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Transistores (100539)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIPC69SN60C3X3SA1 | 5.8000 |  | 3 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0040 | 1.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Si3447dv | - | | 8313 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Mosfet (Óxido de metal) | Supersot ™ -6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 5.5a (TA) | 1.8V, 4.5V | 33mohm @ 5.5a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 30 NC @ 4.5 V | ± 8V | 1926 pf @ 10 V | - | 800MW (TA) | ||||||||||||||||||||
 | ON5441518 | 0.7300 | | 32 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SmbTA06 | 0.0500 | | 6 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 330 MW | PG-SOT23-3-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 6,000 | 80 V | 500 mA | 100na | 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma | 100 @ 100 maja, 1v | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||
 | SPB02N60S5 | 1.0000 | | 6983 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 600 V | 1.8a (TC) | 10V | 3ohm @ 1.1a, 10v | 5.5V @ 80 µA | 9.5 NC @ 10 V | ± 20V | 240 pf @ 25 V | - | 25W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | SPI07N65C3 | 0.8300 | | 500 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 650 V | 7.3a (TC) | 10V | 600mohm @ 4.6a, 10V | 3.9V @ 350 µA | 27 NC @ 10 V | ± 20V | 790 pf @ 25 V | - | 83W (TC) | ||||||||||||||||||||
| Mtb6n60e | 1.0000 | | 2871 | 0.00000000 | onde | * | Una granela | Activo | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Tbb1010kmtl-e | 0.3100 | | 75 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Una granela | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | UPA608T (0) -T1 -A | 0.1800 | | 57 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ska06n06 | - | | 6222 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Activo | Ska06n | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SJE3016 | 0.2400 | | 45 | 0.00000000 | onde | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Si9926dy | 0.2200 | | 4 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si9926 | Mosfet (Óxido de metal) | 900MW (TA) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 6.5a (TA) | 30mohm @ 6.5a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 10NC @ 4.5V | 700pf @ 10V | - | |||||||||||||||||||||
 | PMV62XN215 | 0.0400 | | 9 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCH5819-TL-E | 0.1100 | | 33 | 0.00000000 | onde | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RJK03K1DPA-00#J5A | 0.7200 | | 3 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMZB150UNE315 | - | | 2485 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RFP4N05 | 0.5700 | | 6 | 0.00000000 | Harris Corporation | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 50 V | 4A (TC) | 10V | 800mohm @ 4a, 10v | 4V @ 250 µA | ± 20V | 200 pf @ 25 V | - | 25W (TC) | |||||||||||||||||||||
| RFP15N08L | 0.5700 | | 49 | 0.00000000 | Harris Corporation | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 80 V | 15A (TC) | 5V | 140mohm @ 7.5a, 5V | 2.5V @ 1MA | 80 NC @ 10 V | ± 10V | - | 72W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | Sgb30n60 | - | | 5148 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SGB30 | Estándar | 250 W | PG-TO263-3-2 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 400V, 30a, 11ohm, 15V | Escrutinio | 600 V | 41 A | 112 A | 2.4V @ 15V, 30a | 1.29mj | 140 NC | 44ns/291ns | ||||||||||||||||||||
 | MMDF6N02HDR2 | 0.4000 | | 14 | 0.00000000 | onde | * | Una granela | Activo | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPB04N60C3 | - | | 2049 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 4.5A (TC) | 10V | 950mohm @ 2.8a, 10V | 3.9V @ 200 µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 490 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||||||||||||||||||
| 2SK3511-S19-AY | 3.3700 | | 16 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Una granela | Activo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RFP45N03L | 0.6700 | | 41 | 0.00000000 | Harris Corporation | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 30 V | 45a (TC) | 5V | 22mohm @ 45a, 5V | 2V @ 250 µA | 60 NC @ 10 V | ± 10V | 1650 pf @ 25 V | - | 90W (TC) | ||||||||||||||||||||
| PMXB56EN147 | - | | 1146 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0095 | 5,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Ixyh55n120a4 | 13.0000 | | 30 | 0.00000000 | Ixys | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Ixyh55 | Estándar | 650 W | TO-247 (IXTH) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 238-IXYH55N120A4 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 600V, 40a, 5ohm, 15V | 35 ns | PT | 1200 V | 175 A | 350 A | 1.8v @ 15V, 55a | 2.3mj (Encendido), 5.3mj (apagado) | 110 NC | 23ns/300ns | ||||||||||||||||||
 | SIL3415-TP | 0.4500 | | 29 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sot-23-6 | SIL3415 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-23-6l | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 4A (TA) | 1.8V, 4.5V | 50mohm @ 4a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 17.2 NC @ 4.5 V | ± 8V | 1450 pf @ 10 V | - | 1.4w | |||||||||||||||||||
 | MCQ4406A-TP | 0.4500 | | 3 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | MCQ4406 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 30 V | 12a (TA) | 4.5V, 10V | 12mohm @ 8a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 28 NC @ 10 V | ± 20V | 950 pf @ 15 V | - | 2.5w | |||||||||||||||||||
 | MCU12P10-TP | 0.8400 | | 3385 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | MCU12 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 100 V | 12a (TC) | 10V | 200mohm @ 8a, 10v | 3V @ 250 µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 1055 pf @ 25 V | - | 40W | ||||||||||||||||||||
| MCU30N02-TP | 0.5200 | | 9 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | MCU30N02 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 353-MCU30N02-TPTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 20 V | 30A (TC) | 1.8V, 4.5V | 7mohm @ 15a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 29 NC @ 4.5 V | ± 10V | 1700 pf @ 10 V | - | 30W (TC) | ||||||||||||||||||
| APL602L-1 | - | | 3025 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-264-3, TO-264AA | Mosfet (Óxido de metal) | To-264 [l] | - | Alcanzar sin afectado | 150-APL602L-1 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 600 V | 49a (TC) | 12V | 125mohm @ 24.5a, 12V | 4V @ 2.5MA | ± 30V | 9000 pf @ 25 V | - | 730W (TC) |
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