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Transistores (5716)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI4465Ady-T1-E3 | 1.9500 |  | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4465 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 8 V | 13.7a (TA), 20a (TC) | 1.8V, 4.5V | 9mohm @ 14a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 85 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 3W (TA), 6.5W (TC) | ||||||
 | SQJB46EP-T1_GE3 | 1.2200 | | 4536 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Sqjb46 | Mosfet (Óxido de metal) | 34W (TC) | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 3.000 | 2 Canal | 40V | 30A (TC) | 8mohm @ 8a, 10v | 3.3V @ 250 µA | 32NC @ 10V | 1800pf @ 25V | - | |||||||||
 | SQJ411EP-T1_GE3 | 1.3300 | | 19 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sqj411 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 60A (TC) | 2.5V, 4.5V | 5.8mohm @ 15a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 150 NC @ 4.5 V | ± 8V | 9100 pf @ 6 V | - | 68W (TC) | |||||
 | SI5435BDC-T1-E3 | - | | 3502 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Si5435 | Mosfet (Óxido de metal) | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 4.3a (TA) | 4.5V, 10V | 45mohm @ 4.3a, 10V | 3V @ 250 µA | 24 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.3W (TA) | |||||
| 2N5547JTXL01 | - | | 8055 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | Un 71-6 | 2N5547 | TO-71 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 40 | - | - | ||||||||||||||
 | SIE820DF-T1-E3 | - | | 2063 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 10-polarpak® (s) | SIE820 | Mosfet (Óxido de metal) | 10-polarpak® (s) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 50A (TC) | 2.5V, 4.5V | 3.5mohm @ 18a, 4.5V | 2V @ 250 µA | 143 NC @ 10 V | ± 12V | 4300 pf @ 10 V | - | 5.2W (TA), 104W (TC) | ||||
 | SI3467DV-T1-GE3 | - | | 6683 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3467 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 3.8a (TA) | 4.5V, 10V | 54mohm @ 5a, 10v | 3V @ 250 µA | 13 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.14W (TA) | ||||||
 | SIHB22N60E-GE3 | 4.1200 | | 1632 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SiHB22 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | SiHB22N60EGE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 21a (TC) | 10V | 180mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 86 NC @ 10 V | ± 30V | 1920 pf @ 100 V | - | 227W (TC) | ||||
 | SiHG050N60E-GE3 | 9.8200 | | 8120 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Sihg050 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 V | 51a (TC) | 10V | 50mohm @ 23a, 10v | 5V @ 250 µA | 130 NC @ 10 V | ± 30V | 3459 pf @ 100 V | - | 278W (TC) | |||||
| SI4378DY-T1-E3 | - | | 8021 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4378 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 20 V | 19a (TA) | 2.5V, 4.5V | 2.7mohm @ 25A, 4.5V | 1.8V @ 250 µA | 55 NC @ 4.5 V | ± 12V | 8500 pf @ 10 V | - | 1.6w (TA) | |||||
 | SiHD5N50D-GE3 | 1.0500 | | 1756 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sihd5 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 500 V | 5.3a (TC) | 10V | 1.5ohm @ 2.5a, 10V | 5V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 30V | 325 pf @ 100 V | - | 104W (TC) | |||||
 | SI2314EDS-T1-E3 | 0.8300 | | 105 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2314 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 3.77a (TA) | 1.8V, 4.5V | 33mohm @ 5a, 4.5V | 950MV @ 250 µA | 14 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 750MW (TA) | |||||
| IRFR9214TRLPBF | 1.5500 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR9214 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 250 V | 2.7a (TC) | 10V | 3ohm @ 1.7a, 10v | 4V @ 250 µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 220 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | |||||
 | SI3483CDV-T1-BE3 | 0.4700 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 6.1a (TA), 8a (TC) | 4.5V, 10V | 34mohm @ 6.1a, 10V | 3V @ 250 µA | 33 NC @ 10 V | ± 20V | 1000 pf @ 15 V | - | 2W (TA), 4.2W (TC) | |||||||
 | SQJ951EP-T1_GE3 | 1.6100 | | 1355 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | SQJ951 | Mosfet (Óxido de metal) | 56W | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 30V | 30A | 17mohm @ 7.5a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 50nc @ 10V | 1680pf @ 10V | - | |||||||
| SI4778DY-T1-GE3 | - | | 8387 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4778 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 25 V | 8a (TC) | 4.5V, 10V | 23mohm @ 7a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 16V | 680 pf @ 13 V | - | 2.4W (TA), 5W (TC) | |||||
| IRF9540StrlPBF | 2.9500 | | 9 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF9540 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 100 V | 19a (TC) | 10V | 200mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 61 NC @ 10 V | ± 20V | 1400 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 150W (TC) | |||||
 | SI1307DL-T1-E3 | - | | 8792 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | Si1307 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 850mA (TA) | 1.8V, 4.5V | 290mohm @ 1a, 4.5V | 450MV @ 250 µA (min) | 5 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 290MW (TA) | |||||
 | SI1417EDH-T1-E3 | - | | 9487 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1417 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 2.7a (TA) | 1.8V, 4.5V | 85mohm @ 3.3a, 4.5V | 450MV @ 250 µA (min) | 8 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 1W (TA) | |||||
| Si4866dy-t1-e3 | 2.2000 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4866 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 12 V | 11a (TA) | 2.5V, 4.5V | 5.5mohm @ 17a, 4.5V | 600mV @ 250 µA (min) | 30 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 1.6w (TA) | ||||||
 | SI1031X-T1-E3 | - | | 8733 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | SI1031 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-75A | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 155MA (TA) | 1.5V, 4.5V | 8ohm @ 150 mm, 4.5V | 1.2V @ 250 µA | 1.5 NC @ 4.5 V | ± 6V | - | 300MW (TA) | |||||
 | SI7860AdP-T1-E3 | - | | 9634 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7860 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 11a (TA) | 4.5V, 10V | 9.5mohm @ 16a, 10v | 3V @ 250 µA | 18 NC @ 4.5 V | ± 20V | - | 1.8w (TA) | |||||
| SQJB80EP-T1_GE3 | 1.3100 | | 3706 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | SQJB80 | Mosfet (Óxido de metal) | 48W | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 80V | 30A (TC) | 19mohm @ 8a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 32NC @ 10V | 1400pf @ 25V | - | |||||||
| SI4565Ady-T1-E3 | - | | 1983 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4565 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.1W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Vecino del canal | 40V | 6.6a, 5.6a | 39mohm @ 5a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 22nc @ 10V | 625pf @ 20V | - | ||||||
| IRFP360LC | - | | 3655 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFP360 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFP360LC | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 400 V | 23a (TC) | 10V | 200mohm @ 14a, 10v | 4V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 30V | 3400 pf @ 25 V | - | 280W (TC) | |||
| IRFBC40SPBF | 4.4500 | | 1517 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRFBC40 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *IRFBC40SPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 6.2a (TC) | 10V | 1.2ohm @ 3.7a, 10v | 4V @ 250 µA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 130W (TC) | ||||
| SI1926DL-T1-GE3 | 0.4100 | | 112 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1926 | Mosfet (Óxido de metal) | 510MW | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 370MA | 1.4ohm @ 340mA, 10V | 2.5V @ 250 µA | 1.4nc @ 10V | 18.5pf @ 30V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | SISA01DN-T1-GE3 | 0.9300 | | 4089 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Sisa01 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 22.4a (TA), 60a (TC) | 4.5V, 10V | 4.9mohm @ 15a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 84 NC @ 10 V | +16V, -20V | 3490 pf @ 15 V | - | 3.7W (TA), 52W (TC) | |||||
 | Irfz24l | - | | 7664 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IRFZ24 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | *Irfz24l | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 V | 17a (TC) | 10V | 100mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250 µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 640 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 60W (TC) | ||||
 | SIA517DJ-T1-GE3 | 0.6400 | | 26 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 Dual | SIA517 | Mosfet (Óxido de metal) | 6.5w | Powerpak® SC-70-6 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 12V | 4.5a | 29mohm @ 5a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 15NC @ 8V | 500pf @ 6V | Puerta de Nivel Lógico |
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