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Transistores (5716)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Si4836dy-t1-e3 | - |  | 1219 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4836 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 12 V | 17a (TA) | 1.8V, 4.5V | 3mohm @ 25A, 4.5V | 400MV @ 250 µA (min) | 75 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 1.6w (TA) | |||||
 | SQJ260EP-T1_GE3 | 1.4800 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | SQJ260 | Mosfet (Óxido de metal) | 27W (TC), 48W (TC) | Powerpak® SO-8 dual asimétrico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 20A (TC), 54A (TC) | 19mohm @ 6a, 10v, 8.5mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 20nc @ 10V, 40nc @ 10V | 1100pf @ 25V, 2500pf @ 25V | - | |||||||
 | SiHP065N60E-BE3 | 7.2600 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 40A (TC) | 10V | 65mohm @ 16a, 10v | 5V @ 250 µA | 74 NC @ 10 V | ± 30V | 2700 pf @ 100 V | - | 250W (TC) | |||||||
 | SI1305EDL-T1-GE3 | - | | 8541 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | Si1305 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 8 V | 860MA (TA) | 1.8V, 4.5V | 280mohm @ 1a, 4.5V | 450MV @ 250 µA (min) | 4 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 290MW (TA) | |||||
 | Irfiz46g | - | | 7235 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | - | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Irfiz46 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | *Irfiz46g | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 50 V | - | - | - | - | - | ||||||||
 | SQ3426EV-T1_GE3 | 0.7700 | | 498 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | SQ3426 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 7a (TC) | 4.5V, 10V | 42mohm @ 5a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 12 NC @ 4.5 V | ± 20V | 720 pf @ 30 V | - | 5W (TC) | ||||
 | SUD23N06-31L-T4-E3 | 0.9800 | | 4866 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud23 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 V | 23a (TC) | 4.5V, 10V | 31mohm @ 15a, 10v | 3V @ 250 µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | 670 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 100W (TC) | |||||
| Si4320dy-t1-ge3 | - | | 7409 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4320 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 17a (TA) | 4.5V, 10V | 3mohm @ 25A, 10V | 3V @ 250 µA | 70 NC @ 4.5 V | ± 20V | 6500 pf @ 15 V | - | 1.6w (TA) | ||||
 | SIHG052N60EF-GE3 | 6.7400 | | 28 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Sihg052 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 V | 48a (TC) | 10V | 52mohm @ 23a, 10v | 5V @ 250 µA | 101 NC @ 10 V | ± 30V | 3380 pf @ 100 V | - | 278W (TC) | |||||
| Si4972dy-t1-ge3 | - | | 6328 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4972 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.1W, 2.5W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 10.8a, 7.2a | 14.5mohm @ 6a, 10v | 3V @ 250 µA | 28NC @ 10V | 1080pf @ 15V | - | ||||||
 | SISS32DN-T1-GE3 | 1.3000 | | 17 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8s | SISS32 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8s | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 80 V | 17.4a (TA), 63A (TC) | 7.5V, 10V | 7.2mohm @ 10a, 10v | 3.8V @ 250 µA | 42 NC @ 10 V | ± 20V | 1930 pf @ 40 V | - | 5W (TA), 65.7W (TC) | |||||
| SiHG22N60AEL-GE3 | 4.2400 | | 49 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | El | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | SiHG22 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 600 V | 21a (TC) | 10V | 180mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 82 NC @ 10 V | ± 30V | 1757 pf @ 100 V | - | 208W (TC) | |||||
| SiHP6N40D-BE3 | 1.1400 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 400 V | 6a (TC) | 10V | 1ohm @ 3a, 10v | 5V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 30V | 311 pf @ 100 V | - | 104W (TC) | |||||||
| Si4354dy-t1-e3 | - | | 4280 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4354 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 9.5a (TA) | 4.5V, 10V | 16.5mohm @ 9.5a, 10v | 1.6V @ 250 µA | 10.5 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 2.5W (TA) | |||||
| Si4559ady-t1-ge3 | 1.5800 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4559 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.1W, 3.4W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Vecino del canal | 60V | 5.3a, 3.9a | 58mohm @ 4.3a, 10v | 3V @ 250 µA | 20NC @ 10V | 665pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
 | SI7901EDN-T1-E3 | - | | 9765 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 dual | Si7901 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.3w | Powerpak® 1212-8 dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 4.3a | 48mohm @ 6.3a, 4.5V | 1V @ 800 µA | 18NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | Irfz24pbf-be3 | 1.6400 | | 188 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRFZ24 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | 742-IRFZ24PBF-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 V | 17a (TC) | 100mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250 µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 640 pf @ 25 V | - | 60W (TC) | ||||||
 | SI7945DP-T1-GE3 | - | | 7821 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Si7945 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.4w | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 30V | 7A | 20mohm @ 10.9a, 10v | 3V @ 250 µA | 74nc @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
| Irfi9530g | - | | 3483 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Irfi9530 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfi9530g | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Canal P | 100 V | 7.7a (TC) | 10V | 300mohm @ 4.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 860 pf @ 25 V | - | 42W (TC) | |||
| SIHP074N65E-GE3 | 7.6800 | | 9332 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 650 V | 35A (TC) | 10V | 79mohm @ 15a, 10v | 5V @ 250 µA | 80 NC @ 10 V | ± 30V | 2904 pf @ 100 V | - | 250W (TC) | ||||||
 | SI1035X-T1-GE3 | 0.4600 | | 7 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | SI1035 | Mosfet (Óxido de metal) | 250MW | SC-89 (SOT-563F) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 20V | 180 Ma, 145 Ma | 5ohm @ 200ma, 4.5V | 400MV @ 250 µA (min) | 0.75nc @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | SI6926ADQ-T1-E3 | 0.9700 | | 31 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Si6926 | Mosfet (Óxido de metal) | 830MW | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 4.1a | 30mohm @ 4.5a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 10.5nc @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | IRF820Strl | - | | 4930 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF820 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 500 V | 2.5A (TC) | 10V | 3ohm @ 1.5a, 10v | 4V @ 250 µA | 24 NC @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 50W (TC) | ||||
 | Siud403ed-t1-ge3 | 0.3800 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen III | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 0806 | Siud403 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 0806 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 500 mA (TA) | 1.5V, 4.5V | 1.25ohm @ 300mA, 4.5V | 900MV @ 250 µA | 1 NC @ 4.5 V | ± 8V | 31 pf @ 10 V | - | 1.25W (TA) | |||||
 | SI3493BDV-T1-GE3 | 0.9600 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3493 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 8a (TC) | 1.8V, 4.5V | 27.5mohm @ 7a, 4.5V | 900MV @ 250 µA | 43.5 NC @ 5 V | ± 8V | 1805 pf @ 10 V | - | 2.08W (TA), 2.97W (TC) | |||||
 | Sir180Adp-T1-RE3 | 1.9300 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir180 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 35A (TA), 137A (TC) | 7.5V, 10V | 2.2mohm @ 10a, 10v | 3.6V @ 250 µA | 70 NC @ 10 V | ± 20V | 3280 pf @ 30 V | - | 5.4W (TA), 83.3W (TC) | ||||||
 | SIRA18DP-T1-GE3 | 0.6300 | | 911 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sira18 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 33A (TC) | 4.5V, 10V | 7.5mohm @ 10a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 21.5 NC @ 10 V | +20V, -16V | 1000 pf @ 15 V | - | 3.3W (TA), 14.7W (TC) | |||||
 | Sihu5n50d-ge3 | 1.0400 | | 2754 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Sihu5 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 500 V | 5.3a (TC) | 10V | 1.5ohm @ 2.5a, 10V | 5V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 30V | 325 pf @ 100 V | - | 104W (TC) | |||||
| SI7149DP-T1-GE3 | 1.5800 | | 30 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7149 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 5.2mohm @ 15a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 147 NC @ 10 V | ± 25V | 4590 pf @ 15 V | - | 69W (TC) | |||||
| Si4456dy-t1-ge3 | 1.2758 | | 5606 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4456 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 40 V | 33A (TC) | 4.5V, 10V | 3.8mohm @ 20a, 10v | 2.8V @ 250 µA | 122 NC @ 10 V | ± 20V | 5670 pf @ 20 V | - | 3.5W (TA), 7.8W (TC) |
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