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Transistores(195)
| Imagen | Número de producto | Precio(USD) | cantidad | CANALLA | cantidad disponible | peso (kilogramos) | fabricante | serie | paquete | Estado del producto | Temperatura de funcionamiento | Tipo de montaje | Paquete / Estuche | Número de producto básico | Potencia - Máx. | aporte | Paquete de dispositivo del proveedor | Ficha de datos | Estado RoHS | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | Estado de ALCANCE | Otros nombres | ECCN | HTSUS | Paquete estándar | configuración | Tipo IGBT | Tensión - Avería Colector Emisor (Máx.) | Corriente - Colector (Ic) (Max) | Vce(encendido) (Máx.) @ Vge, Ic | Corriente: corte del colector (máx.) | Termistor NTC | Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | VS-GT100TS065N | 74.1100 |  | 5534 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | caja | Activo | -40°C ~ 175°C (TJ) | Montaje en chasis | Módulo | 259 vatios | Estándar | IGBT INT-A-PAK | - | Cumple con ROHS3 | 1 (ilimitado) | 112-VS-GT100TS065N | 15 | Inversor de medio puente | Parada en el campo de trincheras | 650 voltios | 96 A | 2,3 V a 15 V, 100 A | 50 µA | No | ||||||
 | VS-GT55NA120UX | 37.4900 | | 159 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | tubos | Activo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaje en chasis | SOT-227-4, miniBLOQUE | 291W | Estándar | SOT-227 | descargar | Cumple con ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH No afectado | 112-VS-GT55NA120UX | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Picador único | Parada en el campo de trincheras | 1200 voltios | 68 A | 2,8 V a 15 V, 50 A | 50 µA | No | |||
| GB35XF120K | - | | 4628 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Obsoleto | 150°C (TJ) | Montaje en chasis | ECONOM2 | GB35 | 284 vatios | Estándar | - | descargar | RoHS no compatible | 1 (ilimitado) | REACH No afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 14 | Inversor trifásico | PNT | 1200 voltios | 50 A | 3V a 15V, 50A | 100 µA | No | 3.475 nF a 30 V | |||
| VS-GB600AH120N | - | | 3189 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | un granel | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaje en chasis | Doble INT-A-PAK (5) | GB600 | 3125 W | Estándar | Doble INT-A-PAK | - | Cumple con ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH No afectado | VSGB600AH120N | EAR99 | 8541.29.0095 | 12 | soltero | - | 1200 voltios | 910A | 1,9 V a 15 V, 600 A (típico) | 5 mA | No | 41 nF a 25 V | |
| VS-20MT120UFAPBF | - | | 8023 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Bandeja | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaje en chasis | Módulo 16-MTP | 20MT120 | 240W | Estándar | MTP | descargar | Cumple con ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH No afectado | VS20MT120UFAPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 105 | Inversor de puente completo | PNT | 1200 voltios | 20 A | 4,66 V a 15 V, 40 A | 250 µA | No | 3,79 nF a 30 V | |
| VS-GA100TS60SFPBF | - | | 1054 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | un granel | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaje en chasis | INT-A-Pak | GA100 | 780W | Estándar | INT-A-PAK | descargar | Cumple con ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH No afectado | VSGA100TS60SFPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | Medio Puente | PT | 600 voltios | 220 A | 1,28 V a 15 V, 100 A | 1mA | No | 16,25 nF a 30 V | |
 | VS-GB100DA60UP | - | | 4740 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | un granel | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaje en chasis | SOT-227-4, miniBLOQUE | GB100 | 447W | Estándar | SOT-227 | descargar | Cumple con ROHS3 | 1 (ilimitado) | VSGB100DA60UP | EAR99 | 8541.29.0095 | 180 | soltero | - | 600 voltios | 125A | 2,8 V a 15 V, 100 A | 100 µA | No | |||
| VS-GP100TS60SFPBF | - | | 6512 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | tubos | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaje en chasis | INT-A-Pak | GP100 | 781W | Estándar | INT-A-PAK | descargar | Cumple con ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH No afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | Medio Puente | PT, trinchera | 600 voltios | 337A | 1,34 V a 15 V, 100 A | 150 µA | No | |||
| VS-50MT060PHTAPBF | 72.2800 | | 7222 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | HEXFRED® | un granel | Activo | -40°C ~ 150°C (TJ) | A través del agujero | Módulo 12-MTP | 50MT060 | 305W | Estándar | 12-MTP | descargar | Cumple con ROHS3 | REACH No afectado | 112-VS-50MT060PHTAPBF | 1 | Medio Puente | Parada en el campo de trincheras | 600 voltios | 121A | 1,64 V a 15 V, 50 A | 100 µA | Si | 6000 pF a 25 V | ||||
 | CPV363M4U | - | | 1226 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | un granel | Activo | -40°C ~ 150°C (TJ) | A través del agujero | 19-SIP (13 conductores), IMS-2 | CPV363 | 36W | Estándar | IMS-2 | descargar | RoHS no compatible | 1 (ilimitado) | REACH No afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 160 | Inversor trifásico | - | 600 voltios | 13 A | 2V a 15V, 13A | 250 µA | No | 1,1 nF a 30 V | ||
| VS-GT75LA60UF | 40.2600 | | 4260 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | FRED Pt® | un granel | Activo | -40°C ~ 175°C (TJ) | Montaje en chasis | SOT-227-4, miniBLOQUE | GT75 | 231W | Estándar | SOT-227 | descargar | Cumple con ROHS3 | REACH No afectado | 112-VS-GT75LA60UF | 1 | Picador único | Parada en el campo de trincheras | 600 voltios | 81 A | 2,26 V a 15 V, 70 A | 100 µA | No | |||||
 | VS-GP250SA60S | - | | 7566 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | tubos | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaje en chasis | SOT-227-4, miniBLOQUE | GP250 | 893W | Estándar | SOT-227 | descargar | Cumple con ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH No afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | soltero | PT, trinchera | 600 voltios | 380 A | 1,3 V a 15 V, 100 A | 100 µA | No | |||
| VS-GA200SA60UP | - | | 6509 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | un granel | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaje en chasis | SOT-227-4, miniBLOQUE | GA200 | 500 vatios | Estándar | SOT-227 | - | Cumple con ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH No afectado | VSGA200SA60UP | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | soltero | - | 600 voltios | 200 A | 1,9 V a 15 V, 100 A | 1mA | No | 16,5 nF a 30 V | |
| VS-CPV363M4UPBF | - | | 3479 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | un granel | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | A través del agujero | 19-SIP (13 conductores), IMS-2 | CPV363 | 36W | Estándar | IMS-2 | - | Cumple con ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH No afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 160 | - | 600 voltios | 13 A | 2,2 V a 15 V, 6,8 A | 250 µA | No | 1,1 nF a 30 V | |||
 | GA400TD25S | - | | 6917 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | tubos | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaje en chasis | INT-A-PAK doble (3+8) | GA400 | 1350 vatios | Estándar | INT-A-PAK doble | descargar | RoHS no compatible | 1 (ilimitado) | REACH No afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Medio Puente | - | 250 voltios | 400 A | 1,6 V a 15 V, 400 A | 500 µA | No | 36 nF a 30 V | ||
| VS-GT400TH120N | - | | 2344 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | un granel | Obsoleto | 150°C (TJ) | Montaje en chasis | Doble INT-A-PAK (3+8) | GT400 | 2119 O | Estándar | Doble INT-A-PAK | descargar | Cumple con ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH No afectado | VSGT400TH120N | EAR99 | 8541.29.0095 | 12 | Medio Puente | Zanja | 1200 voltios | 600 A | 2,15 V a 15 V, 400 A | 5 mA | No | 28,8 nF a 25 V | |
| VS-GT50TP60N | - | | 2413 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | un granel | Obsoleto | 175°C (TJ) | Montaje en chasis | INT-A-PAK (3 + 4) | GT50 | 208 vatios | Estándar | INT-A-PAK | descargar | Cumple con ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH No afectado | VSGT50TP60N | EAR99 | 8541.29.0095 | 24 | Medio Puente | Zanja | 600 voltios | 85 A | 2,1 V a 15 V, 50 A | 1mA | No | 3,03 nF a 30 V | |
| VS-GT80DA60U | - | | 5528 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | FRED Pt® | un granel | Activo | -40°C ~ 175°C (TJ) | Montaje en chasis | SOT-227-4, miniBLOQUE | GT80 | 454 vatios | Estándar | SOT-227 | descargar | Cumple con ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH No afectado | 112-VS-GT80DA60U | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | interruptor unico | Parada en el campo de trincheras | 600 voltios | 123A | 2,45 V a 15 V, 80 A | 100 µA | No | 10,8 nF a 25 V | |
| VS-GB15XP120KTPBF | - | | 5764 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | un granel | Activo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaje en chasis | Módulo 12-MTP | GB15 | 187W | Estándar | MTP | descargar | Cumple con ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH No afectado | VSGB15XP120KTPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 105 | Inversor trifásico | PNT | 1200 voltios | 30 A | 3,66 V a 15 V, 30 A | 250 µA | Si | 1,95 nF a 30 V | |
| CPV362M4F | - | | 7380 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | un granel | Activo | -40°C ~ 150°C (TJ) | A través del agujero | 19-SIP (13 conductores), IMS-2 | CPV362 | 23 vatios | Estándar | IMS-2 | - | RoHS no compatible | 1 (ilimitado) | REACH No afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 160 | Inversor trifásico | - | 600 voltios | 8,8A | 1,66 V a 15 V, 8,8 A | 250 µA | No | 340 pF a 30 V | ||
| VS-CPV363M4KPBF | - | | 3037 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | un granel | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | A través del agujero | 19-SIP (13 conductores), IMS-2 | CPV363 | 36W | Estándar | IMS-2 | - | Cumple con ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 160 | - | 600 voltios | 11A | 2,1 V a 15 V, 6 A | 250 µA | No | 740 pF a 30 V | ||||
| VS-GB100TP120N | - | | 2414 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | un granel | Obsoleto | 150°C (TJ) | Montaje en chasis | INT-A-Pak | GB100 | 650W | Estándar | INT-A-PAK | - | Cumple con ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH No afectado | VSGB100TP120N | EAR99 | 8541.29.0095 | 24 | Medio Puente | - | 1200 voltios | 200 A | 2,2 V a 15 V, 100 A | 5 mA | No | 7,43 nF a 25 V | |
| VS-GP300TD60S | - | | 5442 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | tubos | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaje en chasis | INT-A-PAK doble (3+8) | GP300 | 1136 O | Estándar | INT-A-PAK doble | descargar | Cumple con ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH No afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 12 | Medio Puente | PT, trinchera | 600 voltios | 580 A | 1,45 V a 15 V, 300 A | 150 µA | No | |||
| VS-GP400TD60S | - | | 1185 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | tubos | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaje en chasis | INT-A-PAK doble (3+8) | GP400 | 1563 Oh | Estándar | INT-A-PAK doble | descargar | Cumple con ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH No afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 12 | Medio Puente | PT, trinchera | 600 voltios | 758A | 1,52 V a 15 V, 400 A | 200 µA | No | |||
| VS-GT200TP065N | - | | 7892 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | tubos | Obsoleto | -40°C ~ 175°C (TJ) | Montaje en chasis | INT-A-Pak | GT200 | 600 vatios | Estándar | INT-A-PAK | - | Cumple con ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH No afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 24 | Medio Puente | Zanja | 650 voltios | 221A | 2,12 V a 15 V, 200 A | 60 µA | No | |||
| VS-EMF050J60U | - | | 5252 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | un granel | Obsoleto | 150°C (TJ) | Montaje en chasis | EMIPAK2 | FEM050 | 338 vatios | Estándar | EMIPAK2 | descargar | Cumple con ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH No afectado | VSEMF050J60U | EAR99 | 8541.29.0095 | 56 | Inversor de tres niveles | - | 600 voltios | 88 A | 2,1 V a 15 V, 50 A | 100 µA | No | 9,5 nF a 30 V | |
| VS-GA100NA60UP | - | | 8659 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | un granel | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaje en chasis | SOT-227-4, miniBLOQUE | GA100 | 250 vatios | Estándar | SOT-227 | descargar | Cumple con ROHS3 | 1 (ilimitado) | VSGA100NA60UP | EAR99 | 8541.29.0095 | 180 | soltero | - | 600 voltios | 100 A | 2,1 V a 15 V, 50 A | 250 µA | No | 7,4 nF a 30 V | ||
| VS-GB05XP120KTPBF | - | | 5750 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | un granel | Activo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaje en chasis | Módulo 12-MTP | GB05 | 76W | Estándar | MTP | descargar | Cumple con ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH No afectado | VSGB05XP120KTPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 105 | Inversor trifásico | - | 1200 voltios | 12 A | - | 250 µA | Si | ||
| VS-GB150TS60NPBF | - | | 6749 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | un granel | Obsoleto | 150°C (TJ) | Montaje en chasis | INT-A-PAK (3 + 4) | GB150 | 500 vatios | Estándar | INT-A-PAK | - | Cumple con ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH No afectado | VSGB150TS60NPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | Medio Puente | PNT | 600 voltios | 138A | 3V a 15V, 150A | 200 µA | No | ||
| VS-GB200TH120U | - | | 9330 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | un granel | Obsoleto | 150°C (TJ) | Montaje en chasis | Doble INT-A-PAK (3+4) | GB200 | 1316 O | Estándar | Doble INT-A-PAK | - | Cumple con ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH No afectado | VSGB200TH120U | EAR99 | 8541.29.0095 | 12 | Medio Puente | - | 1200 voltios | 330 A | 3,6 V a 15 V, 200 A | 5 mA | No | 16,9 nF a 30 V |
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