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Transistores (5716)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRLI640G | - |  | 8382 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | IRLI640 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRLI640G | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 200 V | 9.9a (TC) | 4V, 5V | 180mohm @ 5.9a, 5V | 2V @ 250 µA | 66 NC @ 10 V | ± 10V | 1800 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | |||
 | SQR97N06-6M3L_GE3 | 1.5700 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sqr97 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 60 V | 97a (TC) | 4.5V, 10V | 6.3mohm @ 25A, 10V | 2.5V @ 250 µA | 125 NC @ 10 V | ± 20V | 6060 pf @ 25 V | - | 136W (TC) | |||||
 | IRFR220TRLPBF | 0.9300 | | 7 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR220 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 200 V | 4.8a (TC) | 10V | 800mohm @ 2.9a, 10V | 4V @ 250 µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 260 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
 | SI6963BDQ-T1-E3 | - | | 8660 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Si6963 | Mosfet (Óxido de metal) | 830MW | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 3.4a | 45mohm @ 3.9a, 4.5V | 1.4V @ 250 µA | 11NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | SISS06DN-T1-GE3 | 1.1400 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8s | SISS06 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8s | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 47.6a (TA), 172.6a (TC) | 4.5V, 10V | 1.38mohm @ 15a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 77 NC @ 10 V | +20V, -16V | 3660 pf @ 15 V | - | 5W (TA), 65.7W (TC) | |||||
 | Irfl014pbf | - | | 2443 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Irfl014 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-223 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 80 | N-canal | 60 V | 2.7a (TC) | 10V | 200mohm @ 1.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 300 pf @ 25 V | - | 2W (TA), 3.1W (TC) | |||||
 | Irf9530pbf-be3 | 1.8100 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF9530 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | 742-IRF9530PBF-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 100 V | 12a (TC) | 300mohm @ 7.2a, 10V | 4V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 860 pf @ 25 V | - | 88W (TC) | ||||||
 | SI7212DN-T1-GE3 | 1.5600 | | 7765 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 dual | Si7212 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.3w | Powerpak® 1212-8 dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 4.9a | 36mohm @ 6.8a, 10V | 1.6V @ 250 µA | 11NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
 | IRF2807ZSTRR | - | | 4999 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF2807 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 75 V | 75A (TC) | 10V | 9.4mohm @ 53a, 10v | 4V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 3270 pf @ 25 V | - | 170W (TC) | ||||
 | SIRA10DP-T1-GE3 | 1.0400 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sira10 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 3.7mohm @ 10a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 51 NC @ 10 V | +20V, -16V | 2425 pf @ 15 V | - | 5W (TA), 40W (TC) | |||||
 | SQM120N10-3M8_GE3 | 3.8400 | | 1089 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sqm120 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 V | 120a (TC) | 10V | 3.8mohm @ 20a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 190 NC @ 10 V | ± 20V | 7230 pf @ 25 V | - | 375W (TC) | |||||
 | SIDR668AdP-T1-RE3 | 2.4800 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | SIDR668 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8DC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SIDR668AdP-T1-RE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 23.3a (TA), 104a (TC) | 7.5V, 10V | 4.8mohm @ 20a, 10v | 4V @ 250 µA | 81 NC @ 10 V | ± 20V | 3750 pf @ 50 V | - | 6.25W (TA), 125W (TC) | ||||
 | SI7108DN-T1-E3 | 2.0000 | | 16 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7108 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 14a (TA) | 4.5V, 10V | 4.9mohm @ 22a, 10v | 2V @ 250 µA | 30 NC @ 4.5 V | ± 16V | - | 1.5W (TA) | ||||||
| IRF820As | - | | 2277 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF820 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRF820As | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 V | 2.5A (TC) | 10V | 3ohm @ 1.5a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 17 NC @ 10 V | ± 30V | 340 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | |||
 | Irfz20 | - | | 4538 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Irfz20 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfz20 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 50 V | 15A (TC) | 10V | 100mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250 µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | 850 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | |||
 | SI7948DP-T1-GE3 | - | | 9942 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Si7948 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.4w | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 3A | 75mohm @ 4.6a, 10V | 3V @ 250 µA | 20NC @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | SIA416DJ-T1-GE3 | 0.7100 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | SIA416 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 11.3a (TC) | 4.5V, 10V | 83mohm @ 3.2a, 10v | 3V @ 250 µA | 10 NC @ 10 V | ± 20V | 295 pf @ 50 V | - | 3.5W (TA), 19W (TC) | |||||
| Irfi734g | - | | 3606 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Irfi734 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfi734g | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 450 V | 3.4a (TC) | 10V | 1.2ohm @ 2a, 10v | 4V @ 250 µA | 45 NC @ 10 V | ± 20V | 680 pf @ 25 V | - | 35W (TC) | |||
 | SQJA68EP-T1_GE3 | 0.8300 | | 6991 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8L | Sqja68 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8L | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 14a (TC) | 4.5V, 10V | 92mohm @ 4a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 8 NC @ 10 V | ± 20V | 280 pf @ 25 V | - | 45W (TC) | |||||
| IRFI830GPBF | 1.8000 | | 900 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Irfi830 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 500 V | 3.1a (TC) | 10V | 1.5ohm @ 1.9a, 10v | 4V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 610 pf @ 25 V | - | 35W (TC) | |||||
 | SI2308BDS-T1-GE3 | 0.5500 | | 65 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2308 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 2.3a (TC) | 4.5V, 10V | 156mohm @ 1.9a, 10v | 3V @ 250 µA | 6.8 NC @ 10 V | ± 20V | 190 pf @ 30 V | - | 1.09W (TA), 1.66W (TC) | ||||
 | SIA513DJ-T1-GE3 | - | | 2161 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 Dual | SIA513 | Mosfet (Óxido de metal) | 6.5w | Powerpak® SC-70-6 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 20V | 4.5a | 60mohm @ 3.4a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 12NC @ 10V | 360pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | SIB414DK-T1-GE3 | - | | 2983 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-75-6 | SIB414 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-75-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 8 V | 9A (TC) | 1.2V, 4.5V | 26mohm @ 7.9a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 14.03 NC @ 5 V | ± 5V | 732 pf @ 4 V | - | 2.4W (TA), 13W (TC) | ||||
| SIB914DK-T1-GE3 | - | | 8727 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-75-6L Dual | SIB914 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.1W | Powerpak® SC-75-6L Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 8V | 1.5a | 113mohm @ 2.5a, 4.5V | 800mv @ 250 µA | 2.6nc @ 5V | 125pf @ 4V | - | ||||||
| Sir890dp-t1-ge3 | - | | 2659 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir890 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 2.9mohm @ 10a, 10v | 2.6V @ 250 µA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 2747 pf @ 10 V | - | 5W (TA), 50W (TC) | |||||
 | Si4114dy-t1-ge3 | 1.3400 | | 8737 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4114 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 20 V | 20A (TC) | 4.5V, 10V | 6mohm @ 10a, 10v | 2.1V @ 250 µA | 95 NC @ 10 V | ± 16V | 3700 pf @ 10 V | - | 2.5W (TA), 5.7W (TC) | |||||
| SI4413CDY-T1-GE3 | 0.8222 | | 1978 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4413 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | - | - | - | - | - | |||||||||
| Si4634dy-t1-ge3 | 0.8080 | | 3654 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4634 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 24.5A (TC) | 4.5V, 10V | 5.2mohm @ 15a, 10v | 2.6V @ 250 µA | 68 NC @ 10 V | ± 20V | 3150 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 5.7W (TC) | |||||
 | SI1034X-T1-GE3 | 0.4600 | | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | SI1034 | Mosfet (Óxido de metal) | 250MW | SC-89 (SOT-563F) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 180 Ma | 5ohm @ 200ma, 4.5V | 1.2V @ 250 µA | 0.75nc @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
| SI2323DS-T1-GE3 | 0.7300 | | 332 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2323 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 3.7a (TA) | 1.8V, 4.5V | 39mohm @ 4.7a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 19 NC @ 4.5 V | ± 8V | 1020 pf @ 10 V | - | 750MW (TA) |
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