- RFQ
- Proseperar
- Contáctenos
Tel: +86-0755-83501315
Correo electrónico:sales@sic-components.com
- Chino
- Inglés
- Francés
- Alemán
- portugués
- Español
- ruso
- japonés
- coreano
- árabe
- irlandés
- Griego
- turco
- italiano
- danés
- rumano
- indonesio
- checo
- africaans
- sueco
- Polaco
- vasco
- catalán
- esperanto
- hindi
- Lao
- albanés
- Amárico
- armenio
- Azerbaiyano
- Bielorruso
- bengalí
- bosnio
- búlgaro
- Cebuano
- Chichewa
- corso
- croata
- Holandés
- Estonio
- Filipino
- finlandés
- frisio
- gallego
- georgiano
- Gujarati
- haitiano
- Hausa
- hawaiano
- hebreo
- Hmong
- húngaro
- islandés
- Igbo
- javanés
- Kannada
- Kazáceo
- Jemer
- kurdo
- Kirguistán
- latín
- letón
- lituano
- Luxembou ..
- macedónio
- madagascarí
- malayo
- Malayalam
- maltés
- maorí
- Marathi
- mongol
- birmano
- Nepalí
- noruego
- Pashto
- persa
- punjabi
- serbio
- Sesotho
- Sinhala
- eslovaco
- esloveno
- somalí
- Samoo
- Escocés gaélico
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- swahili
- Tayiko
- Tamil
- Telugu
- tailandés
- ucranio
- Urdu
- Uzbek
- vietnamita
- galés
- Xhosa
- yídish
- Yoruba
- zulú
- Kinyarwanda
- Tártaro
- Oriya
- Turco
- Uigur
Transistores (5716)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI4834BDY-T1-GE3 | - |  | 1812 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4834 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.1w | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 5.7a | 22mohm @ 7.5a, 10v | 3V @ 250 µA | 11NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
| Si4833ady-t1-ge3 | - | | 7676 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4833 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 4.6a (TC) | 4.5V, 10V | 72mohm @ 3.6a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 15 NC @ 10 V | ± 20V | 750 pf @ 15 V | Diodo Schottky (Aislado) | 1.93W (TA), 2.75W (TC) | ||||
| SI4834CDY-T1-E3 | - | | 6914 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4834 | Mosfet (Óxido de metal) | 2.9w | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 8A | 20mohm @ 8a, 10v | 3V @ 1MA | 25nc @ 10V | 950pf @ 15V | - | |||||||
| SI4842BDY-T1-E3 | 2.4800 | | 185 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4842 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 28a (TC) | 4.5V, 10V | 4.2mohm @ 20a, 10v | 3V @ 250 µA | 100 NC @ 10 V | ± 20V | 3650 pf @ 15 V | - | 3W (TA), 6.25W (TC) | |||||
 | SI7501DN-T1-GE3 | - | | 2582 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 dual | SI7501 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.6w | Powerpak® 1212-8 dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N Y Canal P, Drenaje Común | 30V | 5.4a, 4.5a | 35mohm @ 7.7a, 10V | 3V @ 250 µA | 14nc @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
 | SI7862Adp-T1-E3 | 2.2903 | | 9686 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7862 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 16 V | 18a (TA) | 2.5V, 4.5V | 3mohm @ 29a, 4.5V | 2V @ 250 µA | 80 NC @ 4.5 V | ± 8V | 7340 pf @ 8 V | - | 1.9W (TA) | |||||
| SI4778DY-T1-E3 | - | | 8494 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4778 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 25 V | 8a (TC) | 4.5V, 10V | 23mohm @ 7a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 16V | 680 pf @ 13 V | - | 2.4W (TA), 5W (TC) | |||||
 | SIA910EDJ-T1-GE3 | 0.5900 | | 24 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 Dual | SIA910 | Mosfet (Óxido de metal) | 7.8w | Powerpak® SC-70-6 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 12V | 4.5a | 28mohm @ 5.2a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 16NC @ 8V | 455pf @ 6V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
| SI7220DN-T1-GE3 | 1.7700 | | 71 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 dual | Si7220 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.3w | Powerpak® 1212-8 dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 3.4a | 60mohm @ 4.8a, 10V | 3V @ 250 µA | 20NC @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
| Si4569dy-t1-ge3 | - | | 5818 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4569 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.1W, 3.2W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Vecino del canal | 40V | 7.6a, 7.9a | 27mohm @ 6a, 10v | 2V @ 250 µA | 32NC @ 10V | 855pf @ 20V | - | ||||||
| Si4544dy-t1-e3 | - | | 1331 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4544 | Mosfet (Óxido de metal) | 2.4w | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N Y Canal P, Drenaje Común | 30V | - | 35mohm @ 6.5a, 10V | 1V @ 250 µA (min) | 35nc @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
| SI7904BDN-T1-E3 | 1.3200 | | 8098 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 dual | Si7904 | Mosfet (Óxido de metal) | 17.8w | Powerpak® 1212-8 dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 6A | 30mohm @ 7.1a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 24nc @ 8V | 860pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
 | SIA108DJ-T1-GE3 | 0.8800 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | SIA108 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 80 V | 6.6a (TA), 12a (TC) | 7.5V, 10V | 38mohm @ 4a, 10v | 4V @ 250 µA | 13 NC @ 10 V | ± 20V | 545 pf @ 40 V | - | 3.5W (TA), 19W (TC) | |||||
 | SiHW30N60E-GE3 | 6.4000 | | 159 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3 PACK STOTURO | SiHW30 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 247ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 V | 29a (TC) | 10V | 125mohm @ 15a, 10v | 4V @ 250 µA | 130 NC @ 10 V | ± 20V | 2600 pf @ 100 V | - | 250W (TC) | |||||
 | SI6967DQ-T1-E3 | - | | 9745 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Si6967 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.1w | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 8V | - | 30mohm @ 5a, 4.5V | 450MV @ 250 µA (min) | 40NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
| SI4532CDY-T1-GE3 | 0.6900 | | 6205 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4532 | Mosfet (Óxido de metal) | 2.78W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Vecino del canal | 30V | 6a, 4.3a | 47mohm @ 3.5a, 10V | 3V @ 250 µA | 9NC @ 10V | 305pf @ 15V | - | |||||||
| SIA928DJ-T1-GE3 | 0.4800 | | 5011 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 Dual | SIA928 | Mosfet (Óxido de metal) | 7.8w | Powerpak® SC-70-6 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 4.5A (TC) | 25mohm @ 5a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 4.5nc @ 4.5V | 490pf @ 15V | - | |||||||
 | Sq3426ev-t1-ge3 | - | | 9832 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | SQ3426 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 7a (TC) | 42mohm @ 5a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 12 NC @ 4.5 V | 700 pf @ 30 V | - | ||||||||
| SI7884BDP-T1-GE3 | 2.0000 | | 3706 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7884 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 58a (TC) | 4.5V, 10V | 7.5mohm @ 16a, 10v | 3V @ 250 µA | 77 NC @ 10 V | ± 20V | 3540 pf @ 20 V | - | 4.6W (TA), 46W (TC) | |||||
| Si4532ady-t1-e3 | - | | 2483 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4532 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.13W, 1.2W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Vecino del canal | 30V | 3.7a, 3a | 53mohm @ 4.9a, 10v | 1V @ 250 µA (min) | 16NC @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
| Si4626ady-t1-e3 | 0.9923 | | 9189 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4626 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 3.3mohm @ 15a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 125 NC @ 10 V | ± 20V | 5370 pf @ 15 V | - | 3W (TA), 6W (TC) | |||||
| SI3473DDV-T1-GE3 | 0.5100 | | 8133 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen III | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3473 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 8a (TC) | 1.8V, 4.5V | 17.8mohm @ 8.7a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 57 NC @ 8 V | ± 8V | 1975 pf @ 6 V | - | 3.6W (TC) | |||||
| Si4493dy-t1-e3 | - | | 2766 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4493 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 20 V | 10a (TA) | 2.5V, 4.5V | 7.75mohm @ 14a, 4.5V | 1.4V @ 250 µA | 110 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 1.5W (TA) | |||||
 | SQM60030E_GE3 | 3.8400 | | 9254 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SQM60030 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 80 V | 120a (TC) | 10V | 3.2mohm @ 30a, 10V | 3.5V @ 250 µA | 165 nc @ 10 V | ± 20V | 12000 pf @ 25 V | - | 375W (TC) | |||||
 | Sir800DP-T1-RE3 | 0.7090 | | 8957 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen III | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir800 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 50A (TC) | 2.5V, 10V | 2.3mohm @ 15a, 10v | 1.5V @ 250 µA | 133 NC @ 10 V | ± 12V | 5125 pf @ 10 V | - | 69W (TC) | ||||||
 | SI1413DH-T1-GE3 | - | | 3621 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1413 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 2.3a (TA) | 1.8V, 4.5V | 115mohm @ 2.9a, 4.5V | 800mV @ 100 µA | 8.5 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 1W (TA) | |||||
| SIRA26DP-T1-RE3 | 0.7300 | | 1009 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sira26 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 25 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 2.65mohm @ 15a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 44 NC @ 10 V | +16V, -12V | 2247 pf @ 10 V | - | 43.1W (TC) | |||||
 | Irfz48strlpbf | 2.2000 | | 667 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | 1 (ilimitado) | 742-IRFZ48STRLPBFTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 60 V | 50A (TC) | 10V | 18mohm @ 43a, 10v | 4V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 2400 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 190W (TC) | ||||||
 | SI3499DV-T1-BE3 | 1.0000 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SI3499DV-T1-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 8 V | 5.3a (TA) | 1.5V, 4.5V | 23mohm @ 7a, 4.5V | 750MV @ 250 µA | 42 NC @ 4.5 V | ± 5V | - | 1.1W (TA) | |||||||
| SI4638DY-T1-E3 | - | | 5053 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Skyfet®, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4638 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 22.4a (TC) | 4.5V, 10V | 6.5mohm @ 15a, 10v | 2.7V @ 1MA | 100 NC @ 10 V | ± 20V | 4190 pf @ 15 V | - | 3W (TA), 5.9W (TC) |
2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m2
Almacén en stock
Lista de deseos (0 elementos)