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Transistores (5716)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI3443BDV-T1-GE3 | 0.2588 |  | 4809 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3443 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 3.6a (TA) | 2.5V, 4.5V | 60mohm @ 4.7a, 4.5V | 1.4V @ 250 µA | 9 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 1.1W (TA) | ||||||
| SI3447CDV-T1-GE3 | - | | 8328 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3447 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 7.8a (TC) | 1.8V, 4.5V | 36mohm @ 6.3a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 30 NC @ 8 V | ± 8V | 910 pf @ 6 V | - | 2W (TA), 3W (TC) | |||||
 | SIA419DJ-T1-GE3 | - | | 2404 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | SIA419 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 12a (TC) | 1.2V, 4.5V | 30mohm @ 5.9a, 4.5V | 850MV @ 250 µA | 29 NC @ 5 V | ± 5V | 1500 pf @ 10 V | - | 3.5W (TA), 19W (TC) | ||||
 | SI7145DP-T1-GE3 | 2.2900 | | 53 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7145 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 2.6mohm @ 25A, 10V | 2.3V @ 250 µA | 413 NC @ 10 V | ± 20V | 15660 pf @ 15 V | - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
 | Irfz14strl | - | | 3531 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRFZ14 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 60 V | 10a (TC) | 10V | 200mohm @ 6a, 10v | 4V @ 250 µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 300 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 43W (TC) | ||||
 | SI7964DP-T1-E3 | - | | 3245 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Si7964 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.4w | Powerpak® SO-8 Dual | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 6.1a | 23mohm @ 9.6a, 10V | 4.5V @ 250 µA | 65nc @ 10V | - | - | ||||||
 | SQD40131EL_GE3 | 1.3500 | | 6953 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | SQD40131 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | Canal P | 40 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 11.5mohm @ 30a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 115 NC @ 10 V | ± 20V | 6600 pf @ 25 V | - | 62W (TC) | |||||
 | SI1471DH-T1-E3 | - | | 2677 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1471 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 2.7a (TC) | 2.5V, 10V | 100mohm @ 2a, 10v | 1.6V @ 250 µA | 9.8 NC @ 4.5 V | ± 12V | 445 pf @ 15 V | - | 1.5W (TA), 2.78W (TC) | ||||
 | SI5511DC-T1-E3 | - | | 9656 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | SI5511 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.1W, 2.6W | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 30V | 4a, 3.6a | 55mohm @ 4.8a, 4.5V | 2V @ 250 µA | 7.1NC @ 5V | 435pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | Si4330dy-t1-e3 | - | | 4591 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | SI4330 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.1w | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 6.6a | 16.5mohm @ 8.7a, 10v | 3V @ 250 µA | 20NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | Sud50n06-07L-Ge3 | - | | 2117 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud50 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 60 V | 96a (TC) | 4.5V, 10V | 7.4mohm @ 20a, 10v | 3V @ 250 µA | 144 NC @ 10 V | ± 20V | 5800 pf @ 25 V | - | 136W (TC) | ||||
 | SI6973DQ-T1-E3 | - | | 9141 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Si6973 | Mosfet (Óxido de metal) | 830MW | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 4.1a | 30mohm @ 4.8a, 4.5V | 450MV @ 250 µA (min) | 30NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | SIE804DF-T1-GE3 | - | | 2188 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 10-polarpak® (LH) | SIE804 | Mosfet (Óxido de metal) | 10-polarpak® (LH) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 150 V | 37a (TC) | 6V, 10V | 38mohm @ 7.6a, 10v | 3V @ 250 µA | 105 NC @ 10 V | ± 20V | 3000 pf @ 50 V | - | 5.2W (TA), 125W (TC) | ||||
| Sq3442ev-t1-ge3 | - | | 8047 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Sq3442 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 4.3a (TC) | 55mohm @ 4a, 4.5V | 1.6V @ 250 µA | 5.5 NC @ 4.5 V | 405 pf @ 10 V | - | ||||||||
 | Irf9610pbf | 1.6700 | | 12 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF9610 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irf9610pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 200 V | 1.8a (TC) | 10V | 3ohm @ 900 mA, 10V | 4V @ 250 µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 170 pf @ 25 V | - | 20W (TC) | ||||
| Sir826bdp-T1-RE3 | 1.6600 | | 7042 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir826 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 80 V | 19.8a (TA), 80.8a (TC) | 7.5V, 10V | 5.1mohm @ 15a, 10v | 3.8V @ 250 µA | 69 NC @ 10 V | ± 20V | 3030 pf @ 40 V | - | 5W (TA), 83W (TC) | |||||
 | SI7812DN-T1-GE3 | 2.0800 | | 58 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7812 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 75 V | 16a (TC) | 4.5V, 10V | 37mohm @ 7.2a, 10V | 3V @ 250 µA | 24 NC @ 10 V | ± 20V | 840 pf @ 35 V | - | 3.8W (TA), 52W (TC) | |||||
| SIA421DJ-T1-GE3 | 1.0000 | | 53 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | SIA421 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 12a (TC) | 4.5V, 10V | 35mohm @ 5.3a, 10V | 3V @ 250 µA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 950 pf @ 15 V | - | 3.5W (TA), 19W (TC) | |||||
| SI4463BDY-T1-GE3 | 1.6000 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4463 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 20 V | 9.8a (TA) | 2.5V, 10V | 11mohm @ 13.7a, 10v | 1.4V @ 250 µA | 56 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 1.5W (TA) | ||||||
| Sir872dp-t1-ge3 | 2.8600 | | 6287 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir872 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 150 V | 53.7a (TC) | 10V | 18mohm @ 20a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 64 NC @ 10 V | ± 20V | 2130 pf @ 75 V | - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
 | SI8489EDB-T2-E1 | 0.4700 | | 135 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-UFBGA | Si8489 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-microfoot | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 3.06a (TA) | 2.5V, 10V | 44mohm @ 1.5a, 10V | 1.2V @ 250 µA | 27 NC @ 10 V | ± 12V | 765 pf @ 10 V | - | 780MW (TA), 1.8W (TC) | ||||
 | SIDR668DP-T1-GE3 | 2.9300 | | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | SIDR668 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8DC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 23.2a (TA), 95A (TC) | 7.5V, 10V | 4.8mohm @ 20a, 10v | 3.4V @ 250 µA | 108 NC @ 10 V | ± 20V | 5400 pf @ 50 V | - | 6.25W (TA), 125W (TC) | |||||
| SI6955AdQ-T1-E3 | - | | 5918 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Si6955 | Mosfet (Óxido de metal) | 830MW | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 30V | 2.5a | 80mohm @ 2.9a, 10v | 1V @ 250 µA (min) | 8NC @ 5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
| IRFBC40 | - | | 2536 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRFBC40 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFBC40 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 6.2a (TC) | 10V | 1.2ohm @ 3.7a, 10v | 4V @ 250 µA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | |||
| IRF720StrrPBF | 1.1558 | | 2676 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF720 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 400 V | 3.3a (TC) | 10V | 1.8ohm @ 2a, 10v | 4V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 410 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 50W (TC) | |||||
| SIE830DF-T1-E3 | - | | 9644 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | WFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 10-polarpak® (s) | SIE830 | Mosfet (Óxido de metal) | 10-polarpak® (s) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 4.2mohm @ 16a, 10v | 2V @ 250 µA | 115 NC @ 10 V | ± 12V | 5500 pf @ 15 V | - | 5.2W (TA), 104W (TC) | ||||
 | SiJ420DP-T1-GE3 | - | | 2145 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | SiJ420 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 2.6mohm @ 15a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 90 NC @ 10 V | ± 20V | 3630 pf @ 10 V | - | 4.8W (TA), 62.5W (TC) | |||||
| SI1563DH-T1-E3 | - | | 3040 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1563 | Mosfet (Óxido de metal) | 570MW | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 20V | 1.13a, 880 mA | 280mohm @ 1.13a, 4.5V | 1V @ 100 µA | 2NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
| Sqja04ep-t1_ge3 | 1.3100 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sqja04 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 75A (TC) | 10V | 6.2mohm @ 10a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 55 NC @ 10 V | ± 20V | 3500 pf @ 25 V | - | 68W (TC) | ||||||
| SI4874BDY-T1-GE3 | 0.9497 | | 1976 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4874 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 12a (TA) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 16a, 10v | 3V @ 250 µA | 25 NC @ 4.5 V | ± 20V | 3230 pf @ 15 V | - | 1.6w (TA) |
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