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Transistores (5716)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SiJ458DP-T1-GE3 | - |  | 4687 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | SiJ458 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 2.2mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 122 NC @ 10 V | ± 20V | 4810 pf @ 15 V | - | 5W (TA), 69.4W (TC) | |||||
 | IRLZ34PBF | 1.9400 | | 12 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRLZ34 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *IRLZ34PBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 V | 30A (TC) | 4V, 5V | 50mohm @ 18a, 5V | 2V @ 250 µA | 35 NC @ 5 V | ± 10V | 1600 pf @ 25 V | - | 88W (TC) | ||||
 | SIA443DJ-T1-GE3 | - | | 7594 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | SIA443 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 9A (TC) | 1.8V, 4.5V | 45mohm @ 4.7a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 25 NC @ 8 V | ± 8V | 750 pf @ 10 V | - | 3.3W (TA), 15W (TC) | ||||
 | SIS890DN-T1-GE3 | 1.4000 | | 622 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | SIS890 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 23.5mohm @ 10a, 10v | 3V @ 250 µA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 802 pf @ 50 V | - | 3.7W (TA), 52W (TC) | |||||
 | IRFR224 | - | | 1277 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR224 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFR224 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 250 V | 3.8a (TC) | 10V | 1.1ohm @ 2.3a, 10v | 4V @ 250 µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 260 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||
 | SIHP180N60E-GE3 | 3.2500 | | 3536 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SIHP180 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 19a (TC) | 10V | 180mohm @ 9.5a, 10v | 5V @ 250 µA | 33 NC @ 10 V | ± 30V | 1085 pf @ 100 V | - | 156W (TC) | |||||
 | SI5482DU-T1-E3 | - | | 1276 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® chipfet ™ single | Si5482 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® chipfet ™ single | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 12a (TC) | 4.5V, 10V | 15mohm @ 7.4a, 10v | 2V @ 250 µA | 51 NC @ 10 V | ± 12V | 1610 pf @ 15 V | - | 3.1W (TA), 31W (TC) | ||||
 | Irfl214 | - | | 5602 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Irfl214 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-223 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfl214 | EAR99 | 8541.29.0095 | 80 | N-canal | 250 V | 790MA (TC) | 10V | 2ohm @ 470ma, 10v | 4V @ 250 µA | 8.2 NC @ 10 V | ± 20V | 140 pf @ 25 V | - | 2W (TA), 3.1W (TC) | |||
 | SQD100N02-3M5L_GE3 | 1.6000 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sqd100 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 20 V | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 3.5mohm @ 30a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 5500 pf @ 10 V | - | 83W (TC) | ||||||
 | Irfd9010 | - | | 2341 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Irfd9010 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-hvmdip | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | *Irfd9010 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 50 V | 1.1a (TC) | 10V | 500MOHM @ 580MA, 10V | 4V @ 250 µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 240 pf @ 25 V | - | 1W (TC) | ||||
 | SI3588DV-T1-GE3 | - | | 6467 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3588 | Mosfet (Óxido de metal) | 830MW, 83MW | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 20V | 2.5a, 570 mA | 80mohm @ 3a, 4.5V | 450MV @ 250 µA (min) | 7.5nc @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | Irfz14l | - | | 8748 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IRFZ14 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | *Irfz14l | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 V | 10a (TC) | 10V | 200mohm @ 6a, 10v | 4V @ 250 µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 300 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 43W (TC) | ||||
| IRFR9014TR | - | | 6319 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR9014 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | Canal P | 60 V | 5.1a (TC) | 10V | 500mohm @ 3.1a, 10V | 4V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||
 | IRL640Strr | - | | 9432 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRL640 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 200 V | 17a (TC) | 4V, 5V | 180mohm @ 10a, 5V | 2V @ 250 µA | 66 NC @ 5 V | ± 10V | 1800 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | ||||
| IRFR024TRPBF | 1.2900 | | 208 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR024 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 60 V | 14a (TC) | 10V | 100mohm @ 8.4a, 10V | 4V @ 250 µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 640 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
| IRLR120PBF | 1.6500 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRLR120 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 100 V | 7.7a (TC) | 4V, 5V | 270mohm @ 4.6a, 5V | 2V @ 250 µA | 12 NC @ 5 V | ± 10V | 490 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
| IRFR9120TRPBF | 1.4000 | | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR9120 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | Canal P | 100 V | 5.6a (TC) | 10V | 600mohm @ 3.4a, 10V | 4V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 390 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
 | Si4831dy-T1-E3 | - | | 7337 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | SI4831 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 5A (TA) | 4.5V, 10V | 45mohm @ 5a, 10v | 1V @ 250 µA (min) | 20 NC @ 5 V | ± 20V | Diodo Schottky (Aislado) | 2W (TA) | |||||
 | IRFIB7N50APBF | 3.1400 | | 838 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Irfib7 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *IRFIB7N50APBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 V | 6.6a (TC) | 10V | 520mohm @ 4a, 10v | 4V @ 250 µA | 52 NC @ 10 V | ± 30V | 1423 pf @ 25 V | - | 60W (TC) | ||||
 | Sizf300dt-t1-ge3 | 1.2000 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | Sizf300 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.8W (TA), 48W (TC), 4.3W (TA), 74W (TC) | 8PowerPair® (6x5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 23a (TA), 75A (TC), 34A (TA), 141A (TC) | 4.5mohm @ 10a, 10v, 1.84mohm @ 10a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 22nc @ 10V, 62nc @ 10V | 1100pf @ 15V, 3150pf @ 15V | - | |||||||
| Irfbc30l | - | | 9673 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IRFBC30 | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfbc30l | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 3.6a (TC) | 10V | 2.2ohm @ 2.2a, 10v | 4V @ 250 µA | 31 NC @ 10 V | ± 20V | 660 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 74W (TC) | |||
 | SI1303EDL-T1-E3 | - | | 7121 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | Si1303 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 670MA (TA) | 2.5V, 4.5V | 430mohm @ 1a, 4.5V | 600mV @ 250 µA (min) | 2.5 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 290MW (TA) | |||||
 | SI7901EDN-T1-GE3 | - | | 8131 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 dual | Si7901 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.3w | Powerpak® 1212-8 dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 4.3a | 48mohm @ 6.3a, 4.5V | 1V @ 800 µA | 18NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
| IRF730L | - | | 9249 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IRF730 | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irf730l | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 400 V | 5.5a (TC) | 10V | 1ohm @ 3.3a, 10v | 4V @ 250 µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 600 pf @ 25 V | - | - | |||
 | SI2305ADS-T1-E3 | - | | 8948 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2305 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 8 V | 5.4a (TC) | 1.8V, 4.5V | 40mohm @ 4.1a, 4.5V | 800mv @ 250 µA | 15 NC @ 4.5 V | ± 8V | 740 pf @ 4 V | - | 960MW (TA), 1.7W (TC) | ||||
 | SI1016CX-T1-GE3 | 0.4700 | | 1941 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | SI1016 | Mosfet (Óxido de metal) | 220MW | SC-89 (SOT-563F) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 20V | - | 396mohm @ 500 mA, 4.5V | 1V @ 250 µA | 2NC @ 4.5V | 43pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
| IRLR110 | - | | 2708 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRLR110 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | *IRLR110 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 4.3a (TC) | 4V, 5V | 540mohm @ 2.6a, 5V | 2V @ 250 µA | 6.1 NC @ 5 V | ± 10V | 250 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||
 | Sir414dp-t1-ge3 | 1.6400 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir414 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 2.8mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 117 NC @ 10 V | ± 20V | 4750 pf @ 20 V | - | 5.4W (TA), 83W (TC) | |||||
| Irf540pbf | 2.1500 | | 40 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF540 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irf540pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 28a (TC) | 10V | 77mohm @ 17a, 10v | 4V @ 250 µA | 72 NC @ 10 V | ± 20V | 1700 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | ||||
| IRFR110TRPBF | 1.0000 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR110 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 100 V | 4.3a (TC) | 10V | 540mohm @ 2.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 8.3 NC @ 10 V | ± 20V | 180 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) |
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