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Transistores (5716)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFZ34 | - |  | 6877 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRFZ34 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFZ34 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 60 V | 30A (TC) | 10V | 50mohm @ 18a, 10v | 4V @ 250 µA | 46 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | - | 88W (TC) | |||
 | SI6969DQ-T1-E3 | - | | 4252 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Si6969 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.1w | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 12V | - | 34mohm @ 4.6a, 4.5V | 450MV @ 250 µA (min) | 40NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | Irc630pbf | - | | 4508 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-5 | IRC630 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irc630pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 200 V | 9A (TC) | 10V | 400mohm @ 5.4a, 10V | 4V @ 250 µA | 43 NC @ 10 V | ± 20V | 800 pf @ 25 V | Detección real | 74W (TC) | |||
 | IRL510Strr | - | | 4949 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRL510 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 V | 5.6a (TC) | 4V, 5V | 540mohm @ 3.4a, 5V | 2V @ 250 µA | 6.1 NC @ 5 V | ± 10V | 250 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 43W (TC) | ||||
| SI6404DQ-T1-E3 | - | | 8758 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Si6404 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 8.6a (TA) | 2.5V, 10V | 9mohm @ 11a, 10v | 600mV @ 250 µA (min) | 48 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 1.08W (TA) | |||||
 | IRFI840GPBF | 3.0000 | | 729 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Irfi840 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfi840gpbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 V | 4.6a (TC) | 10V | 850mohm @ 2.8a, 10V | 4V @ 250 µA | 67 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | ||||
 | Si2316ds-T1-E3 | 0.8200 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2316 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 2.9a (TA) | 4.5V, 10V | 50mohm @ 3.4a, 10V | 800MV @ 250 µA (min) | 7 NC @ 10 V | ± 20V | 215 pf @ 15 V | - | 700MW (TA) | ||||
 | SI3460DV-T1-E3 | - | | 7192 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3460 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 5.1a (TA) | 1.8V, 4.5V | 27mohm @ 5.1a, 4.5V | 450MV @ 1MA (min) | 20 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 1.1W (TA) | ||||||
 | IRFR1N60APBF | 1.5500 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR1 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 600 V | 1.4a (TC) | 10V | 7ohm @ 840 mm, 10v | 4V @ 250 µA | 14 NC @ 10 V | ± 30V | 229 pf @ 25 V | - | 36W (TC) | |||||
 | SUD50P08-26-E3 | - | | 1385 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud50 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | Canal P | 80 V | 50A (TC) | 10V | 26mohm @ 12.9a, 10V | 4V @ 250 µA | 155 NC @ 10 V | ± 20V | 5160 pf @ 40 V | - | 8.3W (TA), 136W (TC) | ||||
| SI2319CDS-T1-GE3 | 0.5700 | | 4055 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2319 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 40 V | 4.4a (TC) | 4.5V, 10V | 77mohm @ 3.1a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 21 NC @ 10 V | ± 20V | 595 pf @ 20 V | - | 1.25W (TA), 2.5W (TC) | ||||
| Irf730pbf | 1.5700 | | 32 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF730 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irf730pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 400 V | 5.5a (TC) | 10V | 1ohm @ 3.3a, 10v | 4V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 700 pf @ 25 V | - | 74W (TC) | ||||
| IRFI740GPBF | 2.9300 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Irfi740 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfi740gpbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 400 V | 5.4a (TC) | 10V | 550mohm @ 3.2a, 10V | 4V @ 250 µA | 66 NC @ 10 V | ± 20V | 1370 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | ||||
 | SiHS36N50D-E3 | - | | 6634 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 274AA | SiHS36 | Mosfet (Óxido de metal) | Super-247 ™ (TO74AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | SiHS36N50DE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 500 V | 36A (TC) | 10V | 130mohm @ 18a, 10v | 5V @ 250 µA | 125 NC @ 10 V | ± 30V | 3233 pf @ 100 V | - | 446W (TC) | ||||
| Irfp064pbf | 5.3400 | | 452 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFP064 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfp064pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 60 V | 70A (TC) | 10V | 9mohm @ 78a, 10V | 4V @ 250 µA | 190 NC @ 10 V | ± 20V | 7400 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | ||||
| Irfpe30pbf | 5.5600 | | 500 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Irfpe30 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 800 V | 4.1a (TC) | 10V | 3ohm @ 2.5a, 10v | 4V @ 250 µA | 78 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | |||||
| SI2303CDS-T1-GE3 | 0.4500 | | 115 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2303 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 2.7a (TC) | 4.5V, 10V | 190mohm @ 1.9a, 10v | 3V @ 250 µA | 8 NC @ 10 V | ± 20V | 155 pf @ 15 V | - | 1W (TA), 2.3W (TC) | ||||
| IRF840ATRR | - | | 5202 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF840 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 500 V | 8a (TC) | 10V | 850mohm @ 4.8a, 10V | 4V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 30V | 1018 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | ||||
| IRFR9120PBF | 1.4000 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR9120 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal P | 100 V | 5.6a (TC) | 10V | 600mohm @ 3.4a, 10V | 4V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 390 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
| IRF710Strr | - | | 5518 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF710 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 400 V | 2a (TC) | 10V | 3.6ohm @ 1.2a, 10v | 4V @ 250 µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | 170 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 36W (TC) | ||||
 | Irfd214pbf | 0.5880 | | 6004 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Irfd214 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-hvmdip | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfd214pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 250 V | 450mA (TA) | 10V | 2ohm @ 270mA, 10V | 4V @ 250 µA | 8.2 NC @ 10 V | ± 20V | 140 pf @ 25 V | - | 1W (TA) | ||||
 | Irfl9110tr | - | | 7383 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Irfl9110 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-223 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 100 V | 1.1a (TC) | 10V | 1.2ohm @ 660ma, 10v | 4V @ 250 µA | 8.7 NC @ 10 V | ± 20V | 200 pf @ 25 V | - | 2W (TA), 3.1W (TC) | ||||
| SI2392Ads-T1-GE3 | 0.5400 | | 4955 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2392 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 3.1a (TC) | 4.5V, 10V | 126mohm @ 2a, 10v | 3V @ 250 µA | 10.4 NC @ 10 V | ± 20V | 196 pf @ 50 V | - | 1.25W (TA), 2.5W (TC) | ||||
 | SUM110N08-07P-E3 | - | | 6504 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sum110 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 75 V | 110A (TC) | 10V | 7mohm @ 20a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 105 NC @ 10 V | ± 20V | 4250 pf @ 30 V | - | 3.75W (TA), 208.3W (TC) | ||||
 | SI4038DY-T1-GE3 | - | | 8417 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4038 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 40 V | 42.5a (TC) | 4.5V, 10V | 2.4mohm @ 15a, 10v | 2.1V @ 250 µA | 87 NC @ 10 V | ± 20V | 4070 pf @ 20 V | - | 3.5W (TA), 7.8W (TC) | |||||
 | IRFU9220 | - | | 1889 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | IRFU9 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfu9220 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal P | 200 V | 3.6a (TC) | 10V | 1.5ohm @ 2.2a, 10v | 4V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 340 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||
| IRL530PBF | 1.6900 | | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRL530 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *IRL530pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 15A (TC) | 4V, 5V | 160mohm @ 9a, 5V | 2V @ 250 µA | 28 NC @ 5 V | ± 10V | 930 pf @ 25 V | - | 88W (TC) | ||||
| IRF644NSPBF | - | | 5575 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF644 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irf644nspbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 250 V | 14a (TC) | 10V | 240mohm @ 8.4a, 10v | 4V @ 250 µA | 54 NC @ 10 V | ± 20V | 1060 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||
| SUM52N20-39P-E3 | - | | 9331 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sum52 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 200 V | 52a (TC) | 10V, 15V | 38mohm @ 20a, 15V | 4.5V @ 250 µA | 185 NC @ 15 V | ± 25V | 4220 pf @ 25 V | - | 3.12W (TA), 250W (TC) | |||||
| Irfbg20pbf | 1.8300 | | 3338 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Irfbg20 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfbg20pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 1000 V | 1.4a (TC) | 10V | 11ohm @ 840mA, 10V | 4V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 500 pf @ 25 V | - | 54W (TC) |
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