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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Condición de PrueBa | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Voltaje - PrueBa | Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) | Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
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![]() | FDBL0090N40 | 5.1700 | ![]() | 60 | 0.00000000 | onde | Powertrench® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-POWERSFN | FDBL0090 | Mosfet (Óxido de metal) | 8 HPSOF | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 40 V | 240a (TC) | 10V | 0.9mohm @ 80a, 10v | 4V @ 250 µA | 188 NC @ 10 V | ± 20V | 12000 pf @ 25 V | - | 357W (TJ) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD9510L-F085 | - | ![]() | 6347 | 0.00000000 | onde | Powertrench® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | FDD9510 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak (A 252) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 40 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 13.5mohm @ 50A, 10V | 3V @ 250 µA | 37 NC @ 10 V | ± 16V | 2020 pf @ 20 V | - | 75W (TJ) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRG4BC40W | - | ![]() | 9963 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Estándar | 160 W | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRG4BC40W | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 480v, 20a, 10ohm, 15V | - | 600 V | 40 A | 160 A | 2.5V @ 15V, 20a | 110 µJ (Encendido), 230 µJ (apaguado) | 98 NC | 27ns/100ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FP75R12N2T7BPSA1 | 135.9400 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Infineon Technologies | ECONOPIM ™ 2 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | FP75R12 | 20 MW | Rectificador de Puente Trifásico | Ag-ECONO2B | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Inversor trifásico | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 75 A | 1.55V @ 15V, 75a | 14 µA | Si | 15.1 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stgp3nb60f | - | ![]() | 8981 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | PowerMesh ™ | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Stgp3 | Estándar | 68 W | Un 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 480V, 3a, 10ohm, 15V | 45 ns | - | 600 V | 6 A | 24 A | 2.4V @ 15V, 3a | 125 µJ (apaguado) | 16 NC | 12.5ns/105ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MS8050-H-TP | 0.0257 | ![]() | 2252 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MS8050 | 200 MW | Sot-23 | - | 353-MS8050-H-TP | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 40 V | 800 Ma | 100na | NPN | 500mv @ 80mA, 800 mA | 80 @ 100mA, 1V | 150MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGA30S120P | - | ![]() | 8010 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | FGA30S120 | Estándar | 348 W | Un 3pn | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - | Parada de Campo de Trinchera | 1300 V | 60 A | 150 A | 2.3V @ 15V, 30a | - | 78 NC | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA76445S3S | 1.0600 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (TO-263) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 V | 75A (TC) | 4.5V, 10V | 6.5mohm @ 75a, 10v | 3V @ 250 µA | 150 NC @ 10 V | ± 16V | 4965 pf @ 25 V | - | 310W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC945-Gr-AP | - | ![]() | 1647 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 2SC945 | 400 MW | Un 92 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 50 V | 150 Ma | 100na | NPN | 300mv @ 10 Ma, 100 Ma | 200 @ 1 MMA, 6V | 150MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ICE20N60B | 2.4600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Tecnología de icemos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña) variete | Mosfet (Óxido de metal) | Un 263 | descascar | 5133-ICE20N60BTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 600 V | 20A (TC) | 10V | 190mohm @ 10a, 10v | 3.9V @ 250 µA | 59 NC @ 10 V | ± 20V | 2064 pf @ 25 V | - | 236W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDPF79N15 | - | ![]() | 4194 | 0.00000000 | onde | Unifet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | FDPF7 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 150 V | 79A (TC) | 10V | 30mohm @ 39.5a, 10V | 5V @ 250 µA | 73 NC @ 10 V | ± 30V | 3410 pf @ 25 V | - | 38W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Nsbc114ypdxv6t5g | - | ![]() | 8178 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | NSBC114 | 500MW | SOT-563 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 50V | 100mA | 500NA | 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) | 250 mV A 300 µA, 10 mA | 80 @ 5 MMA, 10V | - | 10 kohms | 47 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR583 | 0.0600 | ![]() | 954 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 4.792 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC213L_J35Z | - | ![]() | 1408 | 0.00000000 | onde | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | BC213 | 625 MW | Un 92-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 30 V | 500 mA | 15NA (ICBO) | PNP | 600mv @ 5 Ma, 100 Ma | 80 @ 2mA, 5V | 200MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC123JCA | 0.0200 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | DTC123 | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-DTC123JCATR | EAR99 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CM100DY-34A | - | ![]() | 7787 | 0.00000000 | Powerex Inc. | IGBTMOD ™ | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | 960 W | Estándar | Módulo | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Medio puente | - | 1700 V | 100 A | 2.8V @ 15V, 100A | 1 MA | No | 24.7 NF @ 10 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQD5N50CTM_F080 | - | ![]() | 1621 | 0.00000000 | onde | QFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Fqd5 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 500 V | 4A (TC) | 10V | 1.4ohm @ 2a, 10v | 4V @ 250 µA | 24 NC @ 10 V | ± 30V | 625 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 48W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Tph1400anh, l1q | 1.5000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | U-Mosviii-H | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | TPH1400 | Mosfet (Óxido de metal) | Avance 8-SOP (5x5) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 100 V | 24a (TC) | 10V | 13.6mohm @ 12a, 10v | 4V @ 300 µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 1900 pf @ 50 V | - | 1.6W (TA), 48W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA733 (0) -TA | 1.2900 | ![]() | 38 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSL207NH6327XTSA1 | - | ![]() | 1113 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-74, SOT-457 | BSL207 | Mosfet (Óxido de metal) | 500MW | PG-TSOP-6-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001100648 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 2.1a | 70mohm @ 2.1a, 4.5V | 1.2V @ 11 µA | 2.1NC @ 4.5V | 419pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico, Unidad de 2.5V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMS07NP03Q8-HF | - | ![]() | 3565 | 0.00000000 | Tecnología de Collip | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | CMS07 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.5W (TA) | 8-SOP | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 641-CMS07NP03Q8-HFTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 30V | 7a (TA), 5.3a (TA) | 28mohm @ 7a, 10v, 52mohm @ 5.3a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 6NC @ 4.5V, 6.4nc @ 4.5V | 572pf @ 15V, 645pf @ 25V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTK3134NT1H | - | ![]() | 8740 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sot-723 | NTK3134 | - | Sot-723 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | - | 890MA (TA) | 1.5V, 4.5V | - | - | ± 6V | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IFS200B12N3E4B37BPSA1 | 434.9280 | ![]() | 2379 | 0.00000000 | Infineon Technologies | MIPAQ ™ | Banda | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | Ifs200 | 20 MW | Estándar | AG -ConO3B | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Puente completo | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 200 A | 2.1V @ 15V, 200a | 1 MA | Si | 14 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRL3202S | - | ![]() | 4897 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRL3202S | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 20 V | 48a (TC) | 4.5V, 7V | 16mohm @ 29a, 7v | 700mV @ 250 µA (min) | 43 NC @ 4.5 V | ± 10V | 2000 pf @ 15 V | - | 69W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CM100TJ-24f | - | ![]() | 5125 | 0.00000000 | Powerex Inc. | IGBTMOD ™ | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C | Monte del Chasis | Módulo | 390 W | Rectificador de Puente Trifásico | Módulo | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Inversor trifásico | Zanja | 1200 V | 100 A | 2.4V @ 15V, 100A | 1 MA | No | 39 NF @ 10 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | J270_D26Z | - | ![]() | 8923 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | J270 | 350 MW | Un 92-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | Canal P | - | 30 V | 2 Ma @ 15 V | 500 MV @ 1 Na | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ZVP0545GTA | 0.8800 | ![]() | 5386 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | ZVP0545 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-223-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Canal P | 450 V | 75MA (TA) | 10V | 150ohm @ 50 mm, 10v | 4.5V @ 1MA | ± 20V | 120 pf @ 25 V | - | 2W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC847A-AU_R1_000A1 | 0.1900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | Automotriz, AEC-Q101, BC847-AU | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BC847 | 330 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 3757-BC847A-AU_R1_000A1DKR | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5 Ma, 100 Ma | 110 @ 2mA, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ATF-521P8-TR1 | - | ![]() | 6994 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 7 V | 8-WFDFN PADERA EXPUESTA | 2GHz | fet fet | 8-LPCC (2x2) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 500mA | 200 MA | 26.5dbm | 17dB | 1.5db | 4.5 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1626-AZ | - | ![]() | 8918 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Una granela | Activo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 400 |
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