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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Voltaje - Salida | Tipo de fet | Ganar | Voltaje | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Figura de Ruido (db typ @ f) | Voltaje - Offset (VT) | Fuga de Corriente a la Puerta Al Ánodo (IGAO) | Corriente - valle (iv) | Corriente - Pico |
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2N3053 PBFree | 2.8200 | ![]() | 334 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 5 W | To-39 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | 40 V | 700 Ma | - | NPN | 1.4v @ 15 mA, 150 mA | 50 @ 150mA, 10V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||
2N5794 | - | ![]() | 5131 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | TO-78-6 METAL CAN | 2N579 | 600MW | Un 78-6 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 40V | 600mA | - | 2 NPN (dual) | - | 100 @ 150mA, 10V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | Consejo110 | - | ![]() | 4733 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Un 220-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | TIP110CS | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | 60 V | 2mera | NPN - Darlington | 2.5V @ 8MA, 2A | 1000 @ 1a, 4V | 25MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | CMPDM7002AHC TR PBFREE | 0.6600 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | CMPDM7002 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 1a (TA) | 5V, 10V | 220mohm @ 500 mA, 10V | 2.3V @ 250 µA | 2.3 NC @ 4.5 V | 20V | 240 pf @ 25 V | - | 350MW (TA) | ||||||||||||||||||
![]() | 2N7002 TR13 PBFree | 0.3800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 2N7002 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 | N-canal | 60 V | 115MA (TC) | 5V, 10V | 7.5ohm @ 500 mA, 10V | 2.5V @ 250 µA | 0.59 NC @ 4.5 V | 40V | 50 pf @ 25 V | - | 350MW (TA) | ||||||||||||||||||
![]() | CEDM7001 BK PBFree | 0.1934 | ![]() | 8215 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Caja | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-101, SOT-883 | CEDM7001 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-883 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 5,000 | N-canal | 20 V | 100 mA (TA) | 1.5V, 4V | 3ohm @ 10mA, 4V | 900MV @ 250 µA | 0.57 NC @ 4.5 V | 10V | 9 pf @ 3 V | - | 100MW (TA) | ||||||||||||||||||
![]() | CP305-2N3019-CT | - | ![]() | 4798 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Banda | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0040 | 1 | 80 V | 1 A | 10NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150mA, 10V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6491 PBFree | 1.5712 | ![]() | 5056 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 75 W | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 V | 15 A | - | PNP | 3.5V @ 5a, 15a | 25 @ 1a, 4v | 5MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3702 PBFree | 0.5600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | - | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.500 | 25 V | 100NA (ICBO) | PNP | - | 60 @ 50 µA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Cmlt2907a bk pbfree | 0.1322 | ![]() | 5933 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | CMLT2907 | 350MW | SOT-563 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 60V | 600mA | 10NA (ICBO) | 2 PNP (dual) | 1.6v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150mA, 10V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | CP742X-CEN4209-CT20 | - | ![]() | 2039 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | - | Alcanzar sin afectado | 1514-CP742X-CEN4209-CT20 | Obsoleto | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMPP6028R BK | - | ![]() | 7740 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | CMPP6028RBK | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 6V | 40V | 167 MW | 600 MV | 10 na | 25 µA | 150 na | |||||||||||||||||||||||||||
2N2484 PBFree | 2.4800 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 360 MW | Un 18 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 60 V | 50 Ma | 2NA | NPN | 350MV @ 100 µA, 1 mA | 100 @ 10 µA, 5V | 60MHz | ||||||||||||||||||||||||
Md2369b | - | ![]() | 8622 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | TO-78-6 METAL CAN | MD236 | - | Un 78-6 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 15V | 500mA | - | 2 NPN (dual) | - | 40 @ 10mA, 1V | 500MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | MPSA42 LATA/PLOMO | 0.1429 | ![]() | 3364 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | MPSA42 | 625 MW | Un 92-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.500 | 300 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 2 mm, 20 mm | 40 @ 30mA, 10V | 50MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | Bdw84b | - | ![]() | 1615 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | Un 218-3 | 130 W | Un 218 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 15 A | - | PNP | - | 750 @ 6a, 3V | - | |||||||||||||||||||||||
2N2480A | - | ![]() | 9930 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-78-6 METAL CAN | 2N2480 | 600MW | Un 78-6 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 40V | 500mA | 20NA (ICBO) | 2 NPN (dual) | 1.2V @ 5 mm, 50 Ma | 50 @ 1 MMA, 5V | 50MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | CMUT5401E BK | - | ![]() | 9055 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-89, SOT-490 | 250 MW | SOT-523 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 220 V | 600 mA | 50NA | PNP | 150mv @ 5 mm, 50 mA | 100 @ 10mA, 5V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||
2N3866 PBFree | - | ![]() | 6740 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 5W | To-39 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 30V | 400mA | NPN | 10 @ 50mA, 5V | 500MHz | - | ||||||||||||||||||||||||
2N3019 PBFree | 1.2173 | ![]() | 9428 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 800 MW | To-39 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 500 | 80 V | 1 A | 10NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150mA, 10V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N4871 | - | ![]() | 8757 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 300 MW | Un 92 | descascar | No Aplicable | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.500 | - | PNP | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3392 PBFree | 0.6800 | ![]() | 717 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.500 | 25 V | 100NA (ICBO) | NPN | - | 150 @ 2mA, 4.5V | 120MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | MJE13007 SL | - | ![]() | 5934 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tubo | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 80 W | Un 220-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1514-MJE13007SL | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | 400 V | 8 A | 1mera | NPN | 3V @ 2a, 8a | 8 @ 2a, 5v | 4MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | Pn2222a pbfree | 0.4500 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | PN2222 | 625 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 2.500 | 40 V | 800 Ma | 10NA (ICBO) | NPN | 1V @ 50 Ma, 500 Ma | 100 @ 150mA, 10V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||
2N4037 PBFree | 2.4100 | ![]() | 621 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 1 W | To-39 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | 40 V | 1 A | 250NA (ICBO) | PNP | 1.4v @ 15 mA, 150 mA | 50 @ 150mA, 10V | 60MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | CZT5551E TR | - | ![]() | 3788 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | CZT5551 | 2 W | SOT-223 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 220 V | 600 mA | 50NA | NPN | 100mv @ 5 mm, 50 Ma | 120 @ 10mA, 5V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | Bc237b pbfree | 0.2536 | ![]() | 1935 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | BC237 | 300 MW | Un 92 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 50 V | 100 mA | 15NA | NPN | 600mv @ 5 Ma, 100 Ma | 180 @ 2mA, 5V | 150MHz | ||||||||||||||||||||||
2N4918 PBFree | 0.8115 | ![]() | 8979 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO25AA, A-126-3 | 30 W | A-126 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 40 V | 1 A | 100 µA (ICBO) | PNP | 600mv @ 100 mm, 1a | 40 @ 50mA, 1V | 3MHz | ||||||||||||||||||||||||
2N3701 | - | ![]() | 6764 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 1.8 W | Un 18 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 2N3701 PBFree | EAR99 | 8541.29.0075 | 2,000 | 80 V | 1 A | 10NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150mA, 10V | 80MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | MPS751 LATA/Plomo | 0.1614 | ![]() | 3040 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | MPS751 | 625 MW | Un 92-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.500 | 60 V | 2 A | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 200MA, 2a | 75 @ 1a, 2v | 75MHz |
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