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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SI7220DN-T1-GE3 | 1.7700 | ![]() | 71 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 dual | Si7220 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.3w | Powerpak® 1212-8 dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 3.4a | 60mohm @ 4.8a, 10V | 3V @ 250 µA | 20NC @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
IRFB9N65A | - | ![]() | 9250 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRFB9N65 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfb9n65a | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 650 V | 8.5A (TC) | 10V | 930mohm @ 5.1a, 10V | 4V @ 250 µA | 48 NC @ 10 V | ± 30V | 1417 pf @ 25 V | - | 167W (TC) | ||||
![]() | SI6969DQ-T1-GE3 | - | ![]() | 9139 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Si6969 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.1w | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 12V | - | 34mohm @ 4.6a, 4.5V | 450MV @ 250 µA (min) | 40NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
![]() | SiHG40N60E-GE3 | 6.8800 | ![]() | 428 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Sihg40 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 600 V | 40A (TC) | 10V | 75mohm @ 20a, 10v | 4V @ 250 µA | 197 NC @ 10 V | ± 30V | 4436 pf @ 100 V | - | 329W (TC) | |||||
![]() | SI4628DY-T1-GE3 | - | ![]() | 8167 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Skyfet®, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4628 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 38a (TC) | 4.5V, 10V | 3mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 1MA | 87 NC @ 10 V | ± 20V | 3450 pf @ 15 V | - | 3.5W (TA), 7.8W (TC) | |||||
![]() | Si4532ady-t1-e3 | - | ![]() | 2483 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4532 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.13W, 1.2W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Vecino del canal | 30V | 3.7a, 3a | 53mohm @ 4.9a, 10v | 1V @ 250 µA (min) | 16NC @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
![]() | Sir798DP-T1-GE3 | - | ![]() | 6675 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir798 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 2.05ohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 130 NC @ 10 V | ± 20V | 5050 pf @ 15 V | Diodo Schottky (Cuerpo) | 83W (TC) | ||||||
![]() | SiHW30N60E-GE3 | 6.4000 | ![]() | 159 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3 PACK STOTURO | SiHW30 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 247ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 V | 29a (TC) | 10V | 125mohm @ 15a, 10v | 4V @ 250 µA | 130 NC @ 10 V | ± 20V | 2600 pf @ 100 V | - | 250W (TC) | |||||
![]() | SI2374DS-T1-GE3 | 0.4800 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2374 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 4.5a (TA), 5.9a (TC) | 1.8V, 4.5V | 30mohm @ 4a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 8V | 735 pf @ 10 V | - | 960MW (TA), 1.7W (TC) | ||||
![]() | SIA430DJ-T4-GE3 | - | ![]() | 9778 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | SIA430 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 12a (TA), 12a (TC) | 4.5V, 10V | 13.5mohm @ 7a, 10v | 3V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 800 pf @ 10 V | - | 3.5W (TA), 19.2W (TC) | |||||
![]() | SI1912EDH-T1-E3 | - | ![]() | 2372 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1912 | Mosfet (Óxido de metal) | 570MW | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 1.13a | 280mohm @ 1.13a, 4.5V | 450MV @ 100 µA (min) | 1NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
![]() | Sq9945bey-t1_ge3 | 1.1100 | ![]() | 772 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | SQ9945 | Mosfet (Óxido de metal) | 4W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 5.4a | 64mohm @ 3.4a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 12NC @ 10V | 470pf @ 25V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
![]() | Sish108dn-t1-ge3 | 0.7100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen II | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8SH | Sish108 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8SH | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 14a (TA) | 4.5V, 10V | 4.9mohm @ 22a, 10v | 2V @ 250 µA | 30 NC @ 4.5 V | ± 16V | - | 1.5W (TA) | ||||||
![]() | Sir424dp-t1-ge3 | 0.9400 | ![]() | 5859 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir424 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 5.5mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 35 NC @ 10 V | ± 20V | 1250 pf @ 10 V | - | 4.8W (TA), 41.7W (TC) | |||||
![]() | SQ2362ES-T1_GE3 | 0.6700 | ![]() | 4518 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | SQ2362 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 4.3a (TC) | 10V | 95mohm @ 4.5a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 550 pf @ 30 V | - | 3W (TC) | |||||
![]() | SI3493DV-T1-GE3 | - | ![]() | 1209 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3493 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 5.3a (TA) | 1.8V, 4.5V | 27mohm @ 7a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 32 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 1.1W (TA) | |||||
![]() | Sir846Adp-T1-RE3 | 0.8618 | ![]() | 8819 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir846 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 60A (TC) | 6V, 10V | 7.8mohm @ 20a, 10v | 3V @ 250 µA | 66 NC @ 10 V | ± 20V | 2350 pf @ 50 V | - | 83W (TC) | ||||||
![]() | SI3457CDV-T1-BE3 | 0.5400 | ![]() | 777 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SI3457CDV-T1-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 4.1a (TA), 5.1a (TC) | 4.5V, 10V | 74mohm @ 4.1a, 10V | 3V @ 250 µA | 15 NC @ 10 V | ± 20V | 450 pf @ 15 V | - | 2W (TA), 3W (TC) | ||||||
![]() | SIHP24N65E-E3 | 5.7000 | ![]() | 9372 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SIHP24 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | SiHP24N65EE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 650 V | 24a (TC) | 10V | 145mohm @ 12a, 10v | 4V @ 250 µA | 122 NC @ 10 V | ± 30V | 2740 pf @ 100 V | - | 250W (TC) | ||||
![]() | SI1073X-T1-GE3 | - | ![]() | 7601 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | Si1073 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-89 (SOT-563F) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 980MA (TA) | 4.5V, 10V | 173mohm @ 980mA, 10V | 3V @ 250 µA | 9.45 NC @ 10 V | ± 20V | 265 pf @ 15 V | - | 236MW (TA) | ||||
![]() | SI4532CDY-T1-GE3 | 0.6900 | ![]() | 6205 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4532 | Mosfet (Óxido de metal) | 2.78W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Vecino del canal | 30V | 6a, 4.3a | 47mohm @ 3.5a, 10V | 3V @ 250 µA | 9NC @ 10V | 305pf @ 15V | - | |||||||
![]() | Si4634dy-t1-e3 | 1.7700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4634 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 24.5A (TC) | 4.5V, 10V | 5.2mohm @ 15a, 10v | 2.6V @ 250 µA | 68 NC @ 10 V | ± 20V | 3150 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 5.7W (TC) | |||||
![]() | SI1400DL-T1-GE3 | - | ![]() | 9434 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1400 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 1.6a (TA) | 2.5V, 4.5V | 150mohm @ 1.7a, 4.5V | 600mV @ 250 µA (min) | 4 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 568MW (TA) | |||||
![]() | SI4493DY-T1-GE3 | - | ![]() | 4801 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4493 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 20 V | 10a (TA) | 2.5V, 4.5V | 7.75mohm @ 14a, 4.5V | 1.4V @ 250 µA | 110 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 1.5W (TA) | |||||
![]() | Si4636dy-t1-e3 | - | ![]() | 9388 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4636 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 17a (TC) | 4.5V, 10V | 8.5mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 60 NC @ 10 V | ± 16V | 2635 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 4.4W (TC) | ||||
![]() | SI3473DDV-T1-GE3 | 0.5100 | ![]() | 8133 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen III | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3473 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 8a (TC) | 1.8V, 4.5V | 17.8mohm @ 8.7a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 57 NC @ 8 V | ± 8V | 1975 pf @ 6 V | - | 3.6W (TC) | |||||
![]() | SI7623DN-T1-GE3 | 1.6600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7623 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 35A (TC) | 2.5V, 10V | 3.8mohm @ 20a, 10v | 1.5V @ 250 µA | 180 NC @ 10 V | ± 12V | 5460 pf @ 10 V | - | 3.7W (TA), 52W (TC) | |||||
![]() | SI7904BDN-T1-E3 | 1.3200 | ![]() | 8098 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 dual | Si7904 | Mosfet (Óxido de metal) | 17.8w | Powerpak® 1212-8 dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 6A | 30mohm @ 7.1a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 24nc @ 8V | 860pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
![]() | SI8812DB-T2-E1 | 0.4300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-UFBGA | Si8812 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-microfoot | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 2.3a (TA) | 1.2V, 4.5V | 59mohm @ 1a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 17 NC @ 8 V | ± 5V | - | 500MW (TA) | |||||
![]() | Sum40010el-ge3 | 2.8900 | ![]() | 8952 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SUM40010 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 40 V | 120a (TC) | 4.5V, 10V | 1.6mohm @ 30a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 230 NC @ 10 V | ± 20V | 11155 pf @ 30 V | - | 375W (TC) |
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