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Transistores (5716)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) | Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI4936CDY-T1-GE3 | 0.6300 |  | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4936 | Mosfet (Óxido de metal) | 2.3w | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 5.8a | 40mohm @ 5a, 10v | 3V @ 250 µA | 9NC @ 10V | 325pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||
 | Sir436dp-t1-ge3 | - | | 3112 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir436 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 25 V | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 4.6mohm @ 20a, 10v | 3V @ 250 µA | 47 NC @ 10 V | ± 20V | 1715 pf @ 15 V | - | 5W (TA), 50W (TC) | ||||||||
 | Irfu9310pbf | 1.5800 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | IRFU9310 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfu9310pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal P | 400 V | 1.8a (TC) | 10V | 7ohm @ 1.1a, 10v | 4V @ 250 µA | 13 NC @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | |||||||
| Irfu9214pbf | 1.5500 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | IRFU9214 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfu9214pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal P | 250 V | 2.7a (TC) | 10V | 3ohm @ 1.7a, 10v | 4V @ 250 µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 220 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | |||||||
| Si444442dy-t1-e3 | 3.1400 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4442 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 15a (TA) | 2.5V, 10V | 4.5mohm @ 22a, 10v | 1.5V @ 250 µA | 50 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 1.6w (TA) | |||||||||
 | SI1426DH-T1-E3 | - | | 1104 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1426 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 2.8a (TA) | 4.5V, 10V | 75mohm @ 3.6a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 3 NC @ 4.5 V | ± 20V | - | 1W (TA) | ||||||||
 | SI7224DN-T1-E3 | - | | 5255 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 dual | Si7224 | Mosfet (Óxido de metal) | 17.8w, 23w | Powerpak® 1212-8 dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 6A | 35mohm @ 6.5a, 10V | 2.2V @ 250 µA | 14.5nc @ 10V | 570pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||
| SI7483AdP-T1-E3 | - | | 7925 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7483 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 14a (TA) | 4.5V, 10V | 5.7mohm @ 24a, 10v | 3V @ 250 µA | 180 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.9W (TA) | ||||||||
| Si444447dy-t1-ge3 | 0.8300 | | 440 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4447 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 40 V | 3.3a (TA) | 15V, 10V | 72mohm @ 4.5a, 15V | 2.2V @ 250 µA | 14 NC @ 4.5 V | ± 16V | 805 pf @ 20 V | - | 1.1W (TA) | ||||||||
 | IRF520Strr | - | | 4252 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF520 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 V | 9.2a (TC) | 10V | 270mohm @ 5.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 16 NC @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 60W (TC) | ||||||||
| Sir404dp-t1-ge3 | 2.0100 | | 29 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir404 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 60A (TC) | 2.5V, 10V | 1.6mohm @ 20a, 10v | 1.5V @ 250 µA | 97 NC @ 4.5 V | ± 12V | 8130 pf @ 10 V | - | 6.25W (TA), 104W (TC) | ||||||||
 | IRF710PBF-BE3 | 1.1100 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF710 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | 742-IRF710PBF-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 400 V | 2a (TC) | 3.6ohm @ 1.2a, 10v | 4V @ 250 µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | 170 pf @ 25 V | - | 36W (TC) | |||||||||
 | 2N4339-E3 | - | | 8037 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 2N4339 | 300 MW | TO-206AA (A 18) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 200 | N-canal | 7pf @ 15V | 50 V | 500 µA @ 15 V | 600 MV @ 100 na | |||||||||||||
| Si4134dy-t1-ge3 | 0.7900 | | 3775 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4134 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 14a (TC) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 846 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 5W (TC) | ||||||||
| Irf624strr | - | | 3611 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF624 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 250 V | 4.4a (TC) | 10V | 1.1ohm @ 2.6a, 10v | 4V @ 250 µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 260 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 50W (TC) | ||||||||
 | SI7802DN-T1-E3 | - | | 3425 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7802 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 250 V | 1.24a (TA) | 6V, 10V | 435mohm @ 1.95a, 10V | 3.6V @ 250 µA | 21 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.5W (TA) | ||||||||
 | SISS04DN-T1-GE3 | 1.5400 | | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8s | Siss04 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8s | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 50.5A (TA), 80A (TC) | 4.5V, 10V | 1.2mohm @ 15a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 93 NC @ 10 V | +16V, -12V | 4460 pf @ 15 V | - | 5W (TA), 65.7W (TC) | ||||||||
| IRFPS38N60L | - | | 1105 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 274AA | IRFPS38 | Mosfet (Óxido de metal) | Super-247 ™ (TO74AA) | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 V | 38a (TC) | 10V | 150mohm @ 23a, 10v | 5V @ 250 µA | 320 NC @ 10 V | ± 30V | 7990 pf @ 25 V | - | 540W (TC) | |||||||
 | SIB457EDK-T1-GE3 | 0.5500 | | 17 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-75-6 | SIB457 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-75-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 9A (TC) | 4.5V | 35mohm @ 4.8a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 44 NC @ 8 V | ± 8V | - | 2.4W (TA), 13W (TC) | |||||||||
| Sir826ldp-T1-RE3 | 1.6400 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir826 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SIR826LDP-T1-RE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 80 V | 21.3a (TA), 86a (TC) | 10V | 5mohm @ 15a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 91 NC @ 10 V | ± 20V | 3840 pf @ 40 V | - | 5W (TA), 83W (TC) | |||||||
 | SiHG47N65E-GE3 | 8.0800 | | 5833 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Sihg47 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 650 V | 47a (TC) | 10V | 72mohm @ 24a, 10v | 4V @ 250 µA | 273 NC @ 10 V | ± 30V | 5682 pf @ 100 V | - | 417W (TC) | ||||||||
| Si4411dy-t1-ge3 | - | | 2800 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | SI4411 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 9a (TA) | 4.5V, 10V | 10mohm @ 13a, 10v | 3V @ 250 µA | 65 NC @ 5 V | ± 20V | - | 1.5W (TA) | ||||||||
 | SISA24DN-T1-GE3 | 0.9600 | | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Sisa24 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 25 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 1.4mohm @ 15a, 10v | 2.1V @ 250 µA | 26 NC @ 4.5 V | +20V, -16V | 2650 pf @ 10 V | - | 52W (TC) | ||||||||
| SIS890Adn-T1-GE3 | 0.9600 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | SIS890 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 7.6a (TA), 24.7a (TC) | 25.5mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 1330 pf @ 50 V | - | 3.6W (TA), 39W (TC) | |||||||||
| SI7322Adn-T1-GE3 | 0.6800 | | 6488 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7322 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 15.1a (TC) | 10V | 57mohm @ 5.5a, 10v | 4V @ 250 µA | 13 NC @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 50 V | - | 26W (TC) | ||||||||
| Sir158DP-T1-RE3 | 1.7900 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen III | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir158 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 1.8mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 130 NC @ 10 V | ± 20V | 4980 pf @ 15 V | - | 83W (TC) | |||||||||
 | Sup40010el-ge3 | 2.9700 | | 117 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SUP40010 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 40 V | 120a (TC) | 4.5V, 10V | 1.8mohm @ 30a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 230 NC @ 10 V | ± 20V | 11155 pf @ 30 V | - | 375W (TC) | ||||||||
| SI7450DP-T1-RE3 | 1.0516 | | 3794 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Si7450 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 3.2a (TA), 19.8a (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | SiHD7N60ET4-GE3 | 0.8080 | | 2938 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sihd7 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 600 V | 7a (TC) | 10V | 600mohm @ 3.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 40 NC @ 10 V | ± 30V | 680 pf @ 100 V | - | 78W (TC) | |||||||||
 | SI8466EDB-T2-E1 | 0.5100 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-UFBGA, WLCSP | Si8466 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-microfoot | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 8 V | 3.6a (TA) | 1.2V, 4.5V | 43mohm @ 2a, 4.5V | 700mv @ 250 µA | 13 NC @ 4.5 V | ± 5V | 710 pf @ 4 V | - | 780MW (TA), 1.8W (TC) |
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