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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Figura de Ruido (db typ @ f) |
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![]() | CZT5551E TR | - | ![]() | 3788 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | CZT5551 | 2 W | SOT-223 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 220 V | 600 mA | 50NA | NPN | 100mv @ 5 mm, 50 Ma | 120 @ 10mA, 5V | 300MHz | |||||||||||||||||
![]() | CTLDM7120-M832D BK | - | ![]() | 8278 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8-tdfn | CTLDM7120 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.65W | TLM832D | descascar | 1514-CTLDM7120-M832DBK | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 1A | 100mohm @ 500 mA, 4.5V | 1.2V @ 1MA | 2.4nc @ 4.5V | 220pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||
![]() | 2N3054A LATA/Plomo | - | ![]() | 4378 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1514-2N3054ATIN/Plomo | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
2N1711 PBFree | 2.3400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Caja | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 800 MW | To-39 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 500 | 50 V | 500 mA | 10NA (ICBO) | NPN | 1.5V @ 15 Ma, 150 Ma | 100 @ 150mA, 10V | 70MHz | |||||||||||||||||||
![]() | CTLDM7590 TR | 0.5300 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-xfdfn | Mosfet (Óxido de metal) | Tlm3d6d8 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 | Canal P | 20 V | 140MA (TA) | 1.2V, 4.5V | 5ohm @ 100 mm, 4.5V | 1V @ 250 µA | 0.5 NC @ 4.5 V | 8V | 10 pf @ 15 V | - | 125MW (TA) | |||||||||||||||
2N2915 | - | ![]() | 7827 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | TO-78-6 METAL CAN | 2N291 | 600MW | Un 78-6 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 45V | 30mera | - | 2 NPN (dual) | - | 60 @ 10 µA, 5V | 60MHz | ||||||||||||||||||
![]() | CTLDM7120-M832DS TR | - | ![]() | 6730 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8-tdfn | CTLDM7120 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.65W | TLM832DS | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 1a (TA) | 100mohm @ 500 mA, 4.5V | 1.2V @ 1MA | 2.4nc @ 4.5V | 220pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||
![]() | CZT32C TR | - | ![]() | 7783 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | 2 W | SOT-223 | descascar | Alcanzar sin afectado | 1514-CZT32CTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 V | 3 A | 300 µA | 1.2V @ 375MA, 3A | 25 @ 1a, 4v | 3MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | BSS52 | - | ![]() | 7117 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 800 MW | To-39 | descascar | Alcanzar sin afectado | 1514-BSS52 | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 80 V | 1 A | 50NA (ICBO) | NPN - Darlington | 1.6V @ 4MA, 1A | 2000 @ 500mA, 10V | - | |||||||||||||||||||
![]() | Cyt5551d TR | - | ![]() | 7168 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sot-228 | Cyt5551 | 2W | Sot-228 | descascar | 1514-CYT5551DTR | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 160V | 600mA | 50NA (ICBO) | 2 NPN (dual) | 200 MV a 5 mm, 50 Ma | 80 @ 10mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||
![]() | CEDM7004 TR PBFREE | 0.6100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-101, SOT-883 | CEDM7004 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-883 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 8,000 | N-canal | 30 V | 1.78a (TA) | 1.8V, 4.5V | 460mohm @ 200Ma, 4.5V | 1V @ 250 µA | 0.79 NC @ 4.5 V | 8V | 43 pf @ 25 V | - | 100MW (TA) | |||||||||||||
![]() | TIP112 | - | ![]() | 9631 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 50 W | Un 220-3 | descascar | Alcanzar sin afectado | 1514-tip112 | Obsoleto | 1 | 100 V | 2 A | 2mera | NPN - Darlington | 2.5V @ 8MA, 2A | 1000 @ 1a, 4V | 25MHz | ||||||||||||||||||||
2N3701 | - | ![]() | 6764 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 1.8 W | Un 18 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 2N3701 PBFree | EAR99 | 8541.29.0075 | 2,000 | 80 V | 1 A | 10NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150mA, 10V | 80MHz | |||||||||||||||||||
![]() | CP617-CM4957-CT | - | ![]() | 1099 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | - | Morir | - | 1514-CP617-CM4957-CT | Obsoleto | 500 | 25db | 25V | 30mera | PNP | 20 @ 2mA, 10V | 2.5 GHz | - | |||||||||||||||||||||
![]() | CTLDM8120-M621H TR | - | ![]() | 3061 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-xfdfn almohadilla exposición | Mosfet (Óxido de metal) | TLM621H | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 950 mA (TA) | 1.8V, 4.5V | 150MOHM @ 950MA, 4.5V | 1V @ 250 µA | 3.56 NC @ 4.5 V | 8V | 200 pf @ 16 V | - | 1.6w (TA) | ||||||||||||||||
![]() | MPS650 LATA/Plomo | 0.5100 | ![]() | 41 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 MW | Un 92-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.500 | 40 V | 2 A | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 200MA, 2a | 75 @ 1a, 2v | 75MHz | ||||||||||||||||||
![]() | MPS4992 | - | ![]() | 8958 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Caja | Obsoleto | descascar | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 2.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TIP35B | - | ![]() | 6052 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 218-3 | 125 W | Un 218 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | 80 V | 25 A | - | NPN | - | 10 @ 15a, 4V | 3MHz | ||||||||||||||||||
![]() | 2N4250A | - | ![]() | 8368 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO25AA, A-126-3 | 200 MW | A-126 | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.500 | 60 V | 10NA (ICBO) | PNP | 250mv @ 500 µA, 10 mA | 250 @ 100 µA, 5V | - | ||||||||||||||||||||
![]() | CMPT5401E TR | - | ![]() | 4487 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | Sot-23 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 220 V | 600 mA | 50NA | PNP | 150mv @ 5 mm, 50 mA | 100 @ 10mA, 5V | 300MHz | |||||||||||||||||||
![]() | 2N6715-18 LATA/PLOMO | - | ![]() | 6060 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 237AA | 1 W | Un 237 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 2,000 | 40 V | 2 A | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 100 mm, 1a | 60 @ 100mA, 1V | 500MHz | ||||||||||||||||||
![]() | CP647-MJ11013-WS | - | ![]() | 5114 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | CP647 | Morir | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0040 | 1 | 90 V | 30 A | 1mera | PNP - Darlington | 4V @ 300 Ma, 30a | 200 @ 30a, 5V | - | ||||||||||||||||||
![]() | CP742X-CM4209-CT | - | ![]() | 1328 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | - | Alcanzar sin afectado | 1514-CP742X-CM4209-CT | Obsoleto | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP742X-CEN4209-CT20 | - | ![]() | 2039 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | - | Alcanzar sin afectado | 1514-CP742X-CEN4209-CT20 | Obsoleto | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMLT3820G TR PBFREE | 0.6500 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | CMLT3820 | 250 MW | SOT-563 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 60 V | 1 A | 100NA (ICBO) | NPN | 280mv @ 100 mm, 1a | 200 @ 500mA, 5V | 150MHz | |||||||||||||||||
![]() | CP647-2N6287 WN | - | ![]() | 1674 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | Morir | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0040 | 1 | 100 V | 20 A | 1mera | PNP - Darlington | 3V @ 200Ma, 20a | 4MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | CMPDM7002AG BK PBFree | 0.1326 | ![]() | 1278 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Caja | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | CMPDM7002 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,500 | N-canal | 60 V | 280MA (TA) | 5V, 10V | 2ohm @ 500 mA, 10V | 2.5V @ 250 µA | 0.59 NC @ 4.5 V | 40V | 50 pf @ 25 V | - | 350MW (TA) | |||||||||||||
![]() | D44H11 PBFree | - | ![]() | 3420 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | - | Montaje en superficie | Morir | D44H11 | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | - | NPN | - | - | - | |||||||||||||||||||||
![]() | CP188-BC546B-CT | - | ![]() | 6414 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Banda | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | 500 MW | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 1514-CP188-BC546B-CT | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 65 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | 600mv @ 5 Ma, 100 Ma | 200 @ 2mA, 5V | ||||||||||||||||||||
![]() | CP618-CM5583-CT | - | ![]() | 9809 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | - | Morir | - | 1514-CP618-CM5583-CT | Obsoleto | 500 | - | 30V | 500mA | PNP | 25 @ 100 mapa, 2v | 1.3GHz | - |
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