SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
SI7450DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7450DP-T1-GE3 2.9000
RFQ
ECAD 480 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 Si7450 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SO-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 200 V 3.2a (TA) 6V, 10V 80mohm @ 4a, 10v 4.5V @ 250 µA 42 NC @ 10 V ± 20V - 1.9W (TA)
JANSR2N2221AUA Microchip Technology Jansr2n2221aua 150.3406
RFQ
ECAD 2179 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/255 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo 650 MW Ua - Alcanzar sin afectado 150-JANSR2N2221AUA 1 50 V 800 Ma 50NA NPN 1V @ 50 Ma, 500 Ma 40 @ 150mA, 10V -
IPD90N06S405ATMA2 Infineon Technologies IPD90N06S405ATMA2 1.6300
RFQ
ECAD 8107 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD90 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-11 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 90A (TC) 10V 5.1mohm @ 90a, 10v 4V @ 60 µA 81 NC @ 10 V ± 20V 6500 pf @ 25 V - 107W (TC)
NHDTA114YTR Nexperia USA Inc. Nhdta114ytr 0.2200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Nhdta114 250 MW To-236ab descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 80 V 100 mA 100na PNP - Pre -Sesgado 100mv @ 500 µA, 10 mA 100 @ 10mA, 5V 150 MHz 10 kohms 47 kohms
IXFH110N10P IXYS IXFH110N10P 7.8100
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, polar Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IXFH110 Mosfet (Óxido de metal) TO-247AD (IXFH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 100 V 110A (TC) 10V 15mohm @ 500 mA, 10V 5V @ 4MA 110 NC @ 10 V ± 20V 3550 pf @ 25 V - 480W (TC)
IXGR60N60B2D1 IXYS IXGR60N60B2D1 -
RFQ
ECAD 7332 0.00000000 Ixys Hiperfast ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Ixgr60 Estándar 250 W Isoplus247 ™ descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 50A, 3.3OHM, 15V 35 ns PT 600 V 75 A 300 A 2V @ 15V, 50A 1MJ (apaguado) 170 NC 28ns/160ns
2SD1628G-TD-H onsemi 2SD1628G-TD-H -
RFQ
ECAD 3344 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA 2SD1628 500 MW PCP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1,000 20 V 5 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 60 mm, 3a 120 @ 500mA, 2V 120MHz
PRF957,115 NXP USA Inc. PRF957,115 -
RFQ
ECAD 9538 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 PRF95 270MW SC-70 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 - 10V 100mA NPN 50 @ 5MA, 6V 8.5 GHz 1.3db ~ 1.8db @ 1ghz ~ 2ghz
BSS138-G onsemi BSS138-G 0.5100
RFQ
ECAD 6971 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BSS138 Mosfet (Óxido de metal) SOT-23-3 (TO-236) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 50 V 220 Ma (TA) 4.5V, 10V 3.5ohm @ 220 mm, 10V 1.5V @ 1MA 2.4 NC @ 10 V ± 20V 27 pf @ 25 V - 360MW (TA)
2SK2011 onsemi 2SK2011 1.2600
RFQ
ECAD 13 0.00000000 onde * Una granela Activo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1
BC857CT-TP Micro Commercial Co BC857CT-TP 0.0507
RFQ
ECAD 4401 0.00000000 Micro Commercial Co - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-523 BC857 150 MW SOT-523 descascar 353-BC857CT-TP EAR99 8541.21.0075 1 45 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 420 @ 2mA, 5V 100MHz
APTGF25X120T3G Microchip Technology APTGF25X120T3G -
RFQ
ECAD 7367 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Obsoleto - Monte del Chasis Sp3 208 W Estándar Sp3 descascar 1 (ilimitado) APTGF25X120T3GMP-ND EAR99 8541.29.0095 1 Inversor trifásico Escrutinio 1200 V 40 A 3.7V @ 15V, 25A 250 µA Si 1.65 NF @ 25 V
FMMT723QTA Diodes Incorporated Fmmt723qta 0.6000
RFQ
ECAD 40 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Fmmt723 625 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 100 V 1 A 100na PNP 330MV @ 150 Ma, 1A 250 @ 500 mA, 10V 200MHz
MMBT3906Q-7-F Diodes Incorporated MMBT3906Q-7-F 0.1800
RFQ
ECAD 6467 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 310 MW Sot-23-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 40 V 200 MA 50NA PNP 400mv @ 5 Ma, 50 Ma 100 @ 10mA, 1V 250MHz
RN1403,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1403, LXHF 0.0645
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 RN1403 200 MW S-Mini descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 70 @ 10mA, 5V 250 MHz 22 kohms 22 kohms
BUK6D43-60EX Nexperia USA Inc. Buk6d43-60ex -
RFQ
ECAD 8540 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición Buk6d43 Mosfet (Óxido de metal) DFN2020MD-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 60 V 5A (TA) 4.5V, 10V 43mohm @ 5a, 10v 2.7V @ 250 µA 18 NC @ 10 V ± 20V 590 pf @ 30 V - 15W (TC)
HUF76139S3ST Fairchild Semiconductor HUF76139S3ST 0.4600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) Un 263ab descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 30 V 75A (TC) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 75a, 10v 3V @ 250 µA 78 NC @ 10 V ± 20V 2700 pf @ 25 V - 165W (TC)
IKW40N65ES5XKSA1 Infineon Technologies IKW40N65ES5XKSA1 6.0900
RFQ
ECAD 9550 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IKW40N65 Estándar 230 W PG-TO247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 40a, 10ohm, 15V 73 ns Zanja 650 V 79 A 160 A 1.7V @ 15V, 40A 860 µJ (Encendido), 400 µJ (apagado) 95 NC 19ns/130ns
BD810 onsemi BD810 -
RFQ
ECAD 8243 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 BD810 90 W Un 220 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 80 V 10 A 1MA (ICBO) PNP 1.1V @ 300mA, 3A 15 @ 4a, 2v 1.5MHz
SIHP6N80AE-GE3 Vishay Siliconix SiHP6N80AE-GE3 1.6900
RFQ
ECAD 971 0.00000000 Vishay Siliconix mi Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 SiHP6 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar 1 (ilimitado) 742-SiHP6N80AE-GE3 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 800 V 5A (TC) 950mohm @ 2a, 10v 4V @ 250 µA 22.5 NC @ 10 V ± 30V 422 pf @ 100 V - 62.5W (TC)
PDTC124EU-QF Nexperia USA Inc. PDTC124EU-QF 0.0286
RFQ
ECAD 4155 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 PDTC124 200 MW Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1727-PDTC124EU-QFTR EAR99 8541.21.0075 10,000 50 V 100 mA 100na NPN - Pre -Sesgado 150mv @ 500 µA, 10 mA 60 @ 5MA, 5V 230 MHz 22 kohms 22 kohms
STD26NF10 STMicroelectronics Std26nf10 1.8800
RFQ
ECAD 2835 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std26 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 25A (TC) 10V 38mohm @ 12.5a, 10V 4V @ 250 µA 55 NC @ 10 V ± 20V 1550 pf @ 25 V - 100W (TC)
MMDT3946_S1_00001 Panjit International Inc. MMDT3946_S1_00001 0.3200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 MMDT3946 225MW Sot-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 40V 200 MMA 50NA NPN, complementario de PNP 300 MV @ 5 mm, 50 mm / 400mv @ 5 mA, 50 mA 100 @ 10mA, 1V 300MHz
FDMS86540 onsemi FDMS86540 1.7200
RFQ
ECAD 9758 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn FDMS86 Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 60 V 20A (TA), 50A (TC) 8V, 10V 3.4mohm @ 20a, 10v 4V @ 250 µA 90 NC @ 10 V ± 20V 6435 pf @ 30 V - 2.5W (TA), 96W (TC)
FQP4N80 onsemi FQP4N80 1.9300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Fqp4 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 800 V 3.9a (TC) 10V 3.6ohm @ 1.95a, 10V 5V @ 250 µA 25 NC @ 10 V ± 30V 880 pf @ 25 V - 130W (TC)
FDPF390N15A onsemi FDPF390N15A 1.7200
RFQ
ECAD 70 0.00000000 onde Powertrench® Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero FDPF390 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 150 V 15A (TC) 10V 40mohm @ 15a, 10v 4V @ 250 µA 18.6 NC @ 10 V ± 20V 1285 pf @ 75 V - 22W (TC)
APT12080JVR Microsemi Corporation Apt12080jvr -
RFQ
ECAD 3427 0.00000000 Corpacia microsemi Power Mos V® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita Mosfet (Óxido de metal) ISOTOP® descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 1200 V 15A (TC) 10V 800mohm @ 7.5a, 10V 4V @ 2.5MA 485 NC @ 10 V ± 30V 7800 pf @ 25 V - 450W (TC)
IXGH12N60C IXYS IXGH12N60C -
RFQ
ECAD 6037 0.00000000 Ixys Hiperfast ™, Lightspeed ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IXGH12 Estándar 100 W Un 247ad descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 480V, 12a, 18ohm, 15V - 600 V 24 A 48 A 2.7V @ 15V, 12A 90 µJ (apaguado) 32 NC 20ns/60ns
AOT29S50L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT29S50L 2.4696
RFQ
ECAD 4878 0.00000000 Alpha y Omega Semiconductor Inc. Amos ™ Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 AOT29 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 785-1440-5 EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 500 V 29a (TC) 10V 150mohm @ 14.5a, 10v 3.9V @ 250 µA 26.6 NC @ 10 V ± 30V 1312 pf @ 100 V - 357W (TC)
ECH8901-TL-H onsemi ECH8901-TL-H 0.1400
RFQ
ECAD 753 0.00000000 onde * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0075 3.000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock