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Transistores (5716)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFS9N60ATRLPBF | 3.6100 |  | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRFS9 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 600 V | 9.2a (TC) | 10V | 750mohm @ 5.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 49 NC @ 10 V | ± 30V | 1400 pf @ 25 V | - | 170W (TC) | |||||
 | SI5414DC-T1-GE3 | - | | 9131 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Si5414 | Mosfet (Óxido de metal) | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 6a (TC) | 2.5V, 4.5V | 17mohm @ 9.9a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 41 NC @ 10 V | ± 12V | 1500 pf @ 10 V | - | 2.5W (TA), 6.3W (TC) | ||||
 | SI1563DH-T1-GE3 | - | | 8658 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1563 | Mosfet (Óxido de metal) | 570MW | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 20V | 1.13a, 880 mA | 280mohm @ 1.13a, 4.5V | 1V @ 100 µA | 2NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | IRLR024TRPBF | 1.2900 | | 709 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRLR024 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 60 V | 14a (TC) | 4V, 5V | 100mohm @ 8.4a, 5V | 2V @ 250 µA | 18 NC @ 5 V | ± 10V | 870 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
 | SQJA70EP-T1_GE3 | 0.8300 | | 2002 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sqja70 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 14.7a (TC) | 10V | 95mohm @ 4a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 7 NC @ 10 V | ± 20V | 220 pf @ 25 V | - | 27W (TC) | |||||
 | SQJB00EP-T1_GE3 | 1.3100 | | 9293 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Sqjb00 | Mosfet (Óxido de metal) | 48W | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 30A (TC) | 13mohm @ 10a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 35nc @ 10V | 1700pf @ 25V | - | |||||||
 | IRL510 | - | | 8733 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRL510 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRL510 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 100 V | 5.6a (TC) | 4V, 5V | 540mohm @ 3.4a, 5V | 2V @ 250 µA | 6.1 NC @ 5 V | ± 10V | 250 pf @ 25 V | - | 43W (TC) | |||
 | SIA459EDJ-T1-GE3 | 0.5000 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | SIA459 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 9A (TC) | 2.5V, 4.5V | 35mohm @ 5a, 4.5V | 1.2V @ 250 µA | 30 NC @ 10 V | ± 12V | 885 pf @ 10 V | - | 2.9W (TA), 15.6W (TC) | |||||
 | SI1307EDL-T1-GE3 | - | | 3574 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | Si1307 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 850mA (TA) | 1.8V, 4.5V | 290mohm @ 1a, 4.5V | 450MV @ 250 µA (min) | 5 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 290MW (TA) | |||||
| IRF9540Strl | - | | 7576 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF9540 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 100 V | 19a (TC) | 10V | 200mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 61 NC @ 10 V | ± 20V | 1400 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 150W (TC) | ||||
 | SI4712DY-T1-GE3 | - | | 6991 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Skyfet®, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4712 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 14.6a (TC) | 4.5V, 10V | 13mohm @ 15a, 10v | 2.5V @ 1MA | 28 NC @ 10 V | ± 20V | 1084 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 5W (TC) | |||||
| SI4401BDY-T1-E3 | 1.9500 | | 21 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4401 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 40 V | 8.7a (TA) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 10.5a, 10v | 3V @ 250 µA | 55 NC @ 5 V | ± 20V | - | 1.5W (TA) | ||||||
 | Sir4608DP-T1-GE3 | 1.1600 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir4608 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 13.1a (TA), 42.8a (TC) | 7.5V, 10V | 11.8mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 740 pf @ 30 V | - | 3.6W (TA), 39W (TC) | |||||
 | Irfiz14gpbf | 1.6400 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Irfiz14 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfiz14gpbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 V | 8a (TC) | 10V | 200mohm @ 4.8a, 10V | 4V @ 250 µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 300 pf @ 25 V | - | 27W (TC) | ||||
 | SUP90330E-GE3 | 1.6700 | | 1029 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SUP90330 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 200 V | 35.8a (TC) | 7.5V, 10V | 37.5mohm @ 12.2a, 10V | 4V @ 250 µA | 32 NC @ 10 V | ± 20V | 1172 pf @ 100 V | - | 125W (TC) | |||||
| IRFBF30SPBF | - | | 5195 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Irfbf30 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfbf30spbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 900 V | 3.6a (TC) | 10V | 3.7ohm @ 2.2a, 10V | 4V @ 250 µA | 78 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | |||
 | SI7997DP-T1-GE3 | 2.2000 | | 17 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Si7997 | Mosfet (Óxido de metal) | 46W | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 30V | 60A | 5.5mohm @ 20a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 160NC @ 10V | 6200pf @ 15V | - | |||||||
| IRFR9010TRLPBF | 0.6468 | | 5029 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR9010 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 50 V | 5.3a (TC) | 10V | 500mohm @ 2.8a, 10V | 4V @ 250 µA | 9.1 NC @ 10 V | ± 20V | 240 pf @ 25 V | - | 25W (TC) | |||||
 | IRFP440 | - | | 2752 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFP440 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFP440 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 500 V | 8.8a (TC) | 10V | 850mohm @ 5.3a, 10V | 4V @ 250 µA | 63 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||
| Si4396dy-t1-e3 | - | | 2864 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4396 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 16a (TC) | 4.5V, 10V | 11.5mohm @ 10a, 10v | 2.6V @ 250 µA | 45 NC @ 10 V | ± 20V | 1675 pf @ 15 V | - | 3.1W (TA), 5.4W (TC) | ||||
 | SI7856AdP-T1-GE3 | - | | 3041 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7856 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 15a (TA) | 4.5V, 10V | 3.7mohm @ 25A, 10V | 3V @ 250 µA | 55 NC @ 4.5 V | ± 20V | - | 1.9W (TA) | |||||
 | SUD15N15-95-BE3 | 2.2000 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud15 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SUD15N15-95-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 150 V | 15A (TC) | 6V, 10V | 95mohm @ 15a, 10v | 2V @ 250 µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 900 pf @ 25 V | - | 2.7W (TA), 62W (TC) | |||||
 | SQM47N10-24L_GE3 | 2.3700 | | 800 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sqm47 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 V | 47a (TC) | 4.5V, 10V | 24mohm @ 40a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 72 NC @ 10 V | ± 20V | 3620 pf @ 25 V | - | 136W (TC) | |||||
 | SI3407DV-T1-BE3 | 0.5100 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3407 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 7.5a (TA), 8a (TC) | 2.5V, 4.5V | 24mohm @ 7.5a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 63 NC @ 10 V | ± 12V | 1670 pf @ 10 V | - | 2W (TA), 4.2W (TC) | ||||||
| IRLZ44S | - | | 2734 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRLZ44 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRLZ44S | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 V | 50A (TC) | 4V, 5V | 28mohm @ 31a, 5V | 2V @ 250 µA | 66 NC @ 5 V | ± 10V | 3300 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 150W (TC) | |||
 | 2N6660JTVP02 | - | | 7427 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 2N6660 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-205Ad (TO-39) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 20 | N-canal | 60 V | 990MA (TC) | 5V, 10V | 3ohm @ 1a, 10v | 2v @ 1 mapa | ± 20V | 50 pf @ 25 V | - | 725MW (TA), 6.25W (TC) | |||||
| Si4483yed-T1-E3 | - | | 9257 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4483 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 10a (TA) | 4.5V, 10V | 8.5mohm @ 14a, 10v | 3V @ 250 µA | ± 25V | - | 1.5W (TA) | ||||||
| IRFR9220TRPBF | 1.0490 | | 6008 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR9220 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 200 V | 3.6a (TC) | 10V | 1.5ohm @ 2.2a, 10v | 4V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 340 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
 | IRFU310 | - | | 3673 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | IRFU3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfu310 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 400 V | 1.7a (TC) | 10V | 3.6ohm @ 1a, 10v | 4V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 170 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||
 | Irfd9024pbf | 1.6700 | | 31 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Irfd9024 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-hvmdip | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfd9024pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 60 V | 1.6a (TA) | 10V | 280MOHM @ 960MA, 10V | 4V @ 250 µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 570 pf @ 25 V | - | 1.3W (TA) |
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