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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) | Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID | Real - Corte de Coleción (Max) | Resistencia - RDS (ON) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Figura de Ruido (db typ @ f) | Drenaje real (ID) - Max |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2N2218 PBFree | 1.2173 | ![]() | 9757 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 3 W | To-39 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | 30 V | 800 Ma | 10NA (ICBO) | NPN | 1V @ 50 Ma, 500 Ma | 40 @ 150mA, 10V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||
2N5884 PBFree | 7.6200 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tubo | La Última Vez Que Compre | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-204AA, TO-3 | 200 W | A 3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 20 | 80 V | 25 A | 2mera | PNP | 4V @ 6.25a, 25a | 20 @ 10a, 4V | 4MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Bcy59-x pbfree | 1.0545 | ![]() | 4591 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | Bcy59 | 1 W | Un 18 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 2,000 | 45 V | 100 mA | 10NA (ICBO) | NPN | 700mv @ 2.5mA, 100 mA | 380 @ 2mA, 5V | 150MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | CJD200 TR13 | - | ![]() | 6649 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | CJD200 | 1.4 W | Dpak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 25 V | 5 A | 100NA (ICBO) | NPN | 1.8v @ 1a, 5a | 45 @ 2a, 1v | 65MHz | ||||||||||||||||||||||
Cen895 | - | ![]() | 8230 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | TO-78-6 METAL CAN | Cen8 | - | Un 78-6 | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3583 PBFree | 13.1200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tubo | Obsoleto | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO13AA, TO-66-2 | 35 W | TO-66 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 175 V | 1 A | 10 Ma | NPN | 5V @ 125MA, 1A | 40 @ 500mA, 10V | 10MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | CP216-2N4856-CM | - | ![]() | 1149 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Banda | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | Morir | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1514-CP216-2N4856-CM | 0000.00.0000 | 400 | N-canal | 40 V | 18pf @ 10V | 40 V | 50 mA @ 15 V | 4 V @ 0.5 na | 25 ohmios | 50 Ma | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5367 PBFree | 0.3551 | ![]() | 1976 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 MW | Un 92 | - | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 2.500 | 40 V | 300 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 1v @ 30 mm, 300 mA | 100 @ 50mA, 1V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | CMPT3019 TR PBFREE | 0.3600 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | CMPT3019 | 350 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 80 V | 500 mA | 10NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150mA, 10V | 400MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5232A PBFree | 0.6900 | ![]() | 28 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.500 | 50 V | 100 mA | 30NA | NPN | 125mv @ 1 mapa, 10 ma | 250 @ 2mA, 5V | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | CJD112 TR13 | - | ![]() | 4323 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | CJD112 | 1.75 W | Dpak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 100 V | 2 A | 20 µA | NPN - Darlington | 3V @ 40mA, 4A | 1000 @ 2a, 3V | 25MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | BC212A PBFree | 0.2475 | ![]() | 6042 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | BC212 | 300 MW | Un 92 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 2.500 | 50 V | 200 MA | 15NA (ICBO) | PNP | 600mv @ 5 Ma, 100 Ma | 100 @ 2mA, 5V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | BCY79-VII PBFree | 1.0545 | ![]() | 3006 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | Bcy79 | 1 W | Un 18 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 2,000 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | PNP | 800mv @ 2.5 mA, 100 mA | 120 @ 2mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||
2N3810 | - | ![]() | 3429 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-78-6 METAL CAN | 2N380 | 600MW | Un 78-6 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2N3810CS | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 60V | 50mera | 10NA (ICBO) | 2 PNP (dual) | 250 MV @ 1 MMA, 100 µA | 150 @ 1 MMA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | CP396V-2N2369A-CT | - | ![]() | 4418 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Banda | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0040 | 1 | 15 V | 200 MA | 400NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 10 Ma, 100 Ma | 40 @ 10mA, 1V | 500MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | CMPT3820 TR PBFREE | 0.4400 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | CMPT3820 | 350 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 60 V | 1 A | 100NA (ICBO) | NPN | 280mv @ 100 mm, 1a | 200 @ 500mA, 5V | 150MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | Mpsh81 tre | - | ![]() | 3906 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | - | Un 92-3 | - | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | - | 20V | 50mera | PNP | 60 @ 5 mm, 10v | 600MHz | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | CZT5551E BK | - | ![]() | 8586 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | CZT5551 | 2 W | SOT-223 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 220 V | 600 mA | 50NA | NPN | 100mv @ 5 mm, 50 Ma | 120 @ 10mA, 5V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | CJD41C TR13 PBFree | - | ![]() | 5004 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | CJD41 | 1.75 W | Dpak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 100 V | 6 A | 50 µA | NPN | 1.5V @ 600mA, 6a | 15 @ 3a, 4V | 3MHz | ||||||||||||||||||||||
2N3253 lata/plomo | - | ![]() | 3460 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | To-39 | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | 75 V | 500NA (ICBO) | NPN | - | 25 @ 500mA, 1V | 175MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | CTLDM303N-M832DS BK | - | ![]() | 5880 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8-tdfn | CTLDM303N | Mosfet (Óxido de metal) | 1.65W | TLM832DS | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 3.6a (TA) | 40mohm @ 1.8a, 4.5V | 1.25V @ 250 µA | 13NC @ 4.5V | 590pf @ 10V | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | CJD340 TR13 LATA/PLOMO | - | ![]() | 5649 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 1.56 W | Dpak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 1514-CJD340TR13TIN/Leadtr | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 300 V | 500 mA | 100 µA | NPN | 1V @ 10 Ma, 100 Ma | 30 @ 50mA, 10V | 10MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | CMPT4209 BK | - | ![]() | 3113 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | descascar | Alcanzar sin afectado | 1514-CMPT4209BK | Obsoleto | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDM3-800 TR13 PBFREE | - | ![]() | 9845 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | CDM3-800 | Mosfet (Óxido de metal) | Dpak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 800 V | 3A (TC) | 10V | 4.8ohm @ 1.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 11.3 NC @ 10 V | 30V | 415 pf @ 25 V | - | 80W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | CTLDM8002A-M621H BK | - | ![]() | 8916 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-xfdfn almohadilla exposición | Mosfet (Óxido de metal) | TLM621H | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | Canal P | 50 V | 280MA (TA) | 5V, 10V | 2.5ohm @ 500 mA, 10V | 2.5V @ 250 µA | 0.72 NC @ 4.5 V | 20V | 70 pf @ 25 V | - | 1.6w (TA) | |||||||||||||||||||||
![]() | CWDM3011P TR13 PBFree | 0.9300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | CWDM3011 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 11a (TA) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 11a, 10v | 3V @ 250 µA | 80 NC @ 10 V | 20V | 3100 pf @ 8 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||
![]() | CZT3055 BK Tin/Plomo | - | ![]() | 3865 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1514-CZT3055BKTIN/Plomo | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMUDM7001 TR PBFREE | 0.5000 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-89, SOT-490 | CMUDM7001 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-523 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 100 mA (TA) | 1.5V, 4V | 3ohm @ 10mA, 4V | 900MV @ 250 µA | 0.57 NC @ 4.5 V | 10V | 9 pf @ 3 V | - | 250MW (TA) | ||||||||||||||||||
![]() | 2N5210 PBFree | 0.5600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 350 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.500 | 50 V | 50 Ma | 50NA (ICBO) | NPN | 700mv @ 1 MMA, 10 Ma | 200 @ 100 µA, 5V | 30MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5770 PBFree | 0.4700 | ![]() | 48 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 2.500 | - | 15V | 50mera | NPN | 50 @ 8MA, 1V | 900MHz | 6dB @ 60MHz |
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