- RFQ
- Proseperar
- Contáctenos
Tel: +86-0755-83501315
Correo electrónico:sales@sic-components.com
- Chino
- Inglés
- Francés
- Alemán
- portugués
- Español
- ruso
- japonés
- coreano
- árabe
- irlandés
- Griego
- turco
- italiano
- danés
- rumano
- indonesio
- checo
- africaans
- sueco
- Polaco
- vasco
- catalán
- esperanto
- hindi
- Lao
- albanés
- Amárico
- armenio
- Azerbaiyano
- Bielorruso
- bengalí
- bosnio
- búlgaro
- Cebuano
- Chichewa
- corso
- croata
- Holandés
- Estoniano
- Filipino
- finlandés
- frisio
- gallego
- georgiano
- Gujarati
- haitiano
- Hausa
- hawaiano
- hebreo
- Hmong
- húngaro
- islandés
- Igbo
- javanés
- Kannada
- Kazáceo
- Jemer
- kurdo
- Kirguistán
- latín
- letón
- lituano
- Luxembou ..
- macedónio
- madagascarí
- malayo
- Malayalam
- maltés
- maorí
- Marathi
- mongol
- birmano
- Nepalí
- noruego
- Pashto
- persa
- punjabi
- serbio
- Sesotho
- Sinhala
- eslovaco
- esloveno
- somalí
- Samoo
- Escocés gaélico
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- swahili
- Tayiko
- Tamil
- Telugu
- tailandés
- ucranio
- Urdu
- Uzbek
- vietnamita
- galés
- Xhosa
- yídish
- Yoruba
- zulú
- Kinyarwanda
- Tártaro
- Oriya
- Turco
- Uigur
Transistores (5716)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFBF30SPBF | - |  | 5195 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Irfbf30 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfbf30spbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 900 V | 3.6a (TC) | 10V | 3.7ohm @ 2.2a, 10V | 4V @ 250 µA | 78 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | |||
 | SI7997DP-T1-GE3 | 2.2000 | | 17 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Si7997 | Mosfet (Óxido de metal) | 46W | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 30V | 60A | 5.5mohm @ 20a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 160NC @ 10V | 6200pf @ 15V | - | |||||||
 | IRFR9010TRLPBF | 0.6468 | | 5029 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR9010 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 50 V | 5.3a (TC) | 10V | 500mohm @ 2.8a, 10V | 4V @ 250 µA | 9.1 NC @ 10 V | ± 20V | 240 pf @ 25 V | - | 25W (TC) | |||||
 | IRFP440 | - | | 2752 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFP440 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFP440 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 500 V | 8.8a (TC) | 10V | 850mohm @ 5.3a, 10V | 4V @ 250 µA | 63 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||
 | Si4396dy-t1-e3 | - | | 2864 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4396 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 16a (TC) | 4.5V, 10V | 11.5mohm @ 10a, 10v | 2.6V @ 250 µA | 45 NC @ 10 V | ± 20V | 1675 pf @ 15 V | - | 3.1W (TA), 5.4W (TC) | ||||
 | SI7856AdP-T1-GE3 | - | | 3041 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7856 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 15a (TA) | 4.5V, 10V | 3.7mohm @ 25A, 10V | 3V @ 250 µA | 55 NC @ 4.5 V | ± 20V | - | 1.9W (TA) | |||||
 | SUD15N15-95-BE3 | 2.2000 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud15 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SUD15N15-95-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 150 V | 15A (TC) | 6V, 10V | 95mohm @ 15a, 10v | 2V @ 250 µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 900 pf @ 25 V | - | 2.7W (TA), 62W (TC) | |||||
 | SQM47N10-24L_GE3 | 2.3700 | | 800 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sqm47 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 V | 47a (TC) | 4.5V, 10V | 24mohm @ 40a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 72 NC @ 10 V | ± 20V | 3620 pf @ 25 V | - | 136W (TC) | |||||
 | SI3407DV-T1-BE3 | 0.5100 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3407 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 7.5a (TA), 8a (TC) | 2.5V, 4.5V | 24mohm @ 7.5a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 63 NC @ 10 V | ± 12V | 1670 pf @ 10 V | - | 2W (TA), 4.2W (TC) | ||||||
| IRLZ44S | - | | 2734 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRLZ44 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRLZ44S | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 V | 50A (TC) | 4V, 5V | 28mohm @ 31a, 5V | 2V @ 250 µA | 66 NC @ 5 V | ± 10V | 3300 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 150W (TC) | |||
 | 2N6660JTVP02 | - | | 7427 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 2N6660 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-205Ad (TO-39) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 20 | N-canal | 60 V | 990MA (TC) | 5V, 10V | 3ohm @ 1a, 10v | 2v @ 1 mapa | ± 20V | 50 pf @ 25 V | - | 725MW (TA), 6.25W (TC) | |||||
| Si4483yed-T1-E3 | - | | 9257 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4483 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 10a (TA) | 4.5V, 10V | 8.5mohm @ 14a, 10v | 3V @ 250 µA | ± 25V | - | 1.5W (TA) | ||||||
| IRFR9220TRPBF | 1.0490 | | 6008 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR9220 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 200 V | 3.6a (TC) | 10V | 1.5ohm @ 2.2a, 10v | 4V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 340 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
 | IRFU310 | - | | 3673 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | IRFU3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfu310 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 400 V | 1.7a (TC) | 10V | 3.6ohm @ 1a, 10v | 4V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 170 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||
 | Irfd9024pbf | 1.6700 | | 31 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Irfd9024 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-hvmdip | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfd9024pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 60 V | 1.6a (TA) | 10V | 280MOHM @ 960MA, 10V | 4V @ 250 µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 570 pf @ 25 V | - | 1.3W (TA) | ||||
| Si4423dy-t1-e3 | 2.6600 | | 102 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4423 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 20 V | 10a (TA) | 1.8V, 4.5V | 7.5mohm @ 14a, 4.5V | 900mv @ 600 µA | 175 NC @ 5 V | ± 8V | - | 1.5W (TA) | ||||||
 | IRC840PBF | - | | 5093 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-5 | IRC840 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRC840PBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 V | 8a (TC) | 10V | 850mohm @ 4.8a, 10V | 4V @ 250 µA | 67 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | Detección real | 125W (TC) | |||
| SIHD180N60E-GE3 | 2.8700 | | 8016 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | SiHD180 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 600 V | 19a (TC) | 10V | 195mohm @ 9.5a, 10V | 5V @ 250 µA | 32 NC @ 10 V | ± 30V | 1080 pf @ 100 V | - | 156W (TC) | |||||
| SI7460DP-T1-GE3 | 2.2000 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7460 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 11a (TA) | 4.5V, 10V | 9.6mohm @ 18a, 10v | 3V @ 250 µA | 100 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.9W (TA) | ||||||
 | IRF634NLPBF | - | | 8780 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IRF634 | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irf634nlpbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 250 V | 8a (TC) | 10V | 435mohm @ 4.8a, 10v | 4V @ 250 µA | 34 NC @ 10 V | ± 20V | 620 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 88W (TC) | |||
| Irfd9220 | - | | 6095 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Irfd9220 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-hvmdip | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfd9220 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 200 V | 560MA (TA) | 10V | 1.5ohm @ 340mA, 10V | 4V @ 250 µA | 15 NC @ 10 V | ± 20V | 340 pf @ 25 V | - | 1W (TA) | |||
 | SI5504BDC-T1-GE3 | 1.0000 | | 48 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Si5504 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.12W, 3.1W | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 30V | 4a, 3.7a | 65mohm @ 3.1a, 10V | 3V @ 250 µA | 7NC @ 10V | 220pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
| Sir688dp-t1-ge3 | 2.0000 | | 8120 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir688 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 3.5mohm @ 20a, 10v | 2.7V @ 250 µA | 66 NC @ 10 V | ± 20V | 3105 pf @ 30 V | - | 5.4W (TA), 83W (TC) | |||||
| IRFP27N60KPBF | 9.8100 | | 7 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFP27 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *IRFP27N60KPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 600 V | 27a (TC) | 10V | 220mohm @ 16a, 10v | 5V @ 250 µA | 180 NC @ 10 V | ± 30V | 4660 pf @ 25 V | - | 500W (TC) | ||||
| Si4511dy-t1-ge3 | - | | 6407 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | SI4511 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.1w | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Vecino del canal | 20V | 7.2a, 4.6a | 14.5mohm @ 9.6a, 10v | 1.8V @ 250 µA | 18NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
| SI7792DP-T1-GE3 | - | | 6050 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Skyfet®, Trenchfet® Gen III | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7792 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 40.6a (TA), 60A (TC) | 4.5V, 10V | 2.1mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 135 NC @ 10 V | ± 20V | 4735 pf @ 15 V | Diodo Schottky (Cuerpo) | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
| Sir484dp-t1-ge3 | - | | 1791 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir484 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 20A (TC) | 4.5V, 10V | 8.3mohm @ 17.2a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 830 pf @ 10 V | - | 3.9W (TA), 29.8W (TC) | |||||
| SI3441BDV-T1-E3 | - | | 3503 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3441 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 2.45a (TA) | 2.5V, 4.5V | 90mohm @ 3.3a, 4.5V | 850MV @ 250 µA | 8 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 860MW (TA) | |||||
| SiHW47N60E-GE3 | 9.7500 | | 225 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3 PACK STOTURO | SiHW47 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 247ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 600 V | 47a (TC) | 10V | 64mohm @ 24a, 10v | 4V @ 250 µA | 220 NC @ 10 V | ± 20V | 9620 pf @ 100 V | - | 357W (TC) | |||||
| Irfs9n60atrl | - | | 2136 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRFS9 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 600 V | 9.2a (TC) | 10V | 750mohm @ 5.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 49 NC @ 10 V | ± 30V | 1400 pf @ 25 V | - | 170W (TC) |
2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m2
Almacén en stock
Lista de deseos (0 elementos)