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Transistores (5716)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI1563EDH-T1-E3 | - |  | 9088 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1563 | Mosfet (Óxido de metal) | 570MW | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 20V | 1.13a, 880 mA | 280mohm @ 1.13a, 4.5V | 1V @ 100 µA | 1NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | IRF640Strr | - | | 5661 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF640 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 200 V | 18a (TC) | 10V | 180mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 70 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 130W (TC) | ||||
 | SI5463EDC-T1-GE3 | - | | 7492 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Si5463 | Mosfet (Óxido de metal) | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 3.8a (TA) | 1.8V, 4.5V | 62mohm @ 4a, 4.5V | 450MV @ 250 µA (min) | 15 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 1.25W (TA) | |||||
 | SI2374DS-T1-BE3 | 0.4800 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 4.5a (TA), 5.9a (TC) | 1.8V, 4.5V | 30mohm @ 4a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 8V | 735 pf @ 10 V | - | 960MW (TA), 1.7W (TC) | |||||||
 | SI1305DL-T1-E3 | - | | 3341 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | Si1305 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 8 V | 860MA (TA) | 1.8V, 4.5V | 280mohm @ 1a, 4.5V | 450MV @ 250 µA (min) | 4 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 290MW (TA) | |||||
 | SIE844DF-T1-E3 | - | | 7044 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 10-polarpak® (u) | SIE844 | Mosfet (Óxido de metal) | 10-polarpak® (u) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 44.5a (TC) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 12.1a, 10v | 3V @ 250 µA | 44 NC @ 10 V | ± 20V | 2150 pf @ 15 V | - | 5.2W (TA), 25W (TC) | ||||
 | IRLU110PBF | 1.4900 | | 7 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | IRLU110 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *IRLU110PBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 100 V | 4.3a (TC) | 4V, 5V | 540mohm @ 2.6a, 5V | 2V @ 250 µA | 6.1 NC @ 5 V | ± 10V | 250 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||
 | SI7804DN-T1-GE3 | 0.5292 | | 8957 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7804 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 6.5a (TA) | 4.5V, 10V | 18.5mohm @ 10a, 10v | 1.8V @ 250 µA | 13 NC @ 5 V | ± 20V | - | 1.5W (TA) | ||||||
 | IRFR9014 | - | | 9841 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR9014 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFR9014 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal P | 60 V | 5.1a (TC) | 10V | 500mohm @ 3.1a, 10V | 4V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||
 | SI7382DP-T1-GE3 | - | | 1071 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7382 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 14a (TA) | 4.5V, 10V | 4.7mohm @ 24a, 10v | 3V @ 250 µA | 40 NC @ 4.5 V | ± 20V | - | 1.8w (TA) | |||||
 | IRF9530L | - | | 7169 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IRF9530 | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | *Irf9530l | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 100 V | 12a (TC) | 10V | 300mohm @ 7.2a, 10V | 4V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 860 pf @ 25 V | - | - | ||||
 | 2N7002E-T1-GE3 | 0.4100 | | 18 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 2N7002 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 236 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 240MA (TA) | 10V | 3ohm @ 250 mA, 10V | 2.5V @ 250 µA | 0.6 NC @ 4.5 V | ± 20V | 21 pf @ 5 V | - | 350MW (TA) | ||||
 | Si4992ey-t1-e3 | - | | 7042 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4992 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.4w | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 75V | 3.6a | 48mohm @ 4.8a, 10V | 3V @ 250 µA | 21NC @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | Irll1503tr | - | | 3031 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Irll1503 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-223 | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | - | - | - | - | - | |||||||||
| Si4599dy-t1-ge3 | 0.9100 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4599 | Mosfet (Óxido de metal) | 3W, 3.1W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Vecino del canal | 40V | 6.8a, 5.8a | 35.5mohm @ 5a, 10v | 3V @ 250 µA | 20NC @ 10V | 640pf @ 20V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
 | Irfp054pbf | 4.5800 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFP054 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfp054pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 60 V | 70A (TC) | 10V | 14mohm @ 54a, 10v | 4V @ 250 µA | 160 NC @ 10 V | ± 20V | 4500 pf @ 25 V | - | 230W (TC) | ||||
 | SiHH100N60E-T1-GE3 | 3.6787 | | 1880 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Sihh100 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 8 x 8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 600 V | 28a (TC) | 10V | 100mohm @ 13.5a, 10V | 5V @ 250 µA | 53 NC @ 10 V | ± 30V | 1850 pf @ 100 V | - | 174W (TC) | |||||
 | Sija58Adp-t1-ge3 | 0.9800 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sija58 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 32.3a (TA), 109A (TC) | 4.5V, 10V | 2.65mohm @ 15a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 61 NC @ 10 V | +20V, -16V | 3030 pf @ 20 V | - | 5W (TA), 56.8W (TC) | |||||
| SQJ443EP-T1_GE3 | 1.4100 | | 3995 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TA) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sqj443 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 40 V | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 29mohm @ 18a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 57 NC @ 10 V | ± 20V | 2030 pf @ 20 V | - | 83W (TC) | |||||
| Irfp044pbf | - | | 8169 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFP044 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfp044pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 60 V | 57a (TC) | 10V | 28mohm @ 34a, 10v | 4V @ 250 µA | 95 NC @ 10 V | ± 20V | 2500 pf @ 25 V | - | 180W (TC) | |||
| SiHG28N60EF-GE3 | 6.6200 | | 500 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | SiHG28 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 V | 28a (TC) | 10V | 123mohm @ 14a, 10v | 4V @ 250 µA | 120 NC @ 10 V | ± 30V | 2714 pf @ 100 V | - | 250W (TC) | |||||
| Sir172DP-T1-GE3 | - | | 4019 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir172 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 20A (TC) | 4.5V, 10V | 8.9mohm @ 16.1a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 30 NC @ 10 V | ± 20V | 997 pf @ 15 V | - | 29.8W (TC) | |||||
 | Irfz14pbf | 1.2900 | | 63 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRFZ14 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfz14pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 V | 10a (TC) | 10V | 200mohm @ 6a, 10v | 4V @ 250 µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 300 pf @ 25 V | - | 43W (TC) | ||||
 | Siha120n60e-ge3 | 5.2500 | | 3707 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Siha120 | Mosfet (Óxido de metal) | Paquete entero de 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 25A (TC) | 10V | 120MOHM @ 12A, 10V | 5V @ 250 µA | 45 NC @ 10 V | ± 30V | 1562 pf @ 100 V | - | 34W (TC) | |||||
| Sihu7n60e-e3 | 0.9441 | | 1371 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Sihu7 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 600 V | 7a (TC) | 10V | 600mohm @ 3.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 40 NC @ 10 V | ± 30V | 680 pf @ 100 V | - | 78W (TC) | |||||
 | Irld014pbf | 1.5600 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Irld014 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-hvmdip | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irld014pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | N-canal | 60 V | 1.7a (TA) | 4V, 5V | 200mohm @ 1a, 5V | 2V @ 250 µA | 8.4 NC @ 5 V | ± 10V | 400 pf @ 25 V | - | 1.3W (TA) | ||||
| Sir432DP-T1-GE3 | - | | 7648 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir432 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 28.4a (TC) | 7.5V, 10V | 30.6mohm @ 8.6a, 10v | 4V @ 250 µA | 32 NC @ 10 V | ± 20V | 1170 pf @ 50 V | - | 5W (TA), 54W (TC) | ||||
 | Irfib5n65a | - | | 6693 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Irfib5 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFIB5N65A | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 650 V | 5.1a (TC) | 10V | 930mohm @ 3.1a, 10V | 4V @ 250 µA | 48 NC @ 10 V | ± 30V | 1417 pf @ 25 V | - | 60W (TC) | |||
| SIE848DF-T1-GE3 | - | | 3442 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 10-polarpak® (l) | SIE848 | Mosfet (Óxido de metal) | 10-polarpak® (l) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 1.6mohm @ 25A, 10V | 2.5V @ 250 µA | 138 NC @ 10 V | ± 20V | 6100 pf @ 15 V | - | 5.2W (TA), 125W (TC) | ||||
 | SIHP050N60E-GE3 | 9.3000 | | 4125 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SiHP050 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 51a (TC) | 10V | 50mohm @ 23a, 10v | 5V @ 250 µA | 130 NC @ 10 V | ± 30V | 3459 pf @ 100 V | - | 278W (TC) |
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