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Transistores (5716)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIA519EDJ-T1-GE3 | 0.6200 |  | 227 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 Dual | SIA519 | Mosfet (Óxido de metal) | 7.8w | Powerpak® SC-70-6 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 20V | 4.5a | 40mohm @ 4.2a, 4.5V | 1.4V @ 250 µA | 12NC @ 10V | 350pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
 | Irfd9210pbf | 1.7000 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Irfd9210 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-hvmdip | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 200 V | 400 mA (TA) | 10V | 3ohm @ 240mA, 10V | 4V @ 250 µA | 8.9 NC @ 10 V | ± 20V | 170 pf @ 25 V | - | 1W (TA) | |||||
 | SI7288DP-T1-GE3 | 1.5200 | | 132 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Si7288 | Mosfet (Óxido de metal) | 15.6w | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 40V | 20A | 19mohm @ 10a, 10v | 2.8V @ 250 µA | 15NC @ 10V | 565pf @ 20V | - | |||||||
| SI7958DP-T1-E3 | - | | 5656 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Si7958 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.4w | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 40V | 7.2a | 16.5mohm @ 11.3a, 10v | 3V @ 250 µA | 75nc @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | IRF840StrlPBF | 2.8500 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF840 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 500 V | 8a (TC) | 10V | 850mohm @ 4.8a, 10V | 4V @ 250 µA | 63 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | |||||
 | SQ2351ES-T1_GE3 | 0.6000 | | 21 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | SQ2351 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 3.2a (TC) | 2.5V, 4.5V | 115mohm @ 2.4a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 5.5 NC @ 4.5 V | ± 12V | 330 pf @ 10 V | - | 2W (TC) | |||||
 | SI7218DN-T1-E3 | - | | 4083 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 dual | Si7218 | Mosfet (Óxido de metal) | 23W | Powerpak® 1212-8 dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 24A | 25mohm @ 8a, 10v | 3V @ 250 µA | 17NC @ 10V | 700pf @ 15V | - | |||||||
 | Irf830al | - | | 4243 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IRF830 | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irf830al | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 V | 5A (TC) | 10V | 1.4ohm @ 3a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 24 NC @ 10 V | ± 30V | 620 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 74W (TC) | |||
| Irf737lcl | - | | 3745 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | - | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IRF737 | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | *Irf737lcl | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 300 V | 6.1a (TC) | 10V | 750mohm @ 3.7a, 10V | 4V @ 250 µA | 17 NC @ 10 V | ± 30V | 430 pf @ 25 V | - | - | ||||
 | Si4174dy-t1-ge3 | 0.9100 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | SI4174 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 17a (TC) | 4.5V, 10V | 9.5mohm @ 10a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 27 NC @ 10 V | ± 20V | 985 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 5W (TC) | |||||
 | IRF9Z30PBF | 2.6200 | | 116 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF9Z30 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irf9z30pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 50 V | 18a (TC) | 10V | 140mohm @ 9.3a, 10v | 4V @ 250 µA | 39 NC @ 10 V | ± 20V | 900 pf @ 25 V | - | 74W (TC) | ||||
| SI7949DP-T1-GE3 | 1.6400 | | 9164 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Si7949 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.5w | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 60V | 3.2a | 64mohm @ 5a, 10v | 3V @ 250 µA | 40nc @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
 | Sir184DP-T1-RE3 | 1.2500 | | 12 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir184 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 20.7a (TA), 73A (TC) | 7.5V, 10V | 5.8mohm @ 10a, 10v | 3.4V @ 250 µA | 32 NC @ 10 V | ± 20V | 1490 pf @ 30 V | - | 5W (TA), 62.5W (TC) | |||||
 | IRFR9210TRPBF | 1.3500 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR9210 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | Canal P | 200 V | 1.9a (TC) | 10V | 3ohm @ 1.1a, 10v | 4V @ 250 µA | 8.9 NC @ 10 V | ± 20V | 170 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||
 | TP0610KL-TR1-E3 | - | | 7685 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | TP0610 | Mosfet (Óxido de metal) | TO26AA (TO-92) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | Canal P | 60 V | 270MA (TA) | 4.5V, 10V | 6ohm @ 500 mA, 10V | 3V @ 250 µA | 3 NC @ 15 V | ± 20V | - | 800MW (TA) | |||||
| IRFBF20S | - | | 2978 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Irfbf20 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFBF20S | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 900 V | 1.7a (TC) | 10V | 8ohm @ 1a, 10v | 4V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 490 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 54W (TC) | |||
| SI7842DP-T1-GE3 | - | | 7603 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Si7842 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.4w | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 6.3a | 22mohm @ 7.5a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 20NC @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | Irfp150pbf | 4.2600 | | 6142 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFP150 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfp150pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 100 V | 41a (TC) | 10V | 55mohm @ 25A, 10V | 4V @ 250 µA | 140 NC @ 10 V | ± 20V | 2800 pf @ 25 V | - | 230W (TC) | ||||
| IRFP460PBF | 4.7100 | | 18 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFP460 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfp460pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 500 V | 20A (TC) | 10V | 270mohm @ 12a, 10v | 4V @ 250 µA | 210 NC @ 10 V | ± 20V | 4200 pf @ 25 V | - | 280W (TC) | ||||
 | SI1046R-T1-E3 | - | | 1494 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | SI1046 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-75A | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 606MA (TA) | 1.8V, 4.5V | 420mohm @ 606mA, 4.5V | 950MV @ 250 µA | 1.49 NC @ 5 V | ± 8V | 66 pf @ 10 V | - | 250MW (TA) | ||||
| IRF840LCL | - | | 8613 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IRF840 | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRF840LCL | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 V | 8a (TC) | 10V | 850mohm @ 4.8a, 10V | 4V @ 250 µA | 39 NC @ 10 V | ± 30V | 1100 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | |||
 | SI1025X-T1-E3 | - | | 4135 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | Si1025 | Mosfet (Óxido de metal) | 250MW | SC-89 (SOT-563F) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 60V | 190 Ma | 4ohm @ 500 mA, 10V | 3V @ 250 µA | 1.7nc @ 15V | 23pf @ 25V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
| SI4102DY-T1-E3 | - | | 9449 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | SI4102 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 V | 3.8a (TC) | 6V, 10V | 158mohm @ 2.7a, 10V | 4V @ 250 µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 370 pf @ 50 V | - | 2.4W (TA), 4.8W (TC) | ||||
 | SI8405DB-T1-E1 | - | | 9954 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-XFBGA, CSPBGA | Si8405 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-microfoot | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 3.6a (TA) | 1.8V, 4.5V | 55mohm @ 1a, 4.5V | 950MV @ 250 µA | 21 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 1.47W (TA) | |||||
 | SiHHHH11N65EF-T1-GE3 | 4.3300 | | 18 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Sihh11 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 8 x 8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 650 V | 11a (TC) | 10V | 382mohm @ 6a, 10v | 4V @ 250 µA | 70 NC @ 10 V | ± 30V | 1243 pf @ 100 V | - | 130W (TC) | |||||
| IRFR110 | - | | 9160 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR110 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFR110 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 100 V | 4.3a (TC) | 10V | 540mohm @ 2.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 8.3 NC @ 10 V | ± 20V | 180 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||
| Irfr024pbf | 1.2300 | | 7362 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR024 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 60 V | 14a (TC) | 10V | 100mohm @ 8.4a, 10V | 4V @ 250 µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 640 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
 | SiHJ8N60E-T1-GE3 | 2.2000 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sihj8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 600 V | 8a (TC) | 10V | 520mohm @ 4a, 10v | 4V @ 250 µA | 44 NC @ 10 V | ± 30V | 754 pf @ 100 V | - | 89W (TC) | |||||
 | Irfiz34g | - | | 9889 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Irfiz34 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfiz34g | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 60 V | 20A (TC) | 10V | 50mohm @ 12a, 10v | 4V @ 250 µA | 46 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | - | 42W (TC) | |||
| Irf9640strl | - | | 1574 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF9640 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 200 V | 11a (TC) | 10V | 500mohm @ 6.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 44 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 125W (TC) |
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