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Imagen | Número de producto | Precio(USD) | cantidad | CANALLA | cantidad disponible | peso (kilogramos) | fabricante | serie | paquete | Estado del producto | Temperatura de funcionamiento | Tipo de montaje | Paquete / Estuche | Número de producto básico | Tecnología | Potencia - Máx. | aporte | Paquete de dispositivo del proveedor | Ficha de datos | Estado RoHS | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | Estado de ALCANCE | Otros nombres | ECCN | HTSUS | Paquete estándar | configuración | Tipo FET | Drenaje a voltaje de fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado) | Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Máx.) @ Id. | Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | Función FET | Disipación de energía (máx.) | Tipo IGBT | Tensión - Avería Colector Emisor (Máx.) | Corriente - Colector (Ic) (Max) | Vce(encendido) (Máx.) @ Vge, Ic | Corriente: corte del colector (máx.) | Termistor NTC | Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce |
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VS-GB70LA60UF | - | 4224 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | un granel | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaje en chasis | SOT-227-4, miniBLOQUE | GB70 | 447W | Estándar | SOT-227 | descargar | Cumple con ROHS3 | 1 (ilimitado) | VSGB70LA60UF | EAR99 | 8541.29.0095 | 180 | soltero | PNT | 600 voltios | 111 A | 2,44 V a 15 V, 70 A | 100 µA | No | |||||||||||||||||
VS-GB75YF120N | - | 9089 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | un granel | Obsoleto | 150°C (TJ) | Montaje en chasis | Módulo | GB75 | 480W | Estándar | PAQUETE DE 4 ECONO2 | descargar | Cumple con ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH No afectado | VSGB75YF120N | EAR99 | 8541.29.0095 | 12 | - | 1200 voltios | 100 A | 4,5 V a 15 V, 100 A | 250 µA | No | |||||||||||||||||
VS-GT140DA60U | 68.0600 | 9869 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | un granel | Activo | -40°C ~ 175°C (TJ) | Montaje en chasis | SOT-227-4, miniBLOQUE | GT140 | 652 vatios | Estándar | SOT-227 | descargar | Cumple con ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH No afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | soltero | Zanja | 600 voltios | 200 A | 2V a 15V, 100A | 100 µA | No | |||||||||||||||||
VS-GT300YH120N | 208.0242 | 1757 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | un granel | Activo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaje en chasis | Doble INT-A-PAK (3+8) | GT300 | 1042 W | Estándar | Doble INT-A-PAK | descargar | Cumple con ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH No afectado | VSGT300YH120N | EAR99 | 8541.29.0095 | 12 | Medio Puente | Zanja | 1200 voltios | 341A | 2,17 V a 15 V, 300 A (típico) | 300 µA | No | 36 nF a 30 V | |||||||||||||||
VS-GB150YG120NT | - | 7460 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | un granel | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaje en chasis | Módulo | GB150 | 892W | Estándar | ECONO3 PAQUETE DE 4 | - | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Puente completo | PNT | 1200 voltios | 182A | 4V a 15V, 200A | 120 µA | Si | ||||||||||||||||||||
VS-ENK025C65S | 71.2300 | 10 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | * | caja | Activo | descargar | Cumple con ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH No afectado | 112-VS-ENK025C65S | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | ||||||||||||||||||||||||||||||
VS-ENZ025C60N | 64.7100 | 10 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | * | caja | Activo | descargar | Cumple con ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH No afectado | 112-VS-ENZ025C60N | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | ||||||||||||||||||||||||||||||
VS-GB100LH120N | - | 2036 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | un granel | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaje en chasis | Doble INT-A-PAK (3+4) | GB100 | 833W | Estándar | Doble INT-A-PAK | - | Cumple con ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH No afectado | VSGB100LH120N | EAR99 | 8541.29.0095 | 12 | soltero | - | 1200 voltios | 200 A | 1,77 V a 15 V, 100 A (típico) | 1mA | No | 8,96 nF a 25 V | |||||||||||||||
VS-FC420SA10 | 23.7600 | 6400 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | tubos | Activo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaje en chasis | SOT-227-4, miniBLOQUE | FC420 | MOSFET (óxido metálico) | SOT-227 | descargar | No aplicable | REACH No afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | canal norte | 100 voltios | 435A (Tc) | 10V | 2,15 mOhmios a 200 A, 10 V | 3,8 V a 750 µA | 375 nC a 10 V | ±20V | 17300 pF a 25 V | - | 652W (Tc) | |||||||||||||||
VS-GT75YF120NT | 139.9800 | 108 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | caja | Activo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaje en chasis | Módulo | 431W | Estándar | - | descargar | Cumple con ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH No afectado | 112-VS-GT75YF120NT | EAR99 | 8541.29.0095 | 12 | Puente completo | Parada en el campo de trincheras | 1200 voltios | 118 A | 2,6 V a 15 V, 75 A | 100 µA | Si | |||||||||||||||||
VS-CPV364M4UPBF | - | 4578 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | un granel | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | A través del agujero | 19-SIP (13 conductores), IMS-2 | CPV364 | 63 vatios | Estándar | IMS-2 | - | Cumple con ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH No afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 160 | - | 600 voltios | 20 A | 2,1 V a 15 V, 10 A | 250 µA | No | 2,1 nF a 30 V | |||||||||||||||||
VS-FA40SA50LC | 24.7261 | 2509 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | un granel | Activo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaje en chasis | SOT-227-4, miniBLOQUE | FA40 | MOSFET (óxido metálico) | SOT-227 | descargar | Cumple con ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH No afectado | VSFA40SA50LC | EAR99 | 8541.29.0095 | 160 | canal norte | 500 voltios | 40A (Tc) | 10V | 130 mOhmios a 23 A, 10 V | 4V @ 250μA | 420 nC a 10 V | ±20V | 6900 pF a 25 V | - | 543W (Tc) | |||||||||||||
VS-GT250SA60S | 35.5788 | 5342 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | tubos | Activo | -40°C ~ 175°C (TJ) | Montaje en chasis | SOT-227-4, miniBLOQUE | 750 vatios | Estándar | SOT-227 | descargar | REACH No afectado | 112-VS-GT250SA60S | EAR99 | 8541.29.0095 | 160 | soltero | Parada en el campo de trincheras | 600 voltios | 359 A | 1,16 V a 15 V, 100 A | 100 µA | No | 24,2 nF a 25 V | ||||||||||||||||||
VS-GT100TP60N | 79.2400 | 24 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | un granel | Activo | 175°C (TJ) | Montaje en chasis | INT-A-PAK (3 + 4) | GT100 | 417W | Estándar | INT-A-PAK | descargar | Cumple con ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH No afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 24 | Medio Puente | Zanja | 600 voltios | 160 A | 2,1 V a 15 V, 100 A | 5 mA | No | 7,71 nF a 30 V | ||||||||||||||||
VS-70MT060WSP | - | 8101 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Bandeja | Obsoleto | 150°C (TJ) | Montaje en chasis | Módulo 12-MTP | 70MT060 | 378 vatios | Rectificador de puente monofásico | MTP | descargar | Cumple con ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH No afectado | VS70MT060WSP | EAR99 | 8541.29.0095 | 105 | soltero | - | 600 voltios | 96 A | 2,15 V a 15 V, 40 A | 100 µA | Si | 7,43 nF a 30 V |
Volumen de RFQ promedio diario
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