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Transistores (5716)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFR9310PBF | 1.6900 |  | 2904 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR9310 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal P | 400 V | 1.8a (TC) | 10V | 7ohm @ 1.1a, 10v | 4V @ 250 µA | 13 NC @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | |||||
 | SQ1420EEH-T1-GE3 | - | | 2902 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | SQ1420 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 1.6a (TC) | 140mohm @ 1.2a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 4 NC @ 4.5 V | 215 pf @ 25 V | - | ||||||||
 | SI3905DV-T1-GE3 | - | | 4086 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3905 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.15W | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 8V | - | 125mohm @ 2.5a, 4.5V | 450MV @ 250 µA (min) | 6NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | Irfbf30strl | - | | 5843 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Irfbf30 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 900 V | 3.6a (TC) | 10V | 3.7ohm @ 2.2a, 10V | 4V @ 250 µA | 78 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||
| Irf9630strr | - | | 2811 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF9630 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 200 V | 6.5a (TC) | 10V | 800mohm @ 3.9a, 10V | 4V @ 250 µA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 700 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 74W (TC) | ||||
 | SIRA12DP-T1-GE3 | 0.9600 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sira12 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 25A (TC) | 4.5V, 10V | 4.3mohm @ 10a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 45 NC @ 10 V | +20V, -16V | 2070 pf @ 15 V | - | 4.5W (TA), 31W (TC) | |||||
 | SI4660DY-T1-GE3 | - | | 7935 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4660 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 25 V | 23.1a (TC) | 4.5V, 10V | 5.8mohm @ 15a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 45 NC @ 10 V | ± 16V | 2410 pf @ 15 V | - | 3.1W (TA), 5.6W (TC) | ||||
 | SI7411DN-T1-E3 | - | | 5353 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7411 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 7.5a (TA) | 1.8V, 4.5V | 19mohm @ 11.4a, 4.5V | 1V @ 300 µA | 41 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 1.5W (TA) | |||||
| SI3981DV-T1-GE3 | - | | 5843 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | SI3981 | Mosfet (Óxido de metal) | 800MW | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 1.6a | 185mohm @ 1.9a, 4.5V | 1.1V @ 250 µA | 5NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | 2N6661JTVP02 | - | | 3800 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 2N6661 | Mosfet (Óxido de metal) | To-39 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 20 | N-canal | 90 V | 860MA (TC) | 5V, 10V | 4ohm @ 1a, 10v | 2v @ 1 mapa | ± 20V | 50 pf @ 25 V | - | 725MW (TA), 6.25W (TC) | |||||
 | IRFP23N50L | - | | 9469 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFP23 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFP23N50L | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 500 V | 23a (TC) | 10V | 235mohm @ 14a, 10v | 5V @ 250 µA | 150 NC @ 10 V | ± 30V | 3600 pf @ 25 V | - | 370W (TC) | |||
| IRFR9220PBF | 1.8300 | | 245 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR9220 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal P | 200 V | 3.6a (TC) | 10V | 1.5ohm @ 2.2a, 10v | 4V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 340 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
| IRFR214TRLPBF | 0.6159 | | 9879 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR214 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 250 V | 2.2a (TC) | 10V | 2ohm @ 1.3a, 10v | 4V @ 250 µA | 8.2 NC @ 10 V | ± 20V | 140 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||
 | Irfibf20g | - | | 3824 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Irfibf20 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfibf20g | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 900 V | 1.2a (TC) | 10V | 8ohm @ 720 mm, 10v | 4V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 490 pf @ 25 V | - | 30W (TC) | |||
| Irfi710g | - | | 4777 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | - | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Irfi710 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | *Irfi710g | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 400 V | 1.6a (TA) | - | 4V @ 250 µA | - | - | ||||||||
| SQJA20EP-T1_GE3 | 1.4700 | | 8858 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sqja20 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 200 V | 22.5a (TC) | 7.5V, 10V | 50mohm @ 10a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 27 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 68W (TC) | |||||
 | SI5432DC-T1-GE3 | - | | 9623 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Si5432 | Mosfet (Óxido de metal) | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 6a (TC) | 2.5V, 4.5V | 20mohm @ 8.3a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 33 NC @ 10 V | ± 12V | 1200 pf @ 10 V | - | 2.5W (TA), 6.3W (TC) | ||||
 | IRF710PBF | 1.1100 | | 7 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF710 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irf710pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 400 V | 2a (TC) | 10V | 3.6ohm @ 1.2a, 10v | 4V @ 250 µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | 170 pf @ 25 V | - | 36W (TC) | ||||
 | SUP70030E-GE3 | 3.3600 | | 321 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SUP70030 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 150A (TC) | 7.5V, 10V | 3.18mohm @ 30a, 10V | 4V @ 250 µA | 214 NC @ 10 V | ± 20V | 10870 pf @ 50 V | - | 375W (TC) | |||||
| IRFR9214PBF | 1.5500 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR9214 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *IRFR9214PBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal P | 250 V | 2.7a (TC) | 10V | 3ohm @ 1.7a, 10v | 4V @ 250 µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 220 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||
 | SI1016X-T1-E3 | - | | 6336 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | SI1016 | Mosfet (Óxido de metal) | 250MW | SC-89 (SOT-563F) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 20V | 485MA, 370 mA | 700mohm @ 600mA, 4.5V | 1V @ 250 µA | 0.75nc @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
| IRLI540G | - | | 8299 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | IRLI540 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | *IRLI540G | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 100 V | 17a (TC) | 4V, 5V | 77mohm @ 10a, 5V | 2V @ 250 µA | 64 NC @ 5 V | ± 10V | 2200 pf @ 25 V | - | 48W (TC) | ||||
| IRFP340 | - | | 1379 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFP340 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFP340 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 400 V | 11a (TC) | 10V | 550mohm @ 6.6a, 10v | 4V @ 250 µA | 62 NC @ 10 V | ± 20V | 1400 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||
| IRFP9140PBF | 2.9600 | | 7 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFP9140 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfp9140pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Canal P | 100 V | 21a (TC) | 10V | 200mohm @ 13a, 10v | 4V @ 250 µA | 61 NC @ 10 V | ± 20V | 1400 pf @ 25 V | - | 180W (TC) | ||||
| IRFR110PBF | 1.0000 | | 2439 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR110 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 100 V | 4.3a (TC) | 10V | 540mohm @ 2.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 8.3 NC @ 10 V | ± 20V | 180 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||
| IRLR110TR | - | | 5752 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRLR110 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 100 V | 4.3a (TC) | 4V, 5V | 540mohm @ 2.6a, 5V | 2V @ 250 µA | 6.1 NC @ 5 V | ± 10V | 250 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||
| Irfibg20g | - | | 1680 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | - | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Irfibg20 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | *Irfibg20g | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 1000 V | - | - | - | - | - | ||||||||
| Si4143dy-t1-ge3 | 0.7800 | | 17 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4143 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 25.3a (TC) | 4.5V, 10V | 6.2mohm @ 12a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 167 NC @ 10 V | ± 25V | 6630 pf @ 15 V | - | 6W (TC) | |||||
 | SI2392Ads-T1-GE3 | 0.5400 | | 4955 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2392 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 3.1a (TC) | 4.5V, 10V | 126mohm @ 2a, 10v | 3V @ 250 µA | 10.4 NC @ 10 V | ± 20V | 196 pf @ 50 V | - | 1.25W (TA), 2.5W (TC) | ||||
 | Irc630pbf | - | | 4508 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-5 | IRC630 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irc630pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 200 V | 9A (TC) | 10V | 400mohm @ 5.4a, 10V | 4V @ 250 µA | 43 NC @ 10 V | ± 20V | 800 pf @ 25 V | Detección real | 74W (TC) |
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