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Transistores (5716)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Sihg460b-ge3 | 2.4869 |  | 3690 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | SiHG460 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 500 V | 20A (TC) | 10V | 250mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250 µA | 170 NC @ 10 V | ± 20V | 3094 pf @ 100 V | - | 278W (TC) | |||||
 | SI6966DQ-T1-GE3 | - | | 9688 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Si6966 | Mosfet (Óxido de metal) | 830MW | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 4A | 30mohm @ 4.5a, 4.5V | 1.4V @ 250 µA | 20NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | SI7149Adp-T1-GE3 | 0.9100 | | 47 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7149 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 5.2mohm @ 15a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 135 NC @ 10 V | ± 25V | 5125 pf @ 15 V | - | 5W (TA), 48W (TC) | |||||
 | SQD50034E_GE3 | 1.6500 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | SQD50034 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 60 V | 100A (TC) | 10V | 3.9mohm @ 20a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 90 NC @ 10 V | ± 20V | 6600 pf @ 25 V | - | 107W (TC) | |||||
 | Irfu110pbf | 1.1700 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Irfu110 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfu110pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 100 V | 4.3a (TC) | 10V | 540mohm @ 900 mA, 10V | 4V @ 250 µA | 8.3 NC @ 10 V | ± 20V | 180 pf @ 25 V | - | 25W (TC) | ||||
| Sihu6n62e-ge3 | 1.6500 | | 5294 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Sihu6 | Mosfet (Óxido de metal) | Ipak (un 251) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 620 V | 6a (TC) | 10V | 900mohm @ 3a, 10v | 4V @ 250 µA | 34 NC @ 10 V | ± 30V | 578 pf @ 100 V | - | 78W (TC) | |||||
 | SI7315DN-T1-GE3 | 1.2600 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7315 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 150 V | 8.9a (TC) | 7.5V, 10V | 315mohm @ 2.4a, 10V | 4V @ 250 µA | 30 NC @ 10 V | ± 30V | 880 pf @ 75 V | - | 3.8W (TA), 52W (TC) | |||||
 | SUD45P04-16P-GE3 | - | | 2221 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud45 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | Canal P | 40 V | 36A (TC) | 4.5V, 10V | 16.2mohm @ 14a, 20V | 2.5V @ 250 µA | 100 NC @ 10 V | ± 20V | 2765 pf @ 20 V | - | 2.1W (TA), 41.7W (TC) | |||||
| SI7810DN-T1-GE3 | 1.5100 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | SI7810 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 3.4a (TA) | 6V, 10V | 62mohm @ 5.4a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.5W (TA) | ||||||
 | SI1419DH-T1-E3 | - | | 3440 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1419 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 200 V | 300 mA (TA) | 6V, 10V | 5ohm @ 400mA, 10V | 4.5V @ 100 µA | 6.2 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1W (TA) | |||||
 | SI4403BDY-T1-GE3 | - | | 6298 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4403 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 20 V | 7.3a (TA) | 1.8V, 4.5V | 17mohm @ 9.9a, 4.5V | 1V @ 350 µA | 50 NC @ 5 V | ± 8V | - | 1.35W (TA) | |||||
 | SIA533EDJ-T1-GE3 | 0.6200 | | 5188 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 Dual | SIA533 | Mosfet (Óxido de metal) | 7.8w | Powerpak® SC-70-6 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 12V | 4.5a | 34mohm @ 4.6a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 15NC @ 10V | 420pf @ 6V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
 | SQ1563AEH-T1_GE3 | 0.5300 | | 841 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 Dual | SQ1563 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.5w | Powerpak® SC-70-6 Dual | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 20V | 850MA (TC) | 280mohm @ 850 mM, 4.5V, 575mohm @ 800 mA, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 1.25nc @ 4.5V, 1.33nc @ 4.5V | 89pf @ 10V, 84pf @ 10V | - | ||||||||
 | IRF9640Strr | - | | 2802 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF9640 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 200 V | 11a (TC) | 10V | 500mohm @ 6.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 44 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 125W (TC) | ||||
 | SI5499DC-T1-E3 | - | | 2207 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Si5499 | Mosfet (Óxido de metal) | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 8 V | 6a (TC) | 1.5V, 4.5V | 36mohm @ 5.1a, 4.5V | 800mv @ 250 µA | 35 NC @ 8 V | ± 5V | 1290 pf @ 4 V | - | 2.5W (TA), 6.2W (TC) | ||||
| SiHG35N60EF-GE3 | 6.8300 | | 7934 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | SiHG35 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 600 V | 32A (TC) | 10V | 97mohm @ 17a, 10v | 4V @ 250 µA | 134 NC @ 10 V | ± 30V | 2568 pf @ 100 V | - | 250W (TC) | |||||
| IRFU210 | - | | 2611 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Irfu2 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfu210 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 200 V | 2.6a (TC) | 10V | 1.5ohm @ 1.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 8.2 NC @ 10 V | ± 20V | 140 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||
| Sud50n06-09L-E3 | 3.4100 | | 874 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud50 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 60 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 9.3mohm @ 20a, 10v | 3V @ 250 µA | 70 NC @ 10 V | ± 20V | 2650 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 136W (TC) | |||||
 | IRFR9014TRR | - | | 5215 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR9014 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 60 V | 5.1a (TC) | 10V | 500mohm @ 3.1a, 10V | 4V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||
| Si4931dy-t1-e3 | 1.2300 | | 8988 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4931 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.1w | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Dual) | 12V | 6.7a | 18mohm @ 8.9a, 4.5V | 1V @ 350 µA | 52NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
| SI1402DH-T1-GE3 | - | | 5669 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1402 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 2.7a (TA) | 2.5V, 4.5V | 77mohm @ 3a, 4.5V | 1.6V @ 250 µA | 4.5 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 950MW (TA) | |||||
 | SIHP28N65EF-GE3 | 3.4119 | | 1126 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SiHP28 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 650 V | 28a (TC) | 10V | 117mohm @ 14a, 10v | 4V @ 250 µA | 146 NC @ 10 V | ± 30V | 3249 pf @ 100 V | - | 250W (TC) | |||||
| SI4840DY-T1-E3 | - | | 2986 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4840 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 40 V | 10a (TA) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 14a, 10v | 3V @ 250 µA | 28 NC @ 5 V | ± 20V | - | 1.56W (TA) | |||||
| IRFS9N60A | - | | 8102 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRFS9 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFS9N60A | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 9.2a (TC) | 10V | 750mohm @ 5.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 49 NC @ 10 V | ± 30V | 1400 pf @ 25 V | - | 170W (TC) | |||
 | SIHP33N60EF-GE3 | 6.3700 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SiHP33 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 33A (TC) | 10V | 98mohm @ 16.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 155 NC @ 10 V | ± 30V | 3454 pf @ 100 V | - | 278W (TC) | |||||
| Irf9610pbf-be3 | 1.6700 | | 860 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF9610 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | 742-IRF9610PBF-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 200 V | 1.8a (TC) | 3ohm @ 900 mA, 10V | 4V @ 250 µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 170 pf @ 25 V | - | 20W (TC) | ||||||
| SI4590DY-T1-GE3 | 0.9500 | | 4861 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4590 | - | 2.4W, 3.4W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Vecino del canal | 100V | 3.4a, 2.8a | 57mohm @ 2a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 11.5nc @ 10V | 360pf @ 50V | - | |||||||
| SQ4050EY-T1_GE3 | 1.0500 | | 1908 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | SQ4050 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 40 V | 19a (TC) | 4.5V, 10V | 8mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 51 NC @ 10 V | ± 20V | 2406 pf @ 20 V | - | 6W (TC) | ||||||
| IRFP32N50KPBF | 9.1100 | | 165 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFP32 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfp32n50kpbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 500 V | 32A (TC) | 10V | 160mohm @ 32a, 10v | 5V @ 250 µA | 190 NC @ 10 V | ± 30V | 5280 pf @ 25 V | - | 460W (TC) | ||||
 | TN0201K-T1-E3 | - | | 8938 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | TN0201 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 420 Ma (TA) | 4.5V, 10V | 1ohm @ 300mA, 10V | 3V @ 250 µA | 1.5 NC @ 10 V | ± 20V | - | 350MW (TA) |
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