SIC
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Transistores (100539)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Freacuencia Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Voltaje - PrueBa Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Resistencia - RDS (ON) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Figura de Ruido (db typ @ f) Drenaje real (ID) - Max
NTE16004 NTE Electronics, Inc NTE16004 1.9000
RFQ
 ECAD 200 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 10 W To-39 descascar ROHS3 Cumplante 2368-NTE16004 EAR99 8541.29.0095 1 75 V 2 A 100 µA PNP 700mv @ 50 mm, 500 mA 30 @ 500mA, 4V -
2N4221A NTE Electronics, Inc 2N4221A 7.5600
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-206AF, TO-72-4 METAL CAN 300 MW TO-72 descascar Rohs no conforme 2368-2N4221A EAR99 8541.21.0095 1 N-canal 30 V 6pf @ 15V 30 V 2 Ma @ 15 V 6 V @ 100 Pa 400 ohmios 15 Ma
NTE154 NTE Electronics, Inc NTE154 3.3900
RFQ
 ECAD 141 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo 200 ° C A Través del Aguetero TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 1 W To-39 descascar ROHS3 Cumplante 2368-NTE154 EAR99 8541.29.0095 1 300 V 100NA (ICBO) NPN 1V @ 2 mm, 20 mm 40 @ 30mA, 20V 50MHz
MJ11032 NTE Electronics, Inc MJ11032 13.0000
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero A-204AE 300 W TO-204 (TO-3) descascar Rohs no conforme 2368-MJ11032 EAR99 8541.29.0095 1 120 V 50 A 2mera NPN - Darlington 3.5V @ 500 Ma, 50A 1000 @ 25a, 5V -
NTE2385 NTE Electronics, Inc NTE2385 7.1800
RFQ
 ECAD 815 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 2368-NTE2385 EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 500 V 8a (TC) 10V 850mohm @ 4.8a, 10V 4V @ 250 µA 63 NC @ 10 V ± 20V 1300 pf @ 25 V - 125W (TC)
2N4870 NTE Electronics, Inc 2N4870 3.0000
RFQ
 ECAD 52 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 300 MW Un 92 descascar ROHS3 Cumplante 2368-2N4870 EAR99 8541.21.0095 1 - PNP - - -
NTE2383 NTE Electronics, Inc NTE2383 9.3500
RFQ
 ECAD 72 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 2368-NTE2383 EAR99 8541.29.0095 1 Canal P 100 V 10.5a (TC) 10V 300mohm @ 5.3a, 10V 4V @ 250 µA 58 NC @ 10 V ± 20V 835 pf @ 25 V - 75W (TC)
NTE160 NTE Electronics, Inc NTE160 5.1800
RFQ
 ECAD 777 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo 90 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-206AF, TO-72-4 METAL CAN 60MW TO-72 descascar Rohs no conforme 2368-NTE160 EAR99 8541.21.0095 1 14dB 20V 10 Ma PNP 50 @ 2mA, 10V 700MHz 5DB @ 800MHz
2N4399 NTE Electronics, Inc 2N4399 4.7600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero TO-204AA, TO-3 5 W A 3 descascar ROHS3 Cumplante 2368-2N4399 EAR99 8541.29.0095 1 60 V 30 A 5 mm PNP 4V @ 6a, 30a 40 @ 1a, 2v 4MHz
NTE297 NTE Electronics, Inc NTE297 2.0900
RFQ
 ECAD 379 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 1 W Un 92 descascar ROHS3 Cumplante 2368-NTE297 EAR99 8541.21.0095 1 80 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 30 mA, 300 mA 130 @ 150mA, 10V 120MHz
2N404A NTE Electronics, Inc 2N404A 3.6200
RFQ
 ECAD 230 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo - A Través del Aguetero TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN 150 MW A-5 descascar ROHS3 Cumplante 2368-2N404A EAR99 8541.29.0095 1 35 V 150 Ma 5 µA (ICBO) PNP 200 MV @ 1 Mapa, 24 Mapa - -
NTE457 NTE Electronics, Inc NTE457 1.5300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 310 MW Un 92 descascar ROHS3 Cumplante 2368-NTE457 EAR99 8541.21.0095 1 N-canal 25 V 7pf @ 15V 25 V 1 ma @ 15 V 500 MV @ 10 na
NTE387 NTE Electronics, Inc NTE387 37.6000
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-204AA, TO-3 250 W A 3 descascar ROHS3 Cumplante 2368-NTE387 EAR99 8541.29.0095 1 150 V 50 A 50 µA NPN 3V @ 10a, 50a 50 @ 1a, 4V 30MHz
AO4447A_104 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4447A_104 -
RFQ
 ECAD 1473 0.00000000 Alpha y Omega Semiconductor Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) AO44 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 785-AO4447A_104TR EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 30 V 18.5a (TA) 4.5V, 10V 5.8mohm @ 18.5a, 10V 2.2V @ 250 µA 130 NC @ 10 V ± 20V 5020 pf @ 15 V - 3.1W (TA)
FS25R12W1T7B11BOMA1 Infineon Technologies FS25R12W1T7B11BOMA1 45.7000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Infineon Technologies Easypack ™, Trenchstop ™ Banda Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FS25R12 20 MW Estándar Ag-Easy1b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-FS25R12W1T7B11BOMA1-448 EAR99 8541.29.0095 24 Inversor trifásico Parada de Campo de Trinchera 1200 V 25 A 1.6v @ 15V, 25a 5.6 µA Si 4.77 NF @ 25 V
F3L200R07W2S5FB11BOMA1 Infineon Technologies F3L200R07W2S5FB11BOMA1 98.4400
RFQ
 ECAD 1128 0.00000000 Infineon Technologies Easypack ™, Trenchstop ™ Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo F3L200 20 MW Estándar Ag-Easy2b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 15 Inversor de Tres Niveles Parada de Campo de Trinchera 650 V 95 A 1.38V @ 15V, 100A 1 MA Si 14.3 NF @ 25 V
FS35R12W1T7B11BOMA1 Infineon Technologies FS35R12W1T7B11BOMA1 52.4300
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Infineon Technologies Easypack ™, Trenchstop ™ Banda Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FS35R12 20 MW Estándar Ag-Easy1b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-FS35R12W1T7B11BOMA1-448 EAR99 8541.29.0095 24 Inversor trifásico Parada de Campo de Trinchera 1200 V 35 A 1.6v @ 15V, 35a 7.3 µA Si 6.62 NF @ 25 V
FP15R12W1T7B11BOMA1 Infineon Technologies FP15R12W1T7B11BOMA1 50.2300
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ Banda Activo 175 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FP15R12 Estándar Ag-Easy1b-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-FP15R12W1T7B11BOMA1-448 EAR99 8541.29.0095 24 Inversor de Medio Puente Parada de Campo de Trinchera 1200 V - No
IAUC28N08S5L230ATMA1 Infineon Technologies IAUC28N08S5L230ATMA1 1.1900
RFQ
 ECAD 7000 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC -Q101, Optimos ™ -5 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn IAUC28 Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-33 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 80 V 28a (TC) 4.5V, 10V 23mohm @ 14a, 10v 2V @ 11 µA 15.1 NC @ 10 V ± 20V 867 pf @ 40 V - 38W (TC)
FP10R12W1T7B3BOMA1 Infineon Technologies FP10R12W1T7B3BOMA1 43.5000
RFQ
 ECAD 5105 0.00000000 Infineon Technologies EasyPim ™ Banda Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FP10R12 20 MW Rectificador de Puente Trifásico Ag-Easy1b-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 24 Inversor trifásico Parada de Campo de Trinchera 1200 V 10 A 1.6V @ 15V, 10a (typ) 4.5 µA Si 1.89 NF @ 25 V
BUK7M4R3-40HX Nexperia USA Inc. Buk7m4r3-40hx 1.5600
RFQ
 ECAD 4329 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-LEAD) Buk7m4 Mosfet (Óxido de metal) LFPAK33 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 40 V 95A (TA) 10V 4.3mohm @ 95a, 10V - 24 NC @ 10 V +20V, -10V - 90W
FR900R12IP4DBPSA1 Infineon Technologies FR900R12IP4DBPSA1 1.0000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies ECONOPACK ™ 2 Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FR900R12 20 MW Estándar Ag-prime3-1 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2 Picador de freno dual Parada de Campo de Trinchera 1200 V 900 A 2.05V @ 15V, 900A 5 Ma Si 54 NF @ 25 V
BLM9D1822-30BZ Ampleon USA Inc. BLM9D1822-30BZ 27.4600
RFQ
 ECAD 913 0.00000000 AMpleon USA Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 65 V Montaje en superficie Almohadilla exposición de 20-Qfn BLM9 1.8GHz ~ 2.2GHz Ldmos 20-PQFN (8x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.33.0001 500 Dual 1.4 µA 110 Ma 45.9dbm 29.3db - 28 V
FQPF6N80 Fairchild Semiconductor Fqpf6n80 -
RFQ
 ECAD 8071 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 800 V 3.3a (TC) 10V 1.95ohm @ 1.65a, 10V 5V @ 250 µA 31 NC @ 10 V ± 30V 1500 pf @ 25 V - 51W (TC)
HUF76429P3 Fairchild Semiconductor HUF76429P3 1.0000
RFQ
 ECAD 6078 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 60 V 47a (TC) 4.5V, 10V 22mohm @ 47a, 10V 3V @ 250 µA 46 NC @ 10 V ± 16V 1480 pf @ 25 V - 110W (TC)
NST3904DXV6T1 onsemi NST3904DXV6T1 0.0500
RFQ
 ECAD 857 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 NST3904 500MW SOT-563 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 4.000 40V 200 MMA 2 NPN (dual) 300mv @ 5 Ma, 50 Ma 100 @ 10mA, 1V 300MHz
FDD6N20TF Fairchild Semiconductor Fdd6n20tf 0.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild Unifet ™ Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 200 V 4.5A (TC) 10V 800mohm @ 2.3a, 10V 5V @ 250 µA 6.1 NC @ 10 V ± 30V 230 pf @ 25 V - 40W (TC)
FQL50N40 Fairchild Semiconductor FQL50N40 7.1600
RFQ
 ECAD 338 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-264-3, TO-264AA Mosfet (Óxido de metal) HPM F2 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 375 N-canal 400 V 50A (TC) 10V 75mohm @ 25A, 10V 5V @ 250 µA 210 NC @ 10 V ± 30V 7500 pf @ 25 V - 460W (TC)
FQB7N30TM Fairchild Semiconductor FQB7N30TM 0.7800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 300 V 7a (TC) 10V 700mohm @ 3.5a, 10V 5V @ 250 µA 17 NC @ 10 V ± 30V 610 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 85W (TC)
KSC1623OMTF Fairchild Semiconductor Ksc1623omtf 0.0200
RFQ
 ECAD 6865 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 10 Ma, 100 Ma 90 @ 1 MMA, 6V 250MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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