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| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Aplicacionales | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Condición de PrueBa | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Voltaje - PrueBa | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | FP10R12W1T4BOMA1 | 40.0500 |  | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | EasyPim ™ | Banda | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C | Monte del Chasis | Módulo | FP10R12 | 105 W | Estándar | Módulo | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 24 | Inversor trifásico | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 20 A | 2.25V @ 15V, 10a | 1 MA | Si | 600 pf @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SI3459BDV-T1-E3 | 0.8300 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3459 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 60 V | 2.9a (TC) | 4.5V, 10V | 216mohm @ 2.2a, 10v | 3V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 30 V | - | 3.3W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRFE6S9200HR3 | - | | 9474 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 66 V | Monte del Chasis | Sot-957a | Mrfe6 | 880MHz | Ldmos | NI-880H-2L | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 1.4 A | 58W | 21db | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SB764E-SSH | 0.1400 | | 37 | 0.00000000 | Sanyo | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ALD810025SCL | 5.6500 | | 820 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Sab ™ | Tubo | Activo | 10.6v | Supercondensador de equilibrio automático | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | ALD810025 | 16-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1014-1259-5 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mera | 4 Canal N | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFP462 | 3.9300 | | 152 | 0.00000000 | Harris Corporation | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Mosfet (Óxido de metal) | To-247 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 500 V | 17a (TC) | 10V | 350mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 190 NC @ 10 V | ± 20V | 4100 pf @ 25 V | - | 250W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSM450D12P4G102 | 1.0000 | | 6512 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Caja | Activo | 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | BSM450 | CARBURO DE SILICIO (SIC) | 1.45kw (TC) | Módulo | descascar | 1 (ilimitado) | 846-BSM450D12P4G102 | 4 | 2 Canal | 1200V | 447a (TC) | - | 4.8V @ 218.4MA | - | 44000PF @ 10V | Estándar | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Fgi40n60sftu | - | | 1154 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Fgi4 | Estándar | 290 W | I2pak (TO-262) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V, 40a, 10ohm, 15V | Parada de Campo | 600 V | 80 A | 120 A | 2.9V @ 15V, 40A | 1.13MJ (Encendido), 310 µJ (apaguado) | 120 NC | 25ns/115ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4860JTXL02 | - | | 7180 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 2N4860 | TO-206AA (A 18) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 40 | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DMC67D8UFDBQ-7 | 0.1279 | | 4081 | 0.00000000 | Diodos incorporados | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-udfn almohadilla exposición | DMC67 | Mosfet (Óxido de metal) | 580MW (TA) | U-DFN2020-6 (TUPO B) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | DMC67D8UFDBQ-7DI | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N y p-canal complementario | 60V, 20V | 390MA (TA), 2.9A (TA) | 4ohm @ 500mA, 10V, 72mohm @ 3.5a, 4.5V | 2.5V @ 250 µA, 1.25V @ 250 µA | 0.4pc @ 4.5V, 7.3nc @ 4.5V | 41pf @ 25V, 443pf @ 16V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFP460APBF | 4.9800 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFP460 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *IRFP460APBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 500 V | 20A (TC) | 10V | 270mohm @ 12a, 10v | 4V @ 250 µA | 105 NC @ 10 V | ± 30V | 3100 pf @ 25 V | - | 280W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | Csd17578q5at | 1.3600 | | 1 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | CSD17578 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Vsonp (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | N-canal | 30 V | 25A (TA) | 4.5V, 10V | 6.9mohm @ 10a, 10v | 1.9V @ 250 µA | 22.3 NC @ 10 V | ± 20V | 1510 pf @ 15 V | - | 3.1W (TA), 42W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFS3006TRL7PP | 5.8200 | | 7 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña), un 263cb | IRFS3006 | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (7-LEAD) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 60 V | 240a (TC) | 10V | 2.1mohm @ 168a, 10v | 4V @ 250 µA | 300 NC @ 10 V | ± 20V | 8850 pf @ 50 V | - | 375W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IQE018N06NM6SCATMA1 | 1.1992 | | 5918 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Tape & Reel (TR) | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 448-IQE018N06NM6SCATMA1TR | 6,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIA469DJ-T1-GE3 | 0.4700 | | 198 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen III | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | SIA469 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 Single | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 12a (TC) | 4.5V, 10V | 26.5mohm @ 5a, 10v | 3V @ 250 µA | 15 NC @ 4.5 V | ± 20V | 1020 pf @ 15 V | - | 15.6W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SPD01N60C3BTMA1 | - | | 5481 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | SPD01N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3-11 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 650 V | 800 mA (TC) | 10V | 6ohm @ 500 mA, 10V | 3.9V @ 250 µA | 5 NC @ 10 V | ± 20V | 100 pf @ 25 V | - | 11W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| NP160N04TUG-E1-AY | - | | 5273 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) | NP160N04 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 263-7 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 40 V | 160A (TC) | 10V | 2mohm @ 80a, 10v | 4V @ 250 µA | 270 NC @ 10 V | ± 20V | 15750 pf @ 25 V | - | 1.8W (TA), 220W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Mixa81wb1200teh | - | | 7604 | 0.00000000 | Ixys | - | Caja | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | E3 | Mixa81 | 390 W | Rectificador de Puente Trifásico | E3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5 | Inversor trifásico con freno | PT | 1200 V | 120 A | 2.1V @ 15V, 75a | 200 µA | Si | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Ixfq21n50q | - | | 5479 | 0.00000000 | Ixys | Hiperfet ™, Clase Q2 | Tubo | Activo | - | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | Ixfq21 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3p | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 500 V | 21a (TC) | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Auirls3034-7trl | 4.0351 | | 7408 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-263-8, D²PAK (7 cables + Pestaña), TO-263CA | Auirls3034 | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (7-LEAD) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001519894 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 40 V | 240a (TC) | 4.5V, 10V | 1.4mohm @ 200a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 180 NC @ 4.5 V | ± 20V | 10990 pf @ 40 V | - | 380W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | Bc548bu | 0.0400 | | 56 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 500 MW | Un 92-3 | descascar | EAR99 | 8541.21.0075 | 7.882 | 30 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5 Ma, 100 Ma | 110 @ 2mA, 5V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SC4211-6-TL-E | 0.0600 | | 21 | 0.00000000 | Sanyo | - | Una granela | Activo | - | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | 2SC4211 | MCP | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CPH6341-M-TL-E | - | | 7511 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Montaje en superficie | Sot-23-6 | CPH6341 | - | 6-cph | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | - | 5A (TJ) | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Rlp03n06cle | 0.4500 | | 3 | 0.00000000 | Harris Corporation | * | Una granela | Activo | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPI80N04S2-04 | 1.0700 | | 296 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 296 | N-canal | 40 V | 80a (TC) | 10V | 3.7mohm @ 80a, 10v | 4V @ 250 µA | 170 NC @ 10 V | ± 20V | 5300 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Bsp125h643333xtma1 | 0.9000 | | 12 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | BSP125 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT223-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 600 V | 120MA (TA) | 4.5V, 10V | 2.3V @ 94 µA | 6.6 NC @ 10 V | ± 20V | 150 pf @ 25 V | - | 1.8w (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Auirfs8407trr | 1.1800 | | 395 | 0.00000000 | Rectificador internacional | Automotive, AEC-Q101, HEXFET® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 40 V | 195a (TC) | 1.8mohm @ 100a, 10v | 4V @ 150 µA | 225 NC @ 10 V | ± 20V | 7330 pf @ 25 V | - | 230W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Bc846aw | 0.0317 | | 9485 | 0.00000000 | Semiconductor diotec | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | 200 MW | Sot-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2796-BC846AWTR | 8541.21.0000 | 3.000 | 65 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5 Ma, 100 Ma | 110 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | GKI04031 | 2.0600 | | 5 | 0.00000000 | Sánken | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-DFN (5x6) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 40 V | 17a (TA) | 4.5V, 10V | 3.5mohm @ 51a, 10V | 2.5V @ 1MA | 63.2 NC @ 10 V | ± 20V | 3910 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 77W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Si3134kwa-tp | 0.3900 | | 855 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | SI3134 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 750 MAPA | 1.8V, 4.5V | 300mohm @ 500 mA, 4.5V | 1.1V @ 250 µA | 0.8 NC @ 4.5 V | ± 12V | 33 pf @ 16 V | - | 200MW (TA) |
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