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Transistores (5716)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFBC30S | - |  | 9367 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRFBC30 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFBC30S | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 3.6a (TC) | 10V | 2.2ohm @ 2.2a, 10v | 4V @ 250 µA | 31 NC @ 10 V | ± 20V | 660 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 74W (TC) | |||
 | Irf510l | - | | 1280 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IRF510 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262-3 | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irf510l | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 5.6a (TC) | 540mohm @ 3.4a, 10V | 4V @ 250 µA | 8.3 NC @ 10 V | 180 pf @ 25 V | - | - | |||||
 | SIA447DJ-T1-GE3 | 0.4800 | | 100 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | SIA447 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 12a (TC) | 1.5V, 4.5V | 13.5mohm @ 7a, 4.5V | 850MV @ 250 µA | 80 NC @ 8 V | ± 8V | 2880 pf @ 6 V | - | 19W (TC) | |||||
 | Siz914dt-t1-ge3 | - | | 2269 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | Siz914 | Mosfet (Óxido de metal) | 22.7w, 100W | 8-Powerpair® | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canales N (Medio Puente) | 30V | 16a, 40a | 6.4mohm @ 19a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 26nc @ 10V | 1208pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
 | Irfi9z14g | - | | 8886 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Irfi9 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfi9z14g | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Canal P | 60 V | 5.3a (TC) | 10V | 500mohm @ 3.2a, 10V | 4V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 27W (TC) | |||
| IRFIBF20GPBF | 3.0900 | | 2394 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Irfibf20 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 900 V | 1.2a (TC) | 10V | 8ohm @ 720 mm, 10v | 4V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 490 pf @ 25 V | - | 30W (TC) | |||||
 | IRFB9N65APBF | 2.8500 | | 956 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRFB9 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *IRFB9N65APBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 650 V | 8.5A (TC) | 10V | 930mohm @ 5.1a, 10V | 4V @ 250 µA | 48 NC @ 10 V | ± 30V | 1417 pf @ 25 V | - | 167W (TC) | ||||
 | SiHG32N50D-E3 | 3.2990 | | 1527 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | SiHG32 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 500 V | 30A (TC) | 10V | 150mohm @ 16a, 10v | 5V @ 250 µA | 96 NC @ 10 V | ± 30V | 2550 pf @ 100 V | - | 390W (TC) | |||||
 | IRFR120TR | - | | 7774 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR120 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 100 V | 7.7a (TC) | 10V | 270mohm @ 4.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 16 NC @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||
 | Irld014 | - | | 7391 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Irld014 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-hvmdip | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irld014 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 V | 1.7a (TA) | 4V, 5V | 200mohm @ 1a, 5V | 2V @ 250 µA | 8.4 NC @ 5 V | ± 10V | 400 pf @ 25 V | - | 1.3W (TA) | |||
 | SIHD14N60ET5-GE3 | 2.3000 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 600 V | 13a (TC) | 10V | 309mohm @ 7a, 10v | 4V @ 250 µA | 64 NC @ 10 V | ± 30V | 1205 pf @ 100 V | - | 147W (TC) | |||||||
 | IRFU420APBF | 1.5800 | | 4869 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | IRFU420 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *IRFU420APBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 500 V | 3.3a (TC) | 10V | 3ohm @ 1.5a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 17 NC @ 10 V | ± 30V | 340 pf @ 25 V | - | 83W (TC) | ||||
| Irld110 | - | | 2265 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Irld110 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-hvmdip | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irld110 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 V | 1a (TA) | 4V, 5V | 540mohm @ 600 mA, 5V | 2V @ 250 µA | 6.1 NC @ 5 V | ± 10V | 250 pf @ 25 V | - | 1.3W (TA) | |||
 | Si4904dy-t1-ge3 | 2.2300 | | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4904 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.25W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 40V | 8A | 16mohm @ 5a, 10v | 2V @ 250 µA | 85nc @ 10V | 2390pf @ 20V | - | |||||||
 | Siz728dt-t1-ge3 | - | | 4950 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-PowerPair ™ | Siz728 | Mosfet (Óxido de metal) | 27W, 48W | 6-PowerPair ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canales N (Medio Puente) | 25V | 16a, 35a | 7.7mohm @ 18a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 26nc @ 10V | 890pf @ 12.5V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
| Irfz48strl | - | | 1613 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Irfz48 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 60 V | 50A (TC) | 10V | 18mohm @ 43a, 10v | 4V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 2400 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 190W (TC) | ||||
| IRFP240PBF | 2.9500 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFP240 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *IRFP240PBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 200 V | 20A (TC) | 10V | 180mohm @ 12a, 10v | 4V @ 250 µA | 70 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | ||||
 | SUD45P03-10-E3 | - | | 3573 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud45 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | Canal P | 30 V | 15a (TA) | 4.5V, 10V | 10mohm @ 15a, 10v | 3V @ 250 µA | 150 NC @ 10 V | ± 20V | 6000 pf @ 25 V | - | 4W (TA), 70W (TC) | ||||
| IRL540S | - | | 8463 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRL540 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRL540S | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 28a (TC) | 4V, 5V | 77mohm @ 17a, 5V | 2V @ 250 µA | 64 NC @ 5 V | ± 10V | 2200 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 150W (TC) | |||
| Si4947ady-t1-e3 | - | | 9209 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4947 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.2w | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Dual) | 30V | 3A | 80mohm @ 3.9a, 10v | 1V @ 250 µA (min) | 8NC @ 5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
| IRFP450 | - | | 2779 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFP450 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 500 V | 14a (TC) | 10V | 400mohm @ 8.4a, 10V | 4V @ 250 µA | 150 NC @ 10 V | ± 20V | 2600 pf @ 25 V | - | 190W (TC) | ||||
| Si4973dy-t1-e3 | - | | 7928 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4973 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.1w | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Dual) | 30V | 5.8a | 23mohm @ 7.6a, 10V | 3V @ 250 µA | 56nc @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | Siha12n60e-e3 | 2.5300 | | 929 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Siha12 | Mosfet (Óxido de metal) | Paquete entero de 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 12a (TC) | 10V | 380mohm @ 6a, 10v | 4V @ 250 µA | 58 NC @ 10 V | ± 30V | 937 pf @ 100 V | - | 33W (TC) | |||||
 | SQ2319ES-T1-GE3 | - | | 3302 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | SQ2319 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 40 V | 4.6a (TC) | 75mohm @ 3a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 16 NC @ 10 V | 620 pf @ 25 V | - | ||||||||
| Irfi510gpbf | 2.1900 | | 977 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Irfi510 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfi510gpbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 4.5A (TC) | 10V | 540mohm @ 2.7a, 10V | 4V @ 250 µA | 8.3 NC @ 10 V | ± 20V | 180 pf @ 25 V | - | 27W (TC) | ||||
| IRFS11N50ATRR | - | | 2998 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRFS11 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 500 V | 11a (TC) | 10V | 520mohm @ 6.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 52 NC @ 10 V | ± 30V | 1423 pf @ 25 V | - | 170W (TC) | ||||
 | Sihh068n60e-t1-ge3 | 8.1500 | | 7837 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Sihh068 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 8 x 8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 600 V | 34a (TC) | 10V | 68mohm @ 15a, 10v | 5V @ 250 µA | 80 NC @ 10 V | ± 30V | 2650 pf @ 100 V | - | 202W (TC) | |||||
| SUD25N15-52-E3 | 2.5100 | | 93 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud25 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 150 V | 25A (TC) | 6V, 10V | 52mohm @ 5a, 10v | 4V @ 250 µA | 40 NC @ 10 V | ± 20V | 1725 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 136W (TC) | |||||
 | SI1563EDH-T1-GE3 | - | | 5067 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1563 | Mosfet (Óxido de metal) | 570MW | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 20V | 1.13a, 880 mA | 280mohm @ 1.13a, 4.5V | 1V @ 100 µA | 1NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | SI3445DV-T1-GE3 | - | | 9610 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3445 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 8 V | 5.6a (TA) | 1.8V, 4.5V | 42mohm @ 5.6a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 25 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 2W (TA) |
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