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Transistores (5716)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Sihfl110tr-be3 | 0.6300 |  | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Sihfl110 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-223 | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SiHFL110TR-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 V | 1.5a (TC) | 540mohm @ 900 mA, 10V | 4V @ 250 µA | 8.3 NC @ 10 V | ± 20V | 180 pf @ 25 V | - | 2W (TA), 3.1W (TC) | ||||||
 | IRL620STRR | - | | 5318 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRL620 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 200 V | 5.2a (TC) | 4V, 10V | 800mohm @ 3.1a, 10V | 2V @ 250 µA | 16 NC @ 5 V | ± 10V | 360 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 50W (TC) | |||||
| IRF530SPBF | 1.7300 | | 8751 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF530 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 14a (TC) | 10V | 160mohm @ 8.4a, 10v | 4V @ 250 µA | 26 NC @ 10 V | ± 20V | 670 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 88W (TC) | |||||
 | IRFIBF30GPBF | 1.9110 | | 5659 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Irfibf30 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfibf30gpbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 900 V | 1.9a (TC) | 10V | 3.7ohm @ 1.1a, 10V | 4V @ 250 µA | 78 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | - | 35W (TC) | ||||
 | SUP90N15-18P-E3 | - | | 4416 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SUP90 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 150 V | 90A (TC) | 10V | 18mohm @ 20a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 100 NC @ 10 V | ± 20V | 4180 pf @ 75 V | - | 3.75W (TA), 375W (TC) | ||||
 | SiHFPS40N60K-GE3 | 7.2200 | | 562 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 274AA | Mosfet (Óxido de metal) | Super-247 ™ (TO74AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | 742-SiHFPS40N60K-GE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 600 V | 40A (TC) | 10V | 130mohm @ 24a, 10v | 5V @ 250 µA | 330 NC @ 10 V | ± 30V | 7970 pf @ 25 V | - | 570W (TC) | |||||
 | SQJ244EP-T1_GE3 | 1.4800 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | SQJ244 | Mosfet (Óxido de metal) | 27W (TC), 48W (TC) | Powerpak® SO-8 dual asimétrico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Asimétrico del canal (dual) | 40V | 20A (TC), 60A (TC) | 11mohm @ 4a, 10v, 4.5mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 20nc @ 10V, 45nc @ 10V | 1200pf @ 25V, 2800pf @ 25V | - | |||||||
 | SIHP17N80AE-GE3 | 2.8100 | | 963 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SiHP17 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SiHP17N80AE-GE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 800 V | 15A (TC) | 10V | 290mohm @ 8.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 62 NC @ 10 V | ± 30V | 1260 pf @ 100 V | - | 179W (TC) | ||||
 | SI5935DC-T1-E3 | - | | 5810 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Si5935 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.1w | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 3A | 86mohm @ 3a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 8.5nc @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | Sq4949ey-t1_be3 | 1.6100 | | 7212 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Sq4949 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.3W (TC) | 8-Soico | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Dual) | 30V | 7.5a (TC) | 35mohm @ 5.9a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 30NC @ 10V | 1020pf @ 25V | - | ||||||||
 | SQJ570EP-T1_GE3 | 1.2100 | | 5611 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | SQJ570 | Mosfet (Óxido de metal) | 27W | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 100V | 15A (TC), 9.5A (TC) | 45mohm @ 6a, 10v, 146mohm @ 6a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 20NC @ 10V, 15NC @ 10V | 650pf @ 25V, 600pf @ 25V | - | |||||||
 | SI2341DS-T1-GE3 | - | | 4512 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2341 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 2.5a (TA) | 4.5V, 10V | 72mohm @ 2.8a, 10v | 3V @ 250 µA | 15 NC @ 10 V | ± 20V | 400 pf @ 15 V | - | 710MW (TA) | ||||
| SI2302Ads-T1-GE3 | - | | 2961 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2302 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 2.1a (TA) | 2.5V, 4.5V | 60mohm @ 3.6a, 4.5V | 1.2V @ 50 µA | 10 NC @ 4.5 V | ± 8V | 300 pf @ 10 V | - | 700MW (TA) | ||||
| IRF740 | - | | 6753 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF740 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 400 V | 10a (TC) | 10V | 550mohm @ 6a, 10v | 4V @ 250 µA | 63 NC @ 10 V | ± 20V | 1400 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||
 | SiHF540S-GE3 | 0.7655 | | 4299 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SiHF540 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 100 V | 28a (TC) | 10V | 77mohm @ 17a, 10v | 4V @ 250 µA | 72 NC @ 10 V | ± 20V | 1700 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 150W (TC) | |||||
 | SIA917DJ-T1-GE3 | - | | 2807 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 Dual | SIA917 | Mosfet (Óxido de metal) | 6.5w | Powerpak® SC-70-6 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 4.5a | 110mohm @ 2.5a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 9NC @ 10V | 250pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | SIA446DJ-T1-GE3 | 0.6400 | | 7142 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | SIA446 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 150 V | 7.7a (TC) | 6V, 10V | 177mohm @ 3a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 8 NC @ 10 V | ± 20V | 230 pf @ 75 V | - | 3.5W (TA), 19W (TC) | |||||
 | SIHG125N60EF-GE3 | 4.9100 | | 6891 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | SiHG125 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SiHG125N60EF-GE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 25A (TC) | 10V | 125mohm @ 12a, 10v | 5V @ 250 µA | 47 NC @ 10 V | ± 30V | 1533 pf @ 100 V | - | 179W (TC) | |||||
 | Sqja70ep-t1_be3 | 0.7500 | | 1477 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SQJA70EP-T1_BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 14.7a (TC) | 10V | 95mohm @ 4a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 7 NC @ 10 V | ± 20V | 220 pf @ 25 V | - | 27W (TC) | ||||||
 | SIRA20DP-T1-RE3 | 1.5800 | | 9 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sira20 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 25 V | 81.7a (TA), 100A (TC) | 4.5V, 10V | 0.58mohm @ 20a, 10v | 2.1V @ 250 µA | 200 NC @ 10 V | +16V, -12V | 10850 pf @ 10 V | - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
| IRF530StrlPBF | 1.7300 | | 7 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF530 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 V | 14a (TC) | 10V | 160mohm @ 8.4a, 10v | 4V @ 250 µA | 26 NC @ 10 V | ± 20V | 670 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 88W (TC) | |||||
| Sqj464ep-t1_be3 | 1.0100 | | 1608 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | 1 (ilimitado) | 742-sqj464ep-t1_be3tr | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 32A (TC) | 4.5V, 10V | 17mohm @ 7.1a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 44 NC @ 10 V | ± 20V | 2086 pf @ 30 V | - | 45W (TC) | ||||||
 | SUD50P04-40P-T4-E3 | - | | 5511 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud50 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 40 V | 6a (TA), 8a (TC) | 4.5V, 10V | 40mohm @ 5a, 10v | 2.7V @ 250 µA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 1555 pf @ 20 V | - | 2.4W (TA), 24W (TC) | ||||
| SIHP15N50E-GE3 | 2.2000 | | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SIHP15 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 500 V | 14.5A (TC) | 10V | 280mohm @ 7.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 66 NC @ 10 V | ± 30V | 1162 pf @ 100 V | - | 156W (TC) | |||||
 | Sija74dp-t1-ge3 | 0.9700 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sija74 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 24a (TA), 81.2a (TC) | 3.99mohm @ 10a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 41 NC @ 10 V | +20V, -16V | 2000 pf @ 20 V | - | 4.1W (TA), 46.2W (TC) | |||||||
| SI5515CDC-T1-GE3 | 0.8300 | | 7885 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Si5515 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.1W | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 20V | 4A | 36mohm @ 6a, 4.5V | 800mv @ 250 µA | 11.3nc @ 5V | 632pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | SI8416DB-T1-GE3 | - | | 9882 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-UFBGA | Si8416 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-microfoot | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 8 V | 16a (TC) | 1.2V, 4.5V | 23mohm @ 1.5a, 4.5V | 800mv @ 250 µA | 26 NC @ 4.5 V | ± 5V | 1470 pf @ 4 V | - | 2.77W (TA), 13W (TC) | ||||
| Sq2310ces-t1_ge3 | - | | 9585 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | - | ROHS3 Cumplante | 742-SQ2310CES-T1_GE3TR | 1 | N-canal | 20 V | 6a (TC) | 1.8V, 4.5V | 30mohm @ 5a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 8.5 NC @ 4.5 V | ± 8V | 590 pf @ 10 V | - | 2W (TC) | ||||||||
| SI5485DU-T1-E3 | - | | 5665 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® chipfet ™ single | Si5485 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® chipfet ™ single | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 12a (TC) | 2.5V, 4.5V | 25mohm @ 5.9a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 42 NC @ 8 V | ± 12V | 1100 pf @ 10 V | - | 3.1W (TA), 31W (TC) | ||||
| Si4425bdy-t1-e3 | 1.2900 | | 133 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4425 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 8.8a (TA) | 4.5V, 10V | 12mohm @ 11.4a, 10V | 3V @ 250 µA | 100 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.5W (TA) |
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