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Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)
SI5513DC-T1-GE3	-	RFQ	7782	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SMD, Plomo Plano	Si5513	Mosfet (Óxido de metal)	1.1w	1206-8 Chipfet ™	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000	Vecino del canal		20V	3.1a, 2.1a		75mohm @ 3.1a, 4.5V	1.5V @ 250 µA	6NC @ 4.5V		-	Puerta de Nivel Lógico
SI3433CDV-T1-E3	0.5100	RFQ	7915	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6	Si3433	Mosfet (Óxido de metal)		6-TSOP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P	20 V	6a (TC)	1.8V, 4.5V	38mohm @ 5.2a, 4.5V	1V @ 250 µA	45 NC @ 8 V	± 8V	1300 pf @ 10 V	-	3.3W (TC)
SI7886AdP-T1-E3	-	RFQ	4383	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8	Si7886	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	30 V	15a (TA)	4.5V, 10V	4mohm @ 25A, 10V	1.5V @ 250 µA	60 NC @ 4.5 V	± 12V	6450 pf @ 15 V	-	1.9W (TA)
IRFR9210	-	RFQ	2040	Vishay Siliconix	-	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IRFR9210	Mosfet (Óxido de metal)		D-Pak	-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	75		Canal P	200 V	1.9a (TC)	10V	3ohm @ 1.1a, 10v	4V @ 250 µA	8.9 NC @ 10 V	± 20V	170 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 25W (TC)
IRFU9020	-	RFQ	9928	Vishay Siliconix	-	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA	IRFU9	Mosfet (Óxido de metal)		Un 251AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*Irfu9020	EAR99	8541.29.0095	75		Canal P	50 V	9.9a (TC)	10V	280mohm @ 5.7a, 10V	4V @ 250 µA	14 NC @ 10 V	± 20V	490 pf @ 25 V	-	42W (TC)
IRFR9010TRR	-	RFQ	2440	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IRFR9010	Mosfet (Óxido de metal)		D-Pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P	50 V	5.3a (TC)	10V	500mohm @ 2.8a, 10V	4V @ 250 µA	9.1 NC @ 10 V	± 20V	240 pf @ 25 V	-	25W (TC)
SI1071X-T1-GE3	-	RFQ	6637	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-563, SOT-666	SI1071	Mosfet (Óxido de metal)		SC-89 (SOT-563F)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000		Canal P	30 V	960MA (TA)	2.5V, 10V	167mohm @ 960 mm, 10v	1.45V @ 250 µA	13.3 NC @ 10 V	± 12V	315 pf @ 15 V	-	236MW (TA)
SiJH800E-T1-GE3	4.8400	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® 8 x 8		Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® 8 x 8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2,000		N-canal	80 V	29a (TA), 299A (TC)	7.5V, 10V	1.55mohm @ 20a, 10v	4V @ 250 µA	210 NC @ 10 V	± 20V	10230 pf @ 40 V	-	3.3W (TA), 333W (TC)
SI4808DY-T1-GE3	-	RFQ	4666	Vishay Siliconix	Little Foot®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Si4808	Mosfet (Óxido de metal)	1.1w	8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2.500	2 Canal N (Dual)		30V	5.7a		22mohm @ 7.5a, 10v	800MV @ 250 µA (min)	20NC @ 10V		-	Puerta de Nivel Lógico
SQJ409EP-T1_BE3	1.4900	RFQ	1565	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8		Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8	descascar		1 (ilimitado)		742-sqj409ep-t1_be3tr	EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P	40 V	60A (TC)	4.5V, 10V	7mohm @ 10a, 10v	2.5V @ 250 µA	260 NC @ 10 V	± 20V	11000 pf @ 25 V	-	68W (TC)
SQS966ENW-T1_GE3	0.9800	RFQ	8853	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Monte de superficie, Flanco Humectable	Powerpak® 1212-8W Dual	Sqs966	Mosfet (Óxido de metal)	27.8W (TC)	Powerpak® 1212-8W Dual	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000	2 Canal N (Dual)		60V	6a (TC)		36mohm @ 1.25a, 10V	2.5V @ 250 µA	8.8nc @ 10V		572pf @ 25V	-
SIA911DJ-T1-GE3	-	RFQ	5903	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SC-70-6 Dual	SIA911	Mosfet (Óxido de metal)	6.5w	Powerpak® SC-70-6 Dual	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000	2 Canal P (Dual)		20V	4.5a		94mohm @ 2.8a, 4.5V	1V @ 250 µA	12.8nc @ 8V		355pf @ 10V	-
Irfbe30spbf	3.2000	RFQ	6859	Vishay Siliconix	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Irfbe30	Mosfet (Óxido de metal)		D²pak (A 263)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		*Irfbe30spbf	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal	800 V	4.1a (TC)	10V	3ohm @ 2.5a, 10v	4V @ 250 µA	78 NC @ 10 V	± 20V	1300 pf @ 25 V	-	125W (TC)
SI3473DV-T1-E3	-	RFQ	1770	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6	Si3473	Mosfet (Óxido de metal)		6-TSOP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P	12 V	5.9a (TA)	1.8V, 4.5V	23mohm @ 7.9a, 4.5V	1V @ 250 µA	33 NC @ 4.5 V	± 8V		-	1.1W (TA)
SIE836DF-T1-E3	-	RFQ	8315	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	10-polarpak® (sh)	SIE836	Mosfet (Óxido de metal)		10-polarpak® (sh)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	200 V	18.3a (TC)	10V	130mohm @ 4.1a, 10V	4.5V @ 250 µA	41 NC @ 10 V	± 30V	1200 pf @ 100 V	-	5.2W (TA), 104W (TC)
Sud40151el-ge3	1.8900	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	Sud40151	Mosfet (Óxido de metal)		Un 252AA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2,000		Canal P	40 V	42a (TC)	4.5V, 10V	12mohm @ 17.5a, 10V	2.5V @ 250 µA	112 NC @ 10 V	± 20V	5340 pf @ 20 V	-	50W (TC)
SI6924AEDQ-T1-GE3	-	RFQ	9759	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho)	Si6924	Mosfet (Óxido de metal)	1W	8-TSOP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000	2 canales (dual) Drenaje Común		28 V	4.1a		33mohm @ 4.6a, 4.5V	1.5V @ 250 µA	10NC @ 4.5V		-	Puerta de Nivel Lógico
SQ3410EV-T1_GE3	0.7600	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6	SQ3410	Mosfet (Óxido de metal)		6-TSOP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	30 V	8a (TC)	4.5V, 10V	17.5mohm @ 5a, 10v	2.5V @ 250 µA	21 NC @ 10 V	± 20V	1005 pf @ 15 V	-	5W (TC)
SIRA28BDP-T1-GE3	0.5700	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8	Sira28	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	30 V	18a (TA), 38a (TC)	4.5V, 10V	7.5mohm @ 10a, 10v	2.4V @ 250 µA	14 NC @ 10 V	+20V, -16V	582 pf @ 15 V	-	3.8W (TA), 17W (TC)
IRF9Z14PBF	1.2900	RFQ	6	Vishay Siliconix	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IRF9Z14	Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		*Irf9z14pbf	EAR99	8541.29.0095	50		Canal P	60 V	6.7a (TC)	10V	500mohm @ 4a, 10v	4V @ 250 µA	12 NC @ 10 V	± 20V	270 pf @ 25 V	-	43W (TC)
Irfbc40as	-	RFQ	7915	Vishay Siliconix	-	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IRFBC40	Mosfet (Óxido de metal)		D²pak (A 263)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*Irfbc40as	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal	600 V	6.2a (TC)	10V	1.2ohm @ 3.7a, 10v	4V @ 250 µA	42 NC @ 10 V	± 30V	1036 pf @ 25 V	-	125W (TC)
IRF9540PBF-BE3	2.1500	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IRF9540	Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar		1 (ilimitado)		742-IRF9540PBF-BE3	EAR99	8541.29.0095	50		Canal P	100 V	19a (TC)		200mohm @ 11a, 10v	4V @ 250 µA	61 NC @ 10 V	± 20V	1400 pf @ 25 V	-	150W (TC)
SI7820DN-T1-E3	1.5500	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® 1212-8	SI7820	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® 1212-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	200 V	1.7a (TA)	6V, 10V	240mohm @ 2.6a, 10V	4V @ 250 µA	18 NC @ 10 V	± 20V		-	1.5W (TA)
SQD50P08-25L_GE3	2.7600	RFQ	2	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	SQD50	Mosfet (Óxido de metal)		Un 252AA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2,000		Canal P	80 V	50A (TC)	4.5V, 10V	25mohm @ 10.5a, 10v	2.5V @ 250 µA	137 NC @ 10 V	± 20V	5350 pf @ 25 V	-	136W (TC)
IRF634S	-	RFQ	5391	Vishay Siliconix	-	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IRF634	Mosfet (Óxido de metal)		D²pak (A 263)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRF634S	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal	250 V	8.1A (TC)	10V	450mohm @ 5.1a, 10V	4V @ 250 µA	41 NC @ 10 V	± 20V	770 pf @ 25 V	-	3.1W (TA), 74W (TC)
SUD70090E-GE3	1.5800	RFQ	7571	Vishay Siliconix	Thunderfet®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	Sud70090	Mosfet (Óxido de metal)		Un 252AA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2,000		N-canal	100 V	50A (TC)	7.5V, 10V	8.9mohm @ 20a, 10v	4V @ 250 µA	50 NC @ 10 V	± 20V	1950 pf @ 50 V	-	125W (TC)
TN2404K-T1-GE3	0.9100	RFQ	6237	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	TN2404	Mosfet (Óxido de metal)		SOT-23-3 (TO-236)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000		N-canal	240 V	200MA (TA)	2.5V, 10V	4ohm @ 300mA, 10V	2V @ 250 µA	8 NC @ 10 V	± 20V		-	360MW (TA)
SI1054X-T1-GE3	-	RFQ	6435	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-563, SOT-666	Si1054	Mosfet (Óxido de metal)		SC-89 (SOT-563F)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000		N-canal	12 V	1.32a (TA)	1.8V, 4.5V	95mohm @ 1.32a, 4.5V	1V @ 250 µA	8.57 NC @ 5 V	± 8V	480 pf @ 6 V	-	236MW (TA)
Si4226dy-t1-ge3	-	RFQ	4490	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Si4226	Mosfet (Óxido de metal)	3.2W	8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500	2 Canal N (Dual)		25V	8A		19.5mohm @ 7a, 4.5V	2V @ 250 µA	36nc @ 10V		1255pf @ 15V	-
SIHB120N60E-T1-GE3	5.2400	RFQ	760	Vishay Siliconix	mi	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab		Mosfet (Óxido de metal)		D²pak (A 263)	descascar		1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	800		N-canal	600 V	25A (TC)	10V	120MOHM @ 12A, 10V	5V @ 250 µA	45 NC @ 10 V	± 30V	1562 pf @ 100 V	-	179W (TC)

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
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Transistores (5716)

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2800+

15,000 m2

15,000 m²