SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max)
SI7382DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7382DP-T1-E3 -
RFQ
ECAD 3953 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 Si7382 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SO-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 14a (TA) 4.5V, 10V 4.7mohm @ 24a, 10v 3V @ 250 µA 40 NC @ 4.5 V ± 20V - 1.8w (TA)
SI2331DS-T1-E3 Vishay Siliconix SI2331DS-T1-E3 -
RFQ
ECAD 2887 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Si2331 Mosfet (Óxido de metal) SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 12 V 3.2a (TA) 1.8V, 4.5V 48mohm @ 3.6a, 4.5V 900MV @ 250 µA 14 NC @ 4.5 V ± 8V 780 pf @ 6 V - 710MW (TA)
SI2333DS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI233333DS-T1-BE3 0.8600
RFQ
ECAD 1239 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) SOT-23-3 (TO-236) descascar 1 (ilimitado) 742-Si233333ds-t1-be3tr EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 12 V 4.1a (TA) 1.8V, 4.5V 32mohm @ 5.3a, 4.5V 1V @ 250 µA 18 NC @ 4.5 V ± 8V 1100 pf @ 6 V - 750MW (TA)
SI7425DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7425DN-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 2675 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® 1212-8 Si7425 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® 1212-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 12 V 8.3a (TA) 1.8V, 4.5V 16mohm @ 12.6a, 4.5V 1V @ 300 µA 39 NC @ 4.5 V ± 8V - 1.5W (TA)
SQM50P06-15L_GE3 Vishay Siliconix SQM50P06-15L_GE3 2.6100
RFQ
ECAD 8419 0.00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SQM50 Mosfet (Óxido de metal) TO-263 (d²pak) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 800 Canal P 60 V 50A (TC) 4.5V, 10V 15mohm @ 17a, 10v 2.5V @ 250 µA 155 NC @ 10 V ± 20V 6120 pf @ 25 V - 150W (TC)
IRFPE50PBF Vishay Siliconix Irfpe50pbf 4.8500
RFQ
ECAD 175 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Irfpe50 Mosfet (Óxido de metal) To47ac descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) *Irfpe50pbf EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 800 V 7.8a (TC) 10V 1.2ohm @ 4.7a, 10v 4V @ 250 µA 200 NC @ 10 V ± 20V 3100 pf @ 25 V - 190W (TC)
IRF9Z14 Vishay Siliconix IRF9Z14 -
RFQ
ECAD 3487 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IRF9 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRF9Z14 EAR99 8541.29.0095 1,000 Canal P 60 V 6.7a (TC) 10V 500mohm @ 4a, 10v 4V @ 250 µA 12 NC @ 10 V ± 20V 270 pf @ 25 V - 43W (TC)
SIR106DP-T1-RE3 Vishay Siliconix Sir106DP-T1-RE3 1.7800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 Sir106 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SO-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 V 16.1a (TA), 65.8a (TC) 7.5V, 10V 8mohm @ 15a, 10v 3.4V @ 250 µA 64 NC @ 10 V ± 20V 3610 pf @ 50 V - 3.2W (TA), 83.3W (TC)
SI7446BDP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7446BDP-T1-E3 -
RFQ
ECAD 1257 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 Si7446 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SO-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 12a (TA) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 19a, 10v 3V @ 250 µA 33 NC @ 5 V ± 20V 3076 pf @ 15 V - 1.9W (TA)
IRF624L Vishay Siliconix Irf624l -
RFQ
ECAD 7640 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IRF624 Mosfet (Óxido de metal) I2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) *Irf624l EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 250 V 4.4a (TC) 10V 1.1ohm @ 2.6a, 10v 4V @ 250 µA 14 NC @ 10 V ± 20V 260 pf @ 25 V - -
IRFP460NPBF Vishay Siliconix IRFP460NPBF -
RFQ
ECAD 2523 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IRFP460 Mosfet (Óxido de metal) To47ac descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRFP460NPBF EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 500 V 20A (TC) 10V 240mohm @ 12a, 10v 5V @ 250 µA 124 NC @ 10 V ± 30V 3540 pf @ 25 V - 280W (TC)
IRF620 Vishay Siliconix IRF620 -
RFQ
ECAD 7136 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IRF620 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 200 V 5.2a (TC) 10V 800mohm @ 3.1a, 10V 4V @ 250 µA 14 NC @ 10 V ± 20V 260 pf @ 25 V - 50W (TC)
SI8435DB-T1-E1 Vishay Siliconix SI8435DB-T1-E1 -
RFQ
ECAD 2179 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-XFBGA, CSPBGA Si8435 Mosfet (Óxido de metal) 4-microfoot descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 10a (TC) 1.5V, 4.5V 41mohm @ 1a, 4.5V 1V @ 250 µA 35 NC @ 5 V ± 5V 1600 pf @ 10 V - 2.78W (TA), 6.25W (TC)
SIHD12N50E-GE3 Vishay Siliconix SIHD12N50E-GE3 1.8000
RFQ
ECAD 8456 0.00000000 Vishay Siliconix mi Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TA) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 SiHD12 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 550 V 10.5a (TC) 10V 380mohm @ 6a, 10v 4V @ 250 µA 50 NC @ 10 V ± 30V 886 pf @ 100 V - 114W (TC)
IRFUC20 Vishay Siliconix IRFUC20 -
RFQ
ECAD 9823 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA IRFUC20 Mosfet (Óxido de metal) Un 251AA descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *Irfuc20 EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 600 V 2a (TC) 10V 4.4ohm @ 1.2a, 10V 4V @ 250 µA 18 NC @ 10 V ± 20V 350 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 42W (TC)
SI2335DS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2335DS-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 6311 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Si2335 Mosfet (Óxido de metal) SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 12 V 3.2a (TA) 1.8V, 4.5V 51mohm @ 4a, 4.5V 450MV @ 250 µA (min) 15 NC @ 4.5 V ± 8V 1225 pf @ 6 V - 750MW (TA)
SIHB180N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHB180N60E-GE3 1.7861
RFQ
ECAD 2921 0.00000000 Vishay Siliconix mi Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SiHB180 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 19a (TC) 10V 180mohm @ 9.5a, 10v 5V @ 250 µA 33 NC @ 10 V ± 30V 1085 pf @ 100 V - 156W (TC)
IRFI840GLCPBF Vishay Siliconix IRFI840GLCPBF 2.9600
RFQ
ECAD 725 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA Irfi840 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) *IRFI840GLCPBF EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 4.5A (TC) 10V 850mohm @ 2.7a, 10v 4V @ 250 µA 39 NC @ 10 V ± 30V 1100 pf @ 25 V - 40W (TC)
SQM50P03-07_GE3 Vishay Siliconix SQM50P03-07_GE3 2.6100
RFQ
ECAD 3270 0.00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TA) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SQM50 Mosfet (Óxido de metal) TO-263 (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 800 Canal P 30 V 50A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 30a, 10v 2.5V @ 250 µA 155 NC @ 10 V ± 20V 5380 pf @ 25 V - 150W (TC)
SI4322DY-T1-E3 Vishay Siliconix Si4322dy-t1-e3 -
RFQ
ECAD 7011 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Si4322 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 18a (TC) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 15a, 10v 3V @ 250 µA 38 NC @ 10 V ± 20V 1640 pf @ 15 V - 3.1W (TA), 5.4W (TC)
SI4920DY-T1-E3 Vishay Siliconix Si4920dy-T1-E3 -
RFQ
ECAD 6681 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Si4920 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 30V - 25mohm @ 6.9a, 10v 1V @ 250 µA (min) 23NC @ 5V - Puerta de Nivel Lógico
IRF740STRR Vishay Siliconix IRF740Strr -
RFQ
ECAD 2707 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRF740 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 400 V 10a (TC) 10V 550mohm @ 6a, 10v 4V @ 250 µA 63 NC @ 10 V ± 20V 1400 pf @ 25 V - 3.1W (TA), 125W (TC)
IRFIB5N50LPBF Vishay Siliconix IRFIB5N50LPBF -
RFQ
ECAD 6961 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA Irfib5 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRFIB5N50LPBF EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 4.7a (TC) 10V 800mohm @ 2.4a, 10V 5V @ 250 µA 45 NC @ 10 V ± 30V 1000 pf @ 25 V - 42W (TC)
SI1926DL-T1-E3 Vishay Siliconix SI1926DL-T1-E3 0.4100
RFQ
ECAD 21 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 Si1926 Mosfet (Óxido de metal) 510MW SC-70-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 60V 370MA 1.4ohm @ 340mA, 10V 2.5V @ 250 µA 1.4nc @ 10V 18.5pf @ 30V Puerta de Nivel Lógico
SI7390DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7390DP-T1-E3 2.6600
RFQ
ECAD 5413 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 Si7390 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SO-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 9a (TA) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 15a, 10v 3V @ 250 µA 15 NC @ 4.5 V ± 20V - 1.8w (TA)
IRF630L Vishay Siliconix IRF630L -
RFQ
ECAD 9171 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IRF630 Mosfet (Óxido de metal) I2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) *Irf630l EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 200 V 9A (TC) 10V 400mohm @ 5.4a, 10V 4V @ 250 µA 43 NC @ 10 V ± 20V 800 pf @ 25 V - -
SI1067X-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1067X-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 5038 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 Si1067 Mosfet (Óxido de metal) SC-89 (SOT-563F) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 1.06a (TA) 1.8V, 4.5V 150mohm @ 1.06a, 4.5V 950MV @ 250 µA 9.3 NC @ 5 V ± 8V 375 pf @ 10 V - 236MW (TA)
IRFU9110PBF Vishay Siliconix Irfu9110pbf 1.5900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA IRFU9110 Mosfet (Óxido de metal) Un 251AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) *Irfu9110pbf EAR99 8541.29.0095 75 Canal P 100 V 3.1a (TC) 10V 1.2ohm @ 1.9a, 10V 4V @ 250 µA 8.7 NC @ 10 V ± 20V 200 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 25W (TC)
SI1317DL-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1317DL-T1-GE3 0.4600
RFQ
ECAD 8393 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 Si1317 Mosfet (Óxido de metal) SC-70-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 1.4a (TC) 1.8V, 4.5V 150mohm @ 1.4a, 4.5V 800mv @ 250 µA 6.5 NC @ 4.5 V ± 8V 272 pf @ 10 V - 500MW (TC)
IRF737LCS Vishay Siliconix IRF737LCS -
RFQ
ECAD 5183 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Obsoleto - Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRF737 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRF737LCS EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 300 V 6.1a (TC) 10V 750mohm @ 3.7a, 10V 4V @ 250 µA 17 NC @ 10 V ± 30V 430 pf @ 25 V - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock