ 660ma, 10v | 4V @ 250 µA | 8.7 NC @ 10 V | ± 20V | 200 pf @ 25 V | - | 2W (TA), 3.1W (TC) | ||||||
| SIHB12N60ET5-GE3 | 1.2311 | | 2141 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SiHB12 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 600 V | 12a (TC) | 10V | 380mohm @ 6a, 10v | 4V @ 250 µA | 58 NC @ 10 V | ± 30V | 937 pf @ 100 V | - | 147W (TC) | |||||||||
| Si4933dy-t1-ge3 | - | | 1767 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4933 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.1w | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Dual) | 12V | 7.4a | 14mohm @ 9.8a, 4.5V | 1V @ 500 µA | 70NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||
 | SQJ402EP-T1_GE3 | 1.5900 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sqj402 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 32A (TC) | 4.5V, 10V | 11mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 51 NC @ 10 V | ± 20V | 2289 pf @ 40 V | - | 83W (TC) | ||||||||
 | SiJH440E-T1-GE3 | 1.2191 | | 6305 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 8 x 8 | SiJH440 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 8 x 8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 40 V | 200a (TC) | 4.5V, 10V | 0.96mohm @ 20a, 10v | 2.3V @ 250 µA | 195 NC @ 4.5 V | +20V, -16V | 20330 pf @ 20 V | - | 158W (TC) | ||||||||
 | SiJ482DP-T1-GE3 | 1.8000 | | 1441 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | SiJ482 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 80 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 6.2mohm @ 20a, 10v | 2.7V @ 250 µA | 71 NC @ 10 V | ± 20V | 2425 pf @ 40 V | - | 5W (TA), 69.4W (TC) | ||||||||
| SUM110N04-2M3L-E3 | - | | 2246 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sum110 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 40 V | 110A (TC) | 4.5V, 10V | 2.3mohm @ 30a, 10v | 3V @ 250 µA | 360 NC @ 10 V | ± 20V | 13600 pf @ 25 V | - | 3.75W (TA), 375W (TC) | |||||||
 | IRFU9024 | - | | 9072 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | IRFU9 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFU9024 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal P | 60 V | 8.8a (TC) | 10V | 280mohm @ 5.3a, 10V | 4V @ 250 µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 570 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||||
 | IRFBC30A | - | | 9426 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRFBC30 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFBC30A | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 3.6a (TC) | 10V | 2.2ohm @ 2.2a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 23 NC @ 10 V | ± 30V | 510 pf @ 25 V | - | 74W (TC) | ||||||
| SST5461-T1-E3 | - | | 1768 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | SST5461 | 350 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 7pf @ 15V | 40 V | 2 Ma @ 15 V | 1 V @ 1 µA | |||||||||||||
| Si4409dy-t1-ge3 | - | | 8217 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4409 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 150 V | 1.3a (TC) | 6V, 10V | 1.2ohm @ 500 mA, 10V | 4V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 332 pf @ 50 V | - | 2.2W (TA), 4.6W (TC) | |||||||
| Irf840strl | - | | 4531 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF840 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 500 V | 8a (TC) | 10V | 850mohm @ 4.8a, 10V | 4V @ 250 µA | 63 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 125W (TC) |
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