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Transistores (5716)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Sir182DP-T1-RE3 | 1.6600 |  | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir182 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 60A (TC) | 7.5V, 10V | 2.8mohm @ 15a, 10v | 3.6V @ 250 µA | 64 NC @ 10 V | ± 20V | 3250 pf @ 30 V | - | 69.4W (TC) | |||||
 | IRFBC40PBF | 2.4100 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRFBC40 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfbc40pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 6.2a (TC) | 10V | 1.2ohm @ 3.7a, 10v | 4V @ 250 µA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||
| Sir403edp-t1-ge3 | 0.9000 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir403 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 6.5mohm @ 13a, 10v | 2.8V @ 250 µA | 153 NC @ 10 V | ± 25V | 4620 pf @ 15 V | - | 5W (TA), 56.8W (TC) | |||||
 | SI3456DDV-T1-E3 | 0.4300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3456 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 6.3a (TC) | 4.5V, 10V | 40mohm @ 5a, 10v | 3V @ 250 µA | 9 NC @ 10 V | ± 20V | 325 pf @ 15 V | - | 1.7W (TA), 2.7W (TC) | |||||
 | VP0808B-2 | - | | 2354 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | VP0808 | Mosfet (Óxido de metal) | To-39 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 20 | Canal P | 80 V | 880MA (TA) | 10V | 5ohm @ 1a, 10v | 4.5V @ 1MA | ± 20V | 150 pf @ 25 V | - | 6.25W (TA) | |||||
 | SQJ960EP-T1_GE3 | 2.1700 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Sqj960 | Mosfet (Óxido de metal) | 34W | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 8A | 36mohm @ 5.3a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 20NC @ 10V | 735pf @ 25V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
 | SI1970DH-T1-GE3 | - | | 7197 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1970 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.25W | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 1.3a | 225mohm @ 1.2a, 4.5V | 1.6V @ 250 µA | 3.8nc @ 10V | 95pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | SI4816BDY-T1-GE3 | 1.6400 | | 2261 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4816 | Mosfet (Óxido de metal) | 1W, 1.25W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canales N (Medio Puente) | 30V | 5.8a, 8.2a | 18.5mohm @ 6.8a, 10v | 3V @ 250 µA | 10NC @ 5V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
| Sir662dp-t1-ge3 | 2.0100 | | 4505 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir662 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 2.7mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 96 NC @ 10 V | ± 20V | 4365 pf @ 30 V | - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
 | IRFPC50APBF | 4.2200 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFPC50 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *IRFPC50APBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 600 V | 11a (TC) | 10V | 580mohm @ 6a, 10v | 4V @ 250 µA | 70 NC @ 10 V | ± 30V | 2100 pf @ 25 V | - | 180W (TC) | ||||
| Sir844dp-t1-ge3 | - | | 6675 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir844 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 25 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 2.8mohm @ 15a, 10v | 2.6V @ 250 µA | 90 NC @ 10 V | ± 20V | 3215 pf @ 10 V | - | 5W (TA), 50W (TC) | |||||
| SI7440DP-T1-E3 | - | | 4673 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7440 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 12a (TA) | 4.5V, 10V | 6.5mohm @ 21a, 10v | 3V @ 250 µA | 35 NC @ 4.5 V | ± 20V | - | 1.9W (TA) | |||||
 | SIHF22N65E-GE3 | 2.5872 | | 6373 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | SiHF22 | Mosfet (Óxido de metal) | Paquete entero de 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 650 V | 22a (TC) | 10V | 180mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 30V | 2415 pf @ 100 V | - | 35W (TC) | |||||
 | Sish407dn-t1-ge3 | 0.8900 | | 18 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8SH | Sish407 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8SH | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 15.4a (TA), 25a (TC) | 1.8V, 4.5V | 9.5mohm @ 15.3a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 93.8 NC @ 8 V | ± 8V | 2760 pf @ 10 V | - | 3.6W (TA), 33W (TC) | |||||
 | SUM45N25-58-E3 | 4.4900 | | 3191 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sum45 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 250 V | 45a (TC) | 6V, 10V | 58mohm @ 20a, 10v | 4V @ 250 µA | 140 NC @ 10 V | ± 30V | 5000 pf @ 25 V | - | 3.75W (TA), 375W (TC) | |||||
 | SI8810EDB-T2-E1 | 0.4900 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-xfbga | SI8810 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-microfoot | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 2.1a (TA) | 1.5V, 4.5V | 72mohm @ 1a, 4.5V | 900MV @ 250 µA | 8 NC @ 8 V | ± 8V | 245 pf @ 10 V | - | 500MW (TA) | ||||
| SI3459DV-T1-E3 | - | | 1946 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3459 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 60 V | 2.2a (TC) | 4.5V, 10V | 220mohm @ 2.2a, 10V | 1V @ 250 µA (min) | 14 NC @ 10 V | ± 20V | - | 2W (TA) | |||||
 | IRFR9010 | - | | 6329 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR9010 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFR9010 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal P | 50 V | 5.3a (TC) | 10V | 500mohm @ 2.8a, 10V | 4V @ 250 µA | 9.1 NC @ 10 V | ± 20V | 240 pf @ 25 V | - | 25W (TC) | |||
 | SI2309DS-T1-E3 | - | | 2239 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2309 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 60 V | 1.25a (TA) | 4.5V, 10V | 340mohm @ 1.25a, 10V | 1V @ 250 µA (min) | 12 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.25W (TA) | |||||
| SI2321DS-T1-E3 | - | | 5192 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2321 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 2.9a (TA) | 1.8V, 4.5V | 57mohm @ 3.3a, 4.5V | 900MV @ 250 µA | 13 NC @ 4.5 V | ± 8V | 715 pf @ 6 V | - | 710MW (TA) | ||||
 | SI8401DB-T1-E1 | 1.1800 | | 5653 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-XFBGA, CSPBGA | SI8401 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-microfoot | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 3.6a (TA) | 2.5V, 4.5V | 65mohm @ 1a, 4.5V | 1.4V @ 250 µA | 17 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 1.47W (TA) | |||||
 | BS250KL-TR1-E3 | - | | 1974 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | BS250 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 92-18 rm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | Canal P | 60 V | 270MA (TA) | 4.5V, 10V | 6ohm @ 500 mA, 10V | 3V @ 250 µA | 3 NC @ 15 V | ± 20V | - | 800MW (TA) | |||||
| SI4172DY-T1-GE3 | - | | 9689 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4172 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 15A (TC) | 4.5V, 10V | 12mohm @ 11a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 820 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 4.5W (TC) | |||||
 | Sqa403eJ-t1_GE3 | 0.6300 | | 23 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | Sqa403 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 10a (TC) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 5a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 33 NC @ 10 V | ± 20V | 1880 pf @ 10 V | - | 13.6W (TC) | |||||
 | SI5475BDC-T1-GE3 | - | | 6911 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Si5475 | Mosfet (Óxido de metal) | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 6a (TA) | 1.8V, 4.5V | 28mohm @ 5.6a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 40 NC @ 8 V | ± 8V | 1400 pf @ 6 V | - | 2.5W (TA), 6.3W (TC) | ||||
 | SIA931DJ-T1-GE3 | 0.5300 | | 43 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 Dual | SIA931 | Mosfet (Óxido de metal) | 7.8w | Powerpak® SC-70-6 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 30V | 4.5a | 65mohm @ 3a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 13NC @ 10V | 445pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
| SI1988DH-T1-GE3 | - | | 1467 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1988 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.25W | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 1.3a | 168mohm @ 1.4a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 4.1NC @ 8V | 110pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
| SI3443BDV-T1-GE3 | 0.2588 | | 4809 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3443 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 3.6a (TA) | 2.5V, 4.5V | 60mohm @ 4.7a, 4.5V | 1.4V @ 250 µA | 9 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 1.1W (TA) | ||||||
| SI3447CDV-T1-GE3 | - | | 8328 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3447 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 7.8a (TC) | 1.8V, 4.5V | 36mohm @ 6.3a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 30 NC @ 8 V | ± 8V | 910 pf @ 6 V | - | 2W (TA), 3W (TC) | |||||
| SIA419DJ-T1-GE3 | - | | 2404 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | SIA419 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 12a (TC) | 1.2V, 4.5V | 30mohm @ 5.9a, 4.5V | 850MV @ 250 µA | 29 NC @ 5 V | ± 5V | 1500 pf @ 10 V | - | 3.5W (TA), 19W (TC) |
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