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Transistores (5716)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SiHH180N60E-T1-GE3 | 5.0200 |  | 1631 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Sihh180 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 8 x 8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 600 V | 19a (TC) | 10V | 180mohm @ 9.5a, 10v | 5V @ 250 µA | 33 NC @ 10 V | ± 30V | 1085 pf @ 100 V | - | 114W (TC) | |||||
 | SQJ952EP-T1_GE3 | 1.4600 | | 4707 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | SQJ952 | Mosfet (Óxido de metal) | 25W (TC) | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 23a (TC) | 20mohm @ 10.3a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 30NC @ 10V | 1800pf @ 30V | - | |||||||
 | SIHG28N65EF-GE3 | 4.3436 | | 8591 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | SiHG28 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 650 V | 28a (TC) | 10V | 117mohm @ 14a, 10v | 4V @ 250 µA | 146 NC @ 10 V | ± 30V | 3249 pf @ 100 V | - | 250W (TC) | |||||
 | Sisha18adn-t1-ge3 | 0.8100 | | 12 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8SH | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8SH | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 22a (TA), 60a (TC) | 4.5V, 10V | 4.6mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 33 NC @ 10 V | +20V, -16V | 1650 pf @ 15 V | - | 3.5W (TA), 26.5W (TC) | ||||||
 | Si4866bdy-t1-ge3 | - | | 7295 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4866 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 12 V | 21.5a (TC) | 1.8V, 4.5V | 5.3mohm @ 12a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 80 NC @ 4.5 V | ± 8V | 5020 pf @ 6 V | - | 2.5W (TA), 4.45W (TC) | |||||
 | IRF540S | - | | 4807 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF540 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRF540S | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 28a (TC) | 10V | 77mohm @ 17a, 10v | 4V @ 250 µA | 72 NC @ 10 V | ± 20V | 1700 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 150W (TC) | |||
| Si4622dy-T1-E3 | - | | 2414 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Skyfet®, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4622 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.3W, 3.1W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 8A | 16mohm @ 9.6a, 10V | 2.5V @ 1MA | 60nc @ 10V | 2458pf @ 15V | - | ||||||
 | SI7100DN-T1-E3 | - | | 4211 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7100 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 8 V | 35A (TC) | 2.5V, 4.5V | 3.5mohm @ 15a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 105 NC @ 8 V | ± 8V | 3810 pf @ 4 V | - | 3.8W (TA), 52W (TC) | ||||
 | SQD50P08-28_GE3 | 2.7600 | | 4091 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | SQD50 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | Canal P | 80 V | 48a (TC) | 10V | 28mohm @ 12.5a, 10V | 3.5V @ 250 µA | 145 NC @ 10 V | ± 20V | 6035 pf @ 25 V | - | 136W (TC) | |||||
| IRF720Strr | - | | 5118 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF720 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 400 V | 3.3a (TC) | 10V | 1.8ohm @ 2a, 10v | 4V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 410 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 50W (TC) | ||||
| SI4464DY-T1-GE3 | 1.4000 | | 3268 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4464 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 200 V | 1.7a (TA) | 6V, 10V | 240mohm @ 2.2a, 10v | 4V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.5W (TA) | ||||||
| SI7129DN-T1-GE3 | 0.9900 | | 12 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7129 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 11.4mohm @ 14.4a, 10v | 2.8V @ 250 µA | 71 NC @ 10 V | ± 20V | 3345 pf @ 15 V | - | 3.8W (TA), 52.1W (TC) | |||||
 | SQM200N04-1M8_GE3 | 1.8981 | | 1150 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) | Sqm200 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 263-7 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 40 V | 200a (TC) | 10V | 1.8mohm @ 30a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 310 NC @ 10 V | ± 20V | 17350 pf @ 25 V | - | 375W (TC) | ||||||
| Si4214dy-t1-ge3 | - | | 7433 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4214 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.1W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 8.5A | 23.5mohm @ 7a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 23nc @ 10V | 785pf @ 15V | - | |||||||
| IRFP460 | - | | 5606 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFP460 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 500 V | 20A (TC) | 10V | 270mohm @ 12a, 10v | 4V @ 250 µA | 210 NC @ 10 V | ± 20V | 4200 pf @ 25 V | - | 280W (TC) | ||||
 | SI7155DP-T1-GE3 | 2.0900 | | 5042 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen III | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7155 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 40 V | 31a (TA), 100a (TC) | 4.5V, 10V | 3.6mohm @ 20a, 10v | 2.3V @ 250 µA | 330 NC @ 10 V | ± 20V | 12900 pf @ 20 V | - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
 | IRF730AlPBF | - | | 7830 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IRF730 | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 400 V | 5.5a (TC) | 10V | 1ohm @ 3.3a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 22 NC @ 10 V | ± 30V | 600 pf @ 25 V | - | 74W (TC) | ||||
 | IRL630PBF | 2.3500 | | 4949 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRL630 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *IRL630pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 200 V | 9A (TC) | 4V, 5V | 400mohm @ 5.4a, 5V | 2V @ 250 µA | 40 NC @ 10 V | ± 10V | 1100 pf @ 25 V | - | 74W (TC) | ||||
| SiHW33N60E-GE3 | 6.6800 | | 9981 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3 PACK STOTURO | SiHW33 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 247ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 480 | N-canal | 600 V | 33A (TC) | 10V | 99mohm @ 16.5a, 10v | 4V @ 250 µA | 150 NC @ 10 V | ± 30V | 3508 pf @ 100 V | - | 278W (TC) | |||||
 | SQJ262EP-T1_GE3 | 1.3600 | | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | SQJ262 | Mosfet (Óxido de metal) | 27W (TC), 48W (TC) | Powerpak® SO-8 dual asimétrico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 15A (TC), 40A (TC) | 35.5mohm @ 2a, 10v, 15.5mohm @ 5a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 10nc @ 10V, 23nc @ 10V | 550pf @ 25V, 1260pf @ 25V | - | |||||||
 | SiJ478DP-T1-GE3 | 1.6400 | | 1468 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | SiJ478 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 80 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 8mohm @ 20a, 10v | 2.6V @ 250 µA | 54 NC @ 10 V | ± 20V | 1855 pf @ 40 V | - | 5W (TA), 62.5W (TC) | |||||
| Si4348dy-t1-e3 | - | | 2016 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4348 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 8a (TA) | 4.5V, 10V | 12.5mohm @ 11a, 10v | 2V @ 250 µA | 23 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 1.31W (TA) | ||||||
 | Siha24n65ef-e3 | 3.0944 | | 5102 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Siha24 | Mosfet (Óxido de metal) | Paquete entero de 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 650 V | 24a (TC) | 10V | 156mohm @ 12a, 10v | 4V @ 250 µA | 122 NC @ 10 V | ± 30V | 2774 pf @ 100 V | - | 39W (TC) | |||||
| V30393-T1-E3 | - | | 1069 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | V30393 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 2.500 | |||||||||||||||||||||
 | SI6413DQ-T1-GE3 | - | | 3197 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Si6413 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 7.2a (TA) | 1.8V, 4.5V | 10mohm @ 8.8a, 4.5V | 800mv @ 400 µA | 105 NC @ 5 V | ± 8V | - | 1.05W (TA) | |||||
 | SI2302CDS-T1-GE3 | 0.5100 | | 17 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2302 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 2.6a (TA) | 2.5V, 4.5V | 57mohm @ 3.6a, 4.5V | 850MV @ 250 µA | 5.5 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 710MW (TA) | |||||
 | SI3812DV-T1-GE3 | - | | 4771 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3812 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 2a (TA) | 2.5V, 4.5V | 125mohm @ 2.4a, 4.5V | 600mV @ 250 µA (min) | 4 NC @ 4.5 V | ± 12V | Diodo Schottky (Aislado) | 830MW (TA) | |||||
| IRF737LC | - | | 2980 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF737 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | *IRF737LC | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 300 V | 6.1a (TC) | 10V | 750mohm @ 3.7a, 10V | 4V @ 250 µA | 17 NC @ 10 V | ± 30V | 430 pf @ 25 V | - | 74W (TC) | ||||
| SI6410DQ-T1-E3 | - | | 5357 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | SI6410 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 7.8a (TA) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 7.8a, 10v | 1V @ 250 µA (min) | 33 NC @ 5 V | ± 20V | - | 1.5W (TA) | |||||
 | SI1302DL-T1-GE3 | 0.4400 | | 1190 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | Si1302 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 600 mA (TA) | 4.5V, 10V | 480mohm @ 600 mA, 10V | 3V @ 250 µA | 1.4 NC @ 10 V | ± 20V | - | 280MW (TA) |
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