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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) | Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE | Resistencia - RDS (ON) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
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![]() | SLA6026 | 3.4200 | ![]() | 25 | 0.00000000 | Sánken | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Pestaña exposición de 12 sip | SLA60 | 5W | 12-SIP | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | SLA6026 DK | EAR99 | 8541.29.0075 | 18 | 60V | 10A | 10 µA (ICBO) | 3 NPN, 3 PNP Darlington (Puente 3 Formas) | 1.5V @ 12 mm, 6a | 2000 @ 6a, 4v | 50MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRG7PH46UPBF | - | ![]() | 2174 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Irg7ph | Estándar | 469 W | To47ac | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 600V, 40A, 10ohm, 15V | Zanja | 1200 V | 130 A | 160 A | 2V @ 15V, 40A | 2.56mj (Encendido), 1.78mj (apaguado) | 220 NC | 45ns/410ns | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Irf630nl | - | ![]() | 9121 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irf630nl | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 200 V | 9.3a (TC) | 10V | 300mohm @ 5.4a, 10V | 4V @ 250 µA | 35 NC @ 10 V | ± 20V | 575 pf @ 25 V | - | 82W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IF4500ST3 | - | ![]() | 7055 | 0.00000000 | Interfet | IF4500 | Banda | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sot-23-3 | 350 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 4966-if4500st3 | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | N-canal | 20 V | 28pf @ 15V | 30 Ma @ 15 V | 1.2 v @ 1 na | 20 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
IXTA110N055T2 | 2.9800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Ixys | Trencht2 ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IxtA110 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 263AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 55 V | 110A (TC) | 10V | 6.6mohm @ 25A, 10V | 4V @ 250 µA | 57 NC @ 10 V | ± 20V | 3060 pf @ 25 V | - | 180W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Aptgt200sk60tg | - | ![]() | 8084 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Una granela | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Sp4 | 625 W | Estándar | Sp4 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Soltero | Parada de Campo de Trinchera | 600 V | 290 A | 1.9V @ 15V, 200a | 250 µA | Si | 12.3 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | J106 | - | ![]() | 1489 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 MW | Un 92-3 | descascar | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | N-canal | - | 25 V | 200 mA @ 15 V | 2 V @ 1 µA | 6 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SGL60N90DG3TU | - | ![]() | 2783 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-264-3, TO-264AA | SGL60 | Estándar | 180 W | Un 264-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 375 | - | 1.5 µs | Zanja | 900 V | 60 A | 120 A | 2.7V @ 15V, 60A | - | 260 NC | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
STH47N60DM6-2AG | 7.2900 | ![]() | 6574 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | STH47 | Mosfet (Óxido de metal) | H2PAK-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 36A (TC) | 10V | 80mohm @ 18a, 10v | 4.75V @ 250 µA | 55 NC @ 10 V | ± 25V | 2350 pf @ 100 V | - | 250W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMSTA3904,115 | 0.0200 | ![]() | 8177 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | Pmsta | 200 MW | SC-70 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 V | 200 MA | 50NA (ICBO) | NPN | 300mv @ 5 Ma, 50 Ma | 100 @ 10mA, 1V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCW61BE6327HTSA1 | 0.0529 | ![]() | 8915 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BCW61 | 330 MW | PG-SOT23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 32 V | 100 mA | 20NA (ICBO) | PNP | 550mv @ 1.25 mA, 50 mA | 180 @ 2mA, 5V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Zxmp6a18ktc | 1.1100 | ![]() | 7085 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | ZXMP6A18 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 60 V | 6.8a (TA) | 4.5V, 10V | 55mohm @ 3.5a, 10v | 1V @ 250 µA | 44 NC @ 10 V | ± 20V | 1580 pf @ 30 V | - | 2.15W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9875-100A/CU115 | - | ![]() | 7320 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA76619D3ST | 0.3600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet ™ | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 V | 18a (TC) | 4.5V, 10V | 85mohm @ 18a, 10v | 3V @ 250 µA | 29 NC @ 10 V | ± 16V | 767 pf @ 25 V | - | 75W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMFTP2319 | 0.1558 | ![]() | 1628 | 0.00000000 | Semiconductor diotec | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | 2796-MMFTP2319TR | 8541.21.0000 | 3.000 | Canal P | 4.2a | 750MW | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bsc014n04lsatma1 | 1.7800 | ![]() | 637 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | BSC014 | Mosfet (Óxido de metal) | Superso8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 40 V | 32A (TA), 100A (TC) | 4.5V, 10V | 1.4mohm @ 50A, 10V | 2V @ 250 µA | 61 NC @ 10 V | ± 20V | 4300 pf @ 20 V | - | 2.5W (TA), 96W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTMFS4C910NAT1G | 0.3392 | ![]() | 8050 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Activo | NTMFS4 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 488-NTMFS4C910NAT1GTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRG4BC30WPBF | - | ![]() | 5712 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Estándar | 100 W | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 480V, 12a, 23ohm, 15V | - | 600 V | 23 a | 92 A | 2.7V @ 15V, 12A | 130 µJ (Encendido), 130 µJ (apaguado) | 51 NC | 25ns/99ns | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF13N50CT | - | ![]() | 5106 | 0.00000000 | onde | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | FQPF1 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F-3 | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 V | 13a (TC) | 10V | 480mohm @ 6.5a, 10v | 4V @ 250 µA | 56 NC @ 10 V | ± 30V | 2055 pf @ 25 V | - | 48W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
DMN2029UVT-13 | 0.0990 | ![]() | 4474 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | DMN2029 | Mosfet (Óxido de metal) | TSOT-26 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | DMN2029UVT-13DI | EAR99 | 8541.29.0095 | 10,000 | N-canal | 20 V | 6.8a (TA) | 2.5V, 4.5V | 24mohm @ 6.2a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 7.1 NC @ 4.5 V | ± 10V | 646 pf @ 10 V | - | 700MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksc2669yta | - | ![]() | 6660 | 0.00000000 | onde | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 Cuerpo Corto | KSC2669 | 200 MW | Un Los 92 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 V | 30 Ma | 100NA (ICBO) | NPN | 400mv @ 1 mapa, 10 ma | 120 @ 2mA, 12V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF24301HR5178 | 1.0000 | ![]() | 9953 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SST4392 SOT-23 3L ROHS | 3.1200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Linear Integrated Systems, Inc. | SST4392 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 13PF @ 20V | 40 V | 60 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TP65H070LDG-TR | 13.1200 | ![]() | 1543 | 0.00000000 | Transformación | TP65H070L | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-PowerDFN | TP65H070 | Ganfet (Nitruro de Galio Cascode FET) | 3-PQFN (8x8) | descascar | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8541.29.0095 | 60 | N-canal | 650 V | 25A (TC) | 10V | 85mohm @ 16a, 10v | 4.8V @ 700 µA | 9.3 NC @ 10 V | ± 20V | 600 pf @ 400 V | - | 96W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SI4925DDY-T1-GE3 | 1.0000 | ![]() | 3956 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4925 | Mosfet (Óxido de metal) | 5W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Dual) | 30V | 8A | 29mohm @ 7.3a, 10v | 3V @ 250 µA | 50nc @ 10V | 1350pf @ 15V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA2126-TL-H | 0.6200 | ![]() | 19 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 2SA2126 | 800 MW | TP-FA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 700 | 50 V | 3 A | 1 µA (ICBO) | PNP | 520mv @ 100 mm, 2a | 200 @ 100 mapa, 2v | 390MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Stsj25nf3ll | - | ![]() | 9218 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ II | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla Expunesta de 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm) | STSJ25 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 25A (TC) | 4.5V, 10V | 10.5mohm @ 12.5a, 10V | 1V @ 250 µA | 33 NC @ 4.5 V | ± 16V | 1650 pf @ 25 V | - | 70W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AO4435 | 0.2449 | ![]() | 5113 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | AO44 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 785-AO4435TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 10.5a (TA) | 5V, 20V | 14mohm @ 11a, 20V | 3V @ 250 µA | 24 NC @ 10 V | ± 25V | 1400 pf @ 15 V | - | 3.1W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD50R650CEBTMA1 | - | ![]() | 9428 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ CE | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD50R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 500 V | 6.1a (TC) | 13V | 650mohm @ 1.8a, 13V | 3.5V @ 150 µA | 15 NC @ 10 V | ± 20V | 342 pf @ 100 V | - | 47W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RN1104MFV, L3F | 0.1700 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Sot-723 | RN1104 | 150 MW | Vesm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 50 V | 100 mA | 500NA | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 5 mA | 80 @ 10mA, 5V | 47 kohms | 47 kohms |
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