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Transistores (100539)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Voltaje - PrueBa | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CAS350M12BM3 | 838.7800 |  | 3 | 0.00000000 | Wolfspeed, Inc. | - | Caja | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | CAS350 | CARBURO DE SILICIO (SIC) | - | - | descascar | No Aplicable | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 Fuente Común de Canal N (Dual) | 1200V (1.2kv) | 417a (TC) | 5.2mohm @ 350a, 15V | 3.6V @ 85mA | 844nc @ 15V | 25700pf @ 800V | - | |||||||||||||||||||||||||
 | PMX2000ENZ | - | | 6956 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Una granela | Obsoleto | PMX2000 | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 1727-PMX2000ENZ | Obsoleto | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMX3000Enez | - | | 6468 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Una granela | Obsoleto | PMX3000 | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 1727-PMX3000Enez | Obsoleto | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Bcm847bshx | - | | 9140 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | BCM847 | 200MW | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 1727-BCM847BSHX | Obsoleto | 1 | 45V | 100mA | 15NA (ICBO) | 2 NPN (dual) | 400mv @ 5 Ma, 100 Ma | 200 @ 2mA, 5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||
| Pumd6hx | - | | 4038 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Pumd6 | 240MW | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 1727-PUMD6HX | Obsoleto | 1 | 50V | 100mA | 100na | 1 NPN Pre-Sesgado, 1 PNP | 100mv @ 500 µA, 10 mA | 200 @ 1 mapa, 5v | 230MHz, 180MHz | 4.7 kohms | - | |||||||||||||||||||||||||
| Bcm856bshf | - | | 1243 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | BCM856 | 200MW | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 1727-BCM856BSHF | Obsoleto | 1 | 65V | 100mA | 15NA (ICBO) | 2 PNP (dual) | 400mv @ 5 Ma, 100 Ma | 200 @ 2mA, 5V | 175MHz | ||||||||||||||||||||||||||
| Bcm846bshx | - | | 4501 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | BCM846 | 200MW | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 1727-BCM846BSHX | Obsoleto | 1 | 65V | 100mA | 15NA (ICBO) | 2 NPN (dual) | 400mv @ 5 Ma, 100 Ma | 200 @ 2mA, 5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||
| Bc856bshx | - | | 5248 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | BC856 | Una granela | Obsoleto | 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | BC856 | 270MW | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 1727-BC856BSHX | Obsoleto | 1 | 65V | 100mA | 15NA (ICBO) | NPN, PNP | 300mv @ 5 Ma, 100 Ma | 200 @ 2mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||
 | BC857CQB-QZ | 0.0381 | | 7610 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Monte de superficie, Flanco Humectable | Almohadilla exposición 3-xdfn | BC857 | 340 MW | DFN1110D-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 5,000 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | PNP | 650mv @ 5 mm, 100 mapa | 420 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||
| BC856AQB-QZ | 0.2500 | | 5 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Monte de superficie, Flanco Humectable | Almohadilla exposición 3-xdfn | BC856 | 340 MW | DFN1110D-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 5,000 | 65 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | PNP | 650mv @ 5 mm, 100 mapa | 125 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||
| BC817-16QB-QZ | 0.0424 | | 3380 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Monte de superficie, Flanco Humectable | Almohadilla exposición 3-xdfn | BC817 | 350 MW | DFN1110D-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 5,000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 700mv @ 50 mm, 500 mA | 100 @ 100 maja, 1v | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||
| BC847CQB-QZ | 0.0381 | | 4184 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Monte de superficie, Flanco Humectable | Almohadilla exposición 3-xdfn | 340 MW | DFN1110D-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 5,000 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | 400mv @ 5 Ma, 100 Ma | 420 @ 2mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||
 | Mmdtc124ee-aq | 0.0404 | | 5145 | 0.00000000 | Semiconductor diotec | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOT-523 | Mmdtc124 | 150 MW | SOT-523 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | 8541.21.0000 | 3.000 | 50 V | 30 Ma | 500NA (ICBO) | NPN - Pre -Sesgado | - | 56 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 22 kohms | 22 kohms | |||||||||||||||||||||||||
 | BC807-40W-AQ | 0.0363 | | 5059 | 0.00000000 | Semiconductor diotec | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 200 MW | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | 2796-BC807-40W-AQTR | 8541.21.0000 | 3.000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 700mv @ 50 mm, 500 mA | 250 @ 100mA, 1V | 80MHz | ||||||||||||||||||||||||||
 | DI048N04PQ2-AQ | 0.7707 | | 7183 | 0.00000000 | Semiconductor diotec | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | DI048N04 | Mosfet (Óxido de metal) | 27W (TC) | PG-TDSON-8-4 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | 2796-DI048N04PQ2-AQTR | 8541.21.0000 | 5,000 | 2 Canal N (Dual) | 40V | 48a (TC) | 9.6mohm @ 12a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 48nc @ 10V | 2270pf @ 20V | - | |||||||||||||||||||||||
 | MMFTP5618 | 0.1984 | | 105 | 0.00000000 | Semiconductor diotec | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | 2796-MMFTP5618TR | 8541.21.0000 | 3.000 | Canal P | 60 V | 1.25a (TA) | 4.5V, 10V | 170mohm @ 1.25a, 10V | 3V @ 1MA | 7 NC @ 10 V | ± 20V | 361 pf @ 30 V | - | 500MW (TA) | ||||||||||||||||||||||
| DI048N04PQ2 | 0.7076 | | 2477 | 0.00000000 | Semiconductor diotec | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | DI048N04 | Mosfet (Óxido de metal) | 27W (TC) | PG-TDSON-8-4 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | 2796-DI048N04PQ2TR | 8541.21.0000 | 5,000 | 2 Canal N (Dual) | 40V | 48a (TC) | 9.6mohm @ 12a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 48nc @ 10V | 2270pf @ 20V | - | |||||||||||||||||||||||
 | DI110N04PQ | 0.7238 | | 4184 | 0.00000000 | Semiconductor diotec | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | DI110N04 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Qfn (5x6) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | 2796-DI110N04PQTR | 8541.21.0000 | 5,000 | N-canal | 40 V | 110A (TC) | 4.5V, 10V | 2.5mohm @ 23a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 48 NC @ 10 V | ± 20V | 2980 pf @ 25 V | - | 45W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | BCM846BS | 0.0976 | | 4883 | 0.00000000 | Semiconductor diotec | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BCM846 | 200MW | Sot-363 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | 2796-BCM846BSTR | 8541.21.0000 | 3.000 | 65V | 100mA | 15NA (ICBO) | 2 NPN (dual) | 200 MV A 500 µA, 10 Ma | 200 @ 2mA, 5V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||
| MMFTP84W | 0.0404 | | 5724 | 0.00000000 | Semiconductor diotec | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-323 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | 2796-MMFTP84WTR | 8541.21.0000 | 3.000 | Canal P | 50 V | 130 Ma | 45V | 10ohm @ 130mA, 10V | 2v @ 1 mapa | ± 20V | 45 pf @ 25 V | - | 200MW | |||||||||||||||||||||||
| PJU7NA60_T0_00001 | - | | 5275 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | PJU7NA60 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251AA | - | 3757-PJU7NA60_T0_00001 | Obsoleto | 1 | N-canal | 600 V | 7a (TA) | 10V | 1.2ohm @ 3.5a, 10v | 4V @ 250 µA | 15.2 NC @ 10 V | ± 30V | 723 pf @ 25 V | - | 140W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| PJU2NA70_T0_00001 | - | | 5891 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | PJU2NA70 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251AA | - | 3757-PJU2NA70_T0_00001 | Obsoleto | 1 | N-canal | 700 V | 2a (TA) | 10V | 6.5ohm @ 1a, 10v | 4V @ 250 µA | 7.8 NC @ 10 V | ± 30V | 260 pf @ 25 V | - | 39W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| PJU6NA40_T0_00001 | - | | 1840 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | PJU6NA40 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251AA | - | 3757-PJU6NA40_T0_00001 | Obsoleto | 1 | N-canal | 400 V | 6a (TA) | 10V | 950mohm @ 3a, 10v | 4V @ 250 µA | 11.4 NC @ 10 V | ± 30V | 553 pf @ 25 V | - | 77W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| PJZ9NA90_T0_10001 | - | | 6592 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | PJZ9NA90 | Mosfet (Óxido de metal) | A-3PL | - | 3757-PJZ9NA90_T0_10001 | Obsoleto | 1 | N-canal | 900 V | 9a (TA) | 10V | 1.4ohm @ 4.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 31 NC @ 10 V | ± 30V | 1634 pf @ 25 V | - | 240W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| PJU6NA70_T0_00001 | - | | 3869 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | PJU6NA70 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251AA | - | 3757-PJU6NA70_T0_00001 | Obsoleto | 1 | N-canal | 700 V | 6a (TA) | 10V | 1.7ohm @ 3a, 10v | 4V @ 250 µA | 16.5 NC @ 10 V | ± 30V | 831 pf @ 25 V | - | 128W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| 1011gn-1600vg | - | | 1754 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | VG | Una granela | Activo | 150 V | Montaje en superficie | 55-Q11a | 1.03GHz ~ 1.09GHz | Hemt | 55-Q11a | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1011GN-1600VG | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | 200 MA | 1600W | 18.6db | - | 50 V | |||||||||||||||||||||||||||
| 1011gn-30el | - | | 5305 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | El | Una granela | Activo | 150 V | Montaje en superficie | 55-Qqp | 1.03GHz ~ 1.09GHz | - | 55-Qqp | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1011gn-30el | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | 40 Ma | 35W | 18.5dB | - | 50 V | ||||||||||||||||||||||||||
| 0912GN-15el | - | | 7015 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | El | Una granela | Activo | 150 V | Montaje en superficie | 55-Qqp | 960MHz ~ 1.215GHz | - | 55-Qqp | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-0912gn-15el | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | 10 Ma | 19W | 18.1db | - | 50 V | ||||||||||||||||||||||||||
| MSCSM120DDUM31TBL2NG | 246.6500 | | 8848 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | MSCSM120 | CARBURO DE SILICIO (SIC) | 310W | - | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-mscsm120ddum31tbl2ng | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 4 Canales N, Fuente Común | 1200V (1.2kv) | 79A | 31mohm @ 40a, 20V | 2.8V @ 3MA | 232NC @ 20V | 3020pf @ 1000V | - | ||||||||||||||||||||||
| MSCSM120HM31T3AG | 221.7900 | | 7986 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | MSCSM120 | CARBURO DE SILICIO (SIC) | 395W (TC) | - | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-MSCSM120HM31T3AG | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 4 Canales N (Puente Thero) | 1200V (1.2kv) | 89A (TC) | 31mohm @ 40a, 20V | 2.8V @ 3MA | 232NC @ 20V | 3020pf @ 1000V | - |
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