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Transistores (5716)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF9620STRLPBF | 2.6600 |  | 796 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF9620 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 200 V | 3.5A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 1.5a, 10v | 4V @ 250 µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 40W (TC) | ||||
| IRF9640STRPBF | 3.4500 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF9640 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 200 V | 11a (TC) | 10V | 500mohm @ 6.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 44 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||
| Irfbf20strpbf | 1.4682 | | 1875 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Irfbf20 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 900 V | 1.7a (TC) | 10V | 8ohm @ 1a, 10v | 4V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 490 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 54W (TC) | ||||
 | IRFR120TRPBF | 1.5800 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR120 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 100 V | 7.7a (TC) | 10V | 270mohm @ 4.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 16 NC @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||
| IRFR9110TRPBF | 0.6762 | | 9849 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR9110 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 100 V | 3.1a (TC) | 10V | 1.2ohm @ 1.9a, 10V | 4V @ 250 µA | 8.7 NC @ 10 V | ± 20V | 200 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||
| IRL620STRLPBF | 2.0300 | | 130 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRL620 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 200 V | 5.2a (TC) | 4V, 10V | 800mohm @ 3.1a, 10V | 2V @ 250 µA | 16 NC @ 5 V | ± 10V | 360 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 50W (TC) | ||||
| IRL630Strlpbf | 1.5619 | | 2476 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRL630 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 200 V | 9A (TC) | 4V, 5V | 400mohm @ 5.4a, 5V | 2V @ 250 µA | 40 NC @ 10 V | ± 10V | 1100 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 74W (TC) | ||||
| IRLZ24SPBF | 0.9455 | | 2634 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRLZ24 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 60 V | 17a (TC) | 4V, 5V | 100mohm @ 10a, 5V | 2V @ 250 µA | 18 NC @ 5 V | ± 10V | 870 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 60W (TC) | ||||
 | SI1054X-T1-E3 | - | | 3232 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | Si1054 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-89 (SOT-563F) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 12 V | 1.32a (TA) | 1.8V, 4.5V | 95mohm @ 1.32a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 8.57 NC @ 5 V | ± 8V | 480 pf @ 6 V | - | 236MW (TA) | |||
 | SI3434DV-T1-GE3 | - | | 6851 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3434 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 4.6a (TA) | 2.5V, 4.5V | 34mohm @ 6.1a, 4.5V | 600mV @ 1MA (min) | 12 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 1.14W (TA) | ||||
| SI3445DV-T1-E3 | - | | 7764 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3445 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 8 V | 5.6a (TA) | 1.8V, 4.5V | 42mohm @ 5.6a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 25 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 2W (TA) | ||||
| SI3457CDV-T1-E3 | 0.6400 | | 14 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3457 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 5.1a (TC) | 4.5V, 10V | 74mohm @ 4.1a, 10V | 3V @ 250 µA | 15 NC @ 10 V | ± 20V | 450 pf @ 15 V | - | 3W (TC) | ||||
| SI3457CDV-T1-GE3 | 0.5400 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3457 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 5.1a (TC) | 4.5V, 10V | 74mohm @ 4.1a, 10V | 3V @ 250 µA | 15 NC @ 10 V | ± 20V | 450 pf @ 15 V | - | 2W (TA), 3W (TC) | ||||
 | Si488888dy-t1-ge3 | - | | 6250 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4888 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 11a (TA) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 16a, 10v | 1.6V @ 250 µA | 24 NC @ 5 V | ± 20V | - | 1.6w (TA) | ||||
| Si4932dy-t1-ge3 | 1.4000 | | 64 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4932 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.2W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 8A | 15mohm @ 7a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 48nc @ 10V | 1750pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
| Si4952dy-t1-e3 | - | | 1814 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4952 | Mosfet (Óxido de metal) | 2.8w | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 25V | 8A | 23mohm @ 7a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 18NC @ 10V | 680pf @ 13V | Puerta de Nivel Lógico | |||||
 | SI5445BDC-T1-GE3 | - | | 1786 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Si5445 | Mosfet (Óxido de metal) | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 8 V | 5.2a (TA) | 1.8V, 4.5V | 33mohm @ 5.2a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 21 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 1.3W (TA) | ||||
 | SI5480DU-T1-GE3 | - | | 7563 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® chipfet ™ single | Si5480 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® chipfet ™ single | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 12a (TC) | 4.5V, 10V | 16mohm @ 7.2a, 10v | 3V @ 250 µA | 34 NC @ 10 V | ± 20V | 1230 pf @ 15 V | - | 3.1W (TA), 31W (TC) | |||
| SI5515CDC-T1-E3 | 0.8300 | | 6506 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Si5515 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.1W | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 20V | 4A (TC) | 36mohm @ 6a, 4.5V | 800mv @ 250 µA | 11.3nc @ 5V | 632pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | |||||
| SI5902BDC-T1-E3 | 1.3300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Si5902 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.12W | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 4A (TC) | 65mohm @ 3.1a, 10V | 3V @ 250 µA | 7NC @ 10V | 220pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||
| SI5905DC-T1-GE3 | - | | 7957 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Si5905 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.1w | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 8V | 3A | 90mohm @ 3a, 4.5V | 450MV @ 250 µA (min) | 9NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||
 | SI6966DQ-T1-E3 | - | | 2975 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Si6966 | Mosfet (Óxido de metal) | 830MW | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 4A | 30mohm @ 4.5a, 4.5V | 1.4V @ 250 µA | 20NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||
 | SI7100DN-T1-GE3 | - | | 2915 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7100 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 8 V | 35A (TC) | 2.5V, 4.5V | 3.5mohm @ 15a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 105 NC @ 8 V | ± 8V | 3810 pf @ 4 V | - | 3.8W (TA), 52W (TC) | |||
 | SI7160DP-T1-E3 | - | | 7774 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7160 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 20A (TC) | 4.5V, 10V | 8.7mohm @ 15a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 66 NC @ 10 V | ± 16V | 2970 pf @ 15 V | - | 5W (TA), 27.7W (TC) | |||
| SI7374DP-T1-GE3 | 1.5920 | | 3818 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7374 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 24a (TC) | 4.5V, 10V | 5.5mohm @ 23.8a, 10v | 2.8V @ 250 µA | 122 NC @ 10 V | ± 20V | 5500 pf @ 15 V | - | 5W (TA), 56W (TC) | ||||
| SI7388DP-T1-GE3 | - | | 5047 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7388 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 12a (TA) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 19a, 10v | 1.6V @ 250 µA | 24 NC @ 5 V | ± 20V | - | 1.9W (TA) | ||||
| SI3983DV-T1-GE3 | - | | 7633 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3983 | Mosfet (Óxido de metal) | 830MW | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 2.1a | 110mohm @ 2.5a, 4.5V | 1.1V @ 250 µA | 7.5nc @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||
| SI4100DY-T1-GE3 | 1.3200 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4100 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 V | 6.8a (TC) | 6V, 10V | 63mohm @ 4.4a, 10V | 4.5V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 600 pf @ 50 V | - | 2.5W (TA), 6W (TC) | ||||
| Si4176dy-t1-ge3 | - | | 7360 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4176 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 12a (TC) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 8.3a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 15 NC @ 10 V | ± 20V | 490 pf @ 15 V | - | 2.4W (TA), 5W (TC) | |||
| Si4413ady-t1-ge3 | 1.2191 | | 5694 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4413 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 10.5a (TA) | 4.5V, 10V | 7.5mohm @ 13a, 10v | 3V @ 250 µA | 95 NC @ 5 V | ± 20V | - | 1.5W (TA) |
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