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Transistores (5716)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI3983DV-T1-E3 | - |  | 5709 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3983 | Mosfet (Óxido de metal) | 830MW | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 2.1a | 110mohm @ 2.5a, 4.5V | 1.1V @ 250 µA | 7.5nc @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | Siz902dt-t1-ge3 | 1.4900 | | 6870 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | Siz902 | Mosfet (Óxido de metal) | 29W, 66W | 8PowerPair® (6x5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canales N (Medio Puente) | 30V | 16A | 12mohm @ 13.8a, 10V | 2.2V @ 250 µA | 21NC @ 10V | 790pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
 | SIF902EDZ-T1-E3 | - | | 5291 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 2x5 | SIF902 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.6w | Powerpak® (2x5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canales (dual) Drenaje Común | 20V | 7A | 22mohm @ 7a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 14NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | Si444446dy-t1-ge3 | - | | 1502 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4446 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 40 V | 3.9a (TA) | 4.5V, 10V | 40mohm @ 5.2a, 10V | 1.6V @ 250 µA | 12 NC @ 4.5 V | ± 12V | 700 pf @ 20 V | - | 1.1W (TA) | ||||
 | IRFRC20PBF | 1.2900 | | 10 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFRC20 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 600 V | 2a (TC) | 10V | 4.4ohm @ 1.2a, 10V | 4V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
 | SIB488DK-T1-GE3 | - | | 8407 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-75-6 | SIB488 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-75-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 12 V | 9A (TC) | 1.8V, 4.5V | 20mohm @ 6.3a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 20 NC @ 8 V | ± 8V | 725 pf @ 6 V | - | 2.4W (TA), 13W (TC) | |||||
 | IRF9510S | - | | 4604 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF9510 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRF9510S | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 100 V | 4A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 2.4a, 10V | 4V @ 250 µA | 8.7 NC @ 10 V | ± 20V | 200 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 43W (TC) | |||
| IRF820Strr | - | | 2066 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF820 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 500 V | 2.5A (TC) | 10V | 3ohm @ 1.5a, 10v | 4V @ 250 µA | 24 NC @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 50W (TC) | ||||
 | SiHH14N60EF-T1-GE3 | 4.7300 | | 4568 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Sihh14 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 8 x 8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 600 V | 15A (TC) | 10V | 266mohm @ 7a, 10v | 4V @ 250 µA | 84 NC @ 10 V | ± 30V | 1449 pf @ 100 V | - | 147W (TC) | |||||
 | IRF720 | - | | 4275 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF720 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRF720 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 400 V | 3.3a (TC) | 10V | 1.8ohm @ 2a, 10v | 4V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 410 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | |||
 | SI1401EDH-T1-BE3 | 0.4100 | | 4662 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1401 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-6 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 742-SI1401EDH-T1-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 4A (TA), 4A (TC) | 34mohm @ 5.5a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 36 NC @ 8 V | ± 10V | - | 1.6W (TA), 2.8W (TC) | ||||||
| IRF9Z34PBF | 1.8300 | | 745 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF9Z34 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irf9z34pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 60 V | 18a (TC) | 10V | 140mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 34 NC @ 10 V | ± 20V | 1100 pf @ 25 V | - | 88W (TC) | ||||
 | IRFSL11N50A | - | | 8049 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IRFSL11 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262-3 | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFSL11N50A | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 V | 11a (TC) | 10V | 550mohm @ 6.6a, 10v | 4V @ 250 µA | 51 NC @ 10 V | ± 30V | 1426 pf @ 25 V | - | 190W (TC) | |||
 | Sija52Adp-t1-ge3 | 1.3900 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sija52 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 41.6a (TA), 131a (TC) | 4.5V, 10V | 1.63mohm @ 15a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 100 NC @ 10 V | +20V, -16V | 5500 pf @ 20 V | - | 4.8W (TA), 48W (TC) | |||||
| Irf9z14strl | - | | 1946 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF9 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 60 V | 6.7a (TC) | 10V | 500mohm @ 4a, 10v | 4V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 43W (TC) | ||||
 | SUD50P04-23-GE3 | - | | 1787 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud50 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | Canal P | 40 V | 8.2a (TA), 20a (TC) | 4.5V, 10V | 23mohm @ 15a, 10v | 2V @ 250 µA | 65 NC @ 10 V | ± 16V | 1880 pf @ 20 V | - | 3.1W (TA), 45.4W (TC) | ||||
 | SI7116DN-T1-E3 | 2.2300 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7116 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 10.5a (TA) | 4.5V, 10V | 7.8mohm @ 16.4a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 23 NC @ 4.5 V | ± 20V | - | 1.5W (TA) | ||||||
 | SI7382DP-T1-E3 | - | | 3953 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7382 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 14a (TA) | 4.5V, 10V | 4.7mohm @ 24a, 10v | 3V @ 250 µA | 40 NC @ 4.5 V | ± 20V | - | 1.8w (TA) | |||||
 | SI2331DS-T1-E3 | - | | 2887 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2331 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 3.2a (TA) | 1.8V, 4.5V | 48mohm @ 3.6a, 4.5V | 900MV @ 250 µA | 14 NC @ 4.5 V | ± 8V | 780 pf @ 6 V | - | 710MW (TA) | ||||
 | SI233333DS-T1-BE3 | 0.8600 | | 1239 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | 1 (ilimitado) | 742-Si233333ds-t1-be3tr | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 4.1a (TA) | 1.8V, 4.5V | 32mohm @ 5.3a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 18 NC @ 4.5 V | ± 8V | 1100 pf @ 6 V | - | 750MW (TA) | ||||||
| SI7425DN-T1-GE3 | - | | 2675 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7425 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 8.3a (TA) | 1.8V, 4.5V | 16mohm @ 12.6a, 4.5V | 1V @ 300 µA | 39 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 1.5W (TA) | |||||
 | SQM50P06-15L_GE3 | 2.6100 | | 8419 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SQM50 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 60 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 15mohm @ 17a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 155 NC @ 10 V | ± 20V | 6120 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | ||||||
 | Irfpe50pbf | 4.8500 | | 175 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Irfpe50 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfpe50pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 800 V | 7.8a (TC) | 10V | 1.2ohm @ 4.7a, 10v | 4V @ 250 µA | 200 NC @ 10 V | ± 20V | 3100 pf @ 25 V | - | 190W (TC) | ||||
| IRF9Z14 | - | | 3487 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF9 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRF9Z14 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Canal P | 60 V | 6.7a (TC) | 10V | 500mohm @ 4a, 10v | 4V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 43W (TC) | |||
| Sir106DP-T1-RE3 | 1.7800 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir106 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 16.1a (TA), 65.8a (TC) | 7.5V, 10V | 8mohm @ 15a, 10v | 3.4V @ 250 µA | 64 NC @ 10 V | ± 20V | 3610 pf @ 50 V | - | 3.2W (TA), 83.3W (TC) | |||||
| SI7446BDP-T1-E3 | - | | 1257 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7446 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 12a (TA) | 4.5V, 10V | 7.5mohm @ 19a, 10v | 3V @ 250 µA | 33 NC @ 5 V | ± 20V | 3076 pf @ 15 V | - | 1.9W (TA) | ||||
| Irf624l | - | | 7640 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IRF624 | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | *Irf624l | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 250 V | 4.4a (TC) | 10V | 1.1ohm @ 2.6a, 10v | 4V @ 250 µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 260 pf @ 25 V | - | - | ||||
| IRFP460NPBF | - | | 2523 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFP460 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFP460NPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 500 V | 20A (TC) | 10V | 240mohm @ 12a, 10v | 5V @ 250 µA | 124 NC @ 10 V | ± 30V | 3540 pf @ 25 V | - | 280W (TC) | |||
| IRF620 | - | | 7136 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF620 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 200 V | 5.2a (TC) | 10V | 800mohm @ 3.1a, 10V | 4V @ 250 µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 260 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||
 | SI8435DB-T1-E1 | - | | 2179 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-XFBGA, CSPBGA | Si8435 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-microfoot | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 10a (TC) | 1.5V, 4.5V | 41mohm @ 1a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 35 NC @ 5 V | ± 5V | 1600 pf @ 10 V | - | 2.78W (TA), 6.25W (TC) |
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