SIC
close
Imagen Número de producto Precio(USD) cantidad CANALLA cantidad disponible peso (kilogramos) fabricante serie paquete Estado del producto Temperatura de funcionamiento Tipo de montaje Paquete / Estuche Número de producto básico Tecnología Potencia - Máx. aporte Paquete de dispositivo del proveedor Ficha de datos Estado RoHS Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) Estado de ALCANCE Otros nombres ECCN HTSUS Paquete estándar configuración Tipo FET Drenaje a voltaje de fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado) Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Máx.) @ Id. Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (máx.) Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds Función FET Disipación de energía (máx.) Tipo IGBT Tensión - Avería Colector Emisor (Máx.) Corriente - Colector (Ic) (Max) Vce(encendido) (Máx.) @ Vge, Ic Corriente: corte del colector (máx.) Termistor NTC Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
VS-GB70LA60UF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB70LA60UF -
Solicitud de cotización
ECAD 4224 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - un granel Obsoleto -40°C ~ 150°C (TJ) Montaje en chasis SOT-227-4, miniBLOQUE GB70 447W Estándar SOT-227 descargar Cumple con ROHS3 1 (ilimitado) VSGB70LA60UF EAR99 8541.29.0095 180 soltero PNT 600 voltios 111 A 2,44 V a 15 V, 70 A 100 µA No
VS-GB75YF120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB75YF120N -
Solicitud de cotización
ECAD 9089 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - un granel Obsoleto 150°C (TJ) Montaje en chasis Módulo GB75 480W Estándar PAQUETE DE 4 ECONO2 descargar Cumple con ROHS3 1 (ilimitado) REACH No afectado VSGB75YF120N EAR99 8541.29.0095 12 - 1200 voltios 100 A 4,5 V a 15 V, 100 A 250 µA No
VS-GT140DA60U Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT140DA60U 68.0600
Solicitud de cotización
ECAD 9869 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - un granel Activo -40°C ~ 175°C (TJ) Montaje en chasis SOT-227-4, miniBLOQUE GT140 652 vatios Estándar SOT-227 descargar Cumple con ROHS3 1 (ilimitado) REACH No afectado EAR99 8541.29.0095 10 soltero Zanja 600 voltios 200 A 2V a 15V, 100A 100 µA No
VS-GT300YH120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT300YH120N 208.0242
Solicitud de cotización
ECAD 1757 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - un granel Activo -40°C ~ 150°C (TJ) Montaje en chasis Doble INT-A-PAK (3+8) GT300 1042 W Estándar Doble INT-A-PAK descargar Cumple con ROHS3 1 (ilimitado) REACH No afectado VSGT300YH120N EAR99 8541.29.0095 12 Medio Puente Zanja 1200 voltios 341A 2,17 V a 15 V, 300 A (típico) 300 µA No 36 nF a 30 V
VS-GB150YG120NT Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB150YG120NT -
Solicitud de cotización
ECAD 7460 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - un granel Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en chasis Módulo GB150 892W Estándar ECONO3 PAQUETE DE 4 - EAR99 8541.29.0095 10 Puente completo PNT 1200 voltios 182A 4V a 15V, 200A 120 µA Si
VS-ENK025C65S Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ENK025C65S 71.2300
Solicitud de cotización
ECAD 10 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos * caja Activo descargar Cumple con ROHS3 1 (ilimitado) REACH No afectado 112-VS-ENK025C65S EAR99 8541.29.0095 100
VS-ENZ025C60N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ENZ025C60N 64.7100
Solicitud de cotización
ECAD 10 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos * caja Activo descargar Cumple con ROHS3 1 (ilimitado) REACH No afectado 112-VS-ENZ025C60N EAR99 8541.29.0095 100
VS-GB100LH120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB100LH120N -
Solicitud de cotización
ECAD 2036 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - un granel Obsoleto -40°C ~ 150°C (TJ) Montaje en chasis Doble INT-A-PAK (3+4) GB100 833W Estándar Doble INT-A-PAK - Cumple con ROHS3 1 (ilimitado) REACH No afectado VSGB100LH120N EAR99 8541.29.0095 12 soltero - 1200 voltios 200 A 1,77 V a 15 V, 100 A (típico) 1mA No 8,96 nF a 25 V
VS-FC420SA10 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-FC420SA10 23.7600
Solicitud de cotización
ECAD 6400 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - tubos Activo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaje en chasis SOT-227-4, miniBLOQUE FC420 MOSFET (óxido metálico) SOT-227 descargar No aplicable REACH No afectado EAR99 8541.29.0095 10 canal norte 100 voltios 435A (Tc) 10V 2,15 mOhmios a 200 A, 10 V 3,8 V a 750 µA 375 nC a 10 V ±20V 17300 pF a 25 V - 652W (Tc)
VS-GT75YF120NT Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT75YF120NT 139.9800
Solicitud de cotización
ECAD 108 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - caja Activo -40°C ~ 150°C (TJ) Montaje en chasis Módulo 431W Estándar - descargar Cumple con ROHS3 1 (ilimitado) REACH No afectado 112-VS-GT75YF120NT EAR99 8541.29.0095 12 Puente completo Parada en el campo de trincheras 1200 voltios 118 A 2,6 V a 15 V, 75 A 100 µA Si
VS-CPV364M4UPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-CPV364M4UPBF -
Solicitud de cotización
ECAD 4578 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - un granel Obsoleto -40°C ~ 150°C (TJ) A través del agujero 19-SIP (13 conductores), IMS-2 CPV364 63 vatios Estándar IMS-2 - Cumple con ROHS3 1 (ilimitado) REACH No afectado EAR99 8541.29.0095 160 - 600 voltios 20 A 2,1 V a 15 V, 10 A 250 µA No 2,1 nF a 30 V
VS-FA40SA50LC Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-FA40SA50LC 24.7261
Solicitud de cotización
ECAD 2509 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - un granel Activo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en chasis SOT-227-4, miniBLOQUE FA40 MOSFET (óxido metálico) SOT-227 descargar Cumple con ROHS3 1 (ilimitado) REACH No afectado VSFA40SA50LC EAR99 8541.29.0095 160 canal norte 500 voltios 40A (Tc) 10V 130 mOhmios a 23 A, 10 V 4V @ 250μA 420 nC a 10 V ±20V 6900 pF a 25 V - 543W (Tc)
VS-GT250SA60S Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT250SA60S 35.5788
Solicitud de cotización
ECAD 5342 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - tubos Activo -40°C ~ 175°C (TJ) Montaje en chasis SOT-227-4, miniBLOQUE 750 vatios Estándar SOT-227 descargar REACH No afectado 112-VS-GT250SA60S EAR99 8541.29.0095 160 soltero Parada en el campo de trincheras 600 voltios 359 A 1,16 V a 15 V, 100 A 100 µA No 24,2 nF a 25 V
VS-GT100TP60N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT100TP60N 79.2400
Solicitud de cotización
ECAD 24 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - un granel Activo 175°C (TJ) Montaje en chasis INT-A-PAK (3 + 4) GT100 417W Estándar INT-A-PAK descargar Cumple con ROHS3 1 (ilimitado) REACH No afectado EAR99 8541.29.0095 24 Medio Puente Zanja 600 voltios 160 A 2,1 V a 15 V, 100 A 5 mA No 7,71 nF a 30 V
VS-70MT060WSP Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-70MT060WSP -
Solicitud de cotización
ECAD 8101 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Bandeja Obsoleto 150°C (TJ) Montaje en chasis Módulo 12-MTP 70MT060 378 vatios Rectificador de puente monofásico MTP descargar Cumple con ROHS3 1 (ilimitado) REACH No afectado VS70MT060WSP EAR99 8541.29.0095 105 soltero - 600 voltios 96 A 2,15 V a 15 V, 40 A 100 µA Si 7,43 nF a 30 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes a nivel mundial

  • In-stock Warehouse

    15.000m2

    Almacén en stock