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Transistores (5716)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SQ2310ES-T1_GE3 | 0.9000 |  | 13 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | SQ2310 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 6a (TC) | 1.5V, 4.5V | 30mohm @ 5a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 8.5 NC @ 4.5 V | ± 8V | 485 pf @ 10 V | - | 2W (TC) | |||||
 | SI7356AdP-T1-GE3 | - | | 6539 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7356 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 3mohm @ 20a, 10v | 3V @ 250 µA | 145 NC @ 10 V | ± 20V | 6215 pf @ 15 V | - | 5.4W (TA), 83W (TC) | ||||
 | SQD40031EL_GE3 | 1.6500 | | 3668 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | SQD40031 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | Canal P | 30 V | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 3.2mohm @ 30a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 280 NC @ 10 V | ± 20V | 15000 pf @ 25 V | - | 136W (TC) | |||||
 | Irc644pbf | - | | 7967 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-5 | IRC644 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irc644pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 250 V | 14a (TC) | 10V | 280mohm @ 8.4a, 10v | 4V @ 250 µA | 65 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | Detección real | 125W (TC) | |||
 | SI4100DY-T1-E3 | 1.3200 | | 39 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4100 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 V | 6.8a (TC) | 6V, 10V | 63mohm @ 4.4a, 10V | 4.5V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 600 pf @ 50 V | - | 2.5W (TA), 6W (TC) | |||||
 | SIHB28N60EF-GE3 | 6.2000 | | 7757 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SiHB28 | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 28a (TC) | 10V | 123mohm @ 14a, 10v | 4V @ 250 µA | 120 NC @ 10 V | ± 30V | 2714 pf @ 100 V | - | 250W (TC) | |||||
| SI7476DP-T1-GE3 | - | | 6317 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7476 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 15a (TA) | 4.5V, 10V | 5.3mohm @ 25A, 10V | 3V @ 250 µA | 177 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.9W (TA) | |||||
 | Irf510pbf | 1.1200 | | 55 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF510 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irf510pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 5.6a (TC) | 10V | 540mohm @ 3.4a, 10V | 4V @ 250 µA | 8.3 NC @ 10 V | ± 20V | 180 pf @ 25 V | - | 43W (TC) | ||||
 | SQJ848EP-T1_GE3 | 1.6600 | | 3110 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sqj848 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 47a (TC) | 4.5V, 10V | 7.5mohm @ 10.3a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 2500 pf @ 20 V | - | 68W (TC) | ||||||
| IRF9640 | - | | 3506 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF9640 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRF9640 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Canal P | 200 V | 11a (TC) | 10V | 500mohm @ 6.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 44 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | |||
 | Irf9z34strl | - | | 5321 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF9 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 60 V | 18a (TC) | 10V | 140mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 34 NC @ 10 V | ± 20V | 1100 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 88W (TC) | ||||
| Si9934bdy-t1-ge3 | - | | 3322 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si9934 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.1w | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Dual) | 12V | 4.8a | 35mohm @ 6.4a, 4.5V | 1.4V @ 250 µA | 20NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | Irfiz48g | - | | 5835 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Irfiz48 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 60 V | 37a (TC) | 10V | 18mohm @ 22a, 10v | 4V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 2400 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||
 | SIRA66DP-T1-GE3 | 0.3959 | | 4604 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sira66 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 2.3mohm @ 15a, 10v | 2.2V @ 1MA | 66 NC @ 10 V | +20V, -16V | - | 62.5W (TC) | ||||||
| Si4491edy-t1-ge3 | 0.9700 | | 9 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4491 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 17.3a (TA) | 4.5V, 10V | 6.5mohm @ 13a, 10v | 2.8V @ 250 µA | 153 NC @ 10 V | ± 25V | 4620 pf @ 15 V | - | 3.1W (TA), 6.9W (TC) | |||||
| IRL640S | - | | 5588 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRL640 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRL640S | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 200 V | 17a (TC) | 4V, 5V | 180mohm @ 10a, 5V | 2V @ 250 µA | 66 NC @ 5 V | ± 10V | 1800 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | |||
| Si4346dy-t1-ge3 | - | | 7665 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4346 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 5.9a (TA) | 2.5V, 10V | 23mohm @ 8a, 10v | 2V @ 250 µA | 10 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 1.31W (TA) | ||||||
| Si4401dy-t1-e3 | - | | 1280 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4401 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 40 V | 8.7a (TA) | 4.5V, 10V | 15.5mohm @ 10.5a, 10v | 1V @ 250 µA (min) | 50 NC @ 5 V | ± 20V | - | 1.5W (TA) | |||||
 | Si2365EDS-T1-BE3 | 0.4000 | | 3627 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | 1 (ilimitado) | 742-Si2365EDS-T1-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 4.5a (TA), 5.9a (TC) | 1.8V, 4.5V | 32mohm @ 4a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 36 NC @ 8 V | ± 8V | - | 1W (TA), 1.7W (TC) | |||||||
 | Irfp354pbf | - | | 8209 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFP354 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfp354pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 450 V | 14a (TC) | 10V | 350mohm @ 8.4a, 10V | 4V @ 250 µA | 160 NC @ 10 V | ± 20V | 2700 pf @ 25 V | - | 190W (TC) | |||
| Sq7002k-t1-ge3 | - | | 2030 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Sq7002 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 320MA (TC) | 4.5V, 10V | 1.3ohm @ 500 mA, 10V | 2.5V @ 250 µA | 1.4 NC @ 4.5 V | ± 20V | 24 pf @ 30 V | - | 500MW (TC) | |||||
| SQJA94EP-T1_GE3 | 1.2100 | | 3505 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sqja94 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 80 V | 46a (TC) | 10V | 13.5mohm @ 10a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 35 NC @ 10 V | ± 20V | 2000 pf @ 25 V | - | 55W (TC) | |||||
 | SI6933DQ-T1-GE3 | - | | 7142 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Si6933 | Mosfet (Óxido de metal) | 1W | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 30V | - | 45mohm @ 3.5a, 10v | 1V @ 250 µA (min) | 30NC @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
| IRF634SPBF | - | | 3817 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF634 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRF634SPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 250 V | 8.1A (TC) | 10V | 450mohm @ 5.1a, 10V | 4V @ 250 µA | 41 NC @ 10 V | ± 20V | 770 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 74W (TC) | |||
| IRL640 | - | | 2666 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRL640 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 200 V | 17a (TC) | 4V, 5V | 180mohm @ 10a, 5V | 2V @ 250 µA | 66 NC @ 5 V | ± 10V | 1800 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||
| SI7856AdP-T1-E3 | - | | 6892 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7856 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 15a (TA) | 4.5V, 10V | 3.7mohm @ 25A, 10V | 3V @ 250 µA | 55 NC @ 4.5 V | ± 20V | - | 1.9W (TA) | |||||
 | Irfd9113 | - | | 7221 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Irfd9113 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-hvmdip | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 60 V | 600 mA (TA) | 1.6ohm @ 300mA, 10V | - | 15 NC @ 15 V | 250 pf @ 25 V | - | - | ||||||
| Irfd420 | - | | 2976 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Irfd420 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-hvmdip | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfd420 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 500 V | 370MA (TA) | 10V | 3ohm @ 220 mm, 10v | 4V @ 250 µA | 24 NC @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 1W (TA) | |||
 | IRF644PBF-BE3 | 1.7300 | | 980 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF644 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | 742-IRF644PBF-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 250 V | 14a (TC) | 280mohm @ 8.4a, 10v | 4V @ 250 µA | 68 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||||
| SI9926CDY-T1-E3 | 1.3200 | | 9 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si9926 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.1W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 8A | 18mohm @ 8.3a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 33NC @ 10V | 1200pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico |
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