SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Resistencia - RDS (ON) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
SLA6026 Sanken SLA6026 3.4200
RFQ
ECAD 25 0.00000000 Sánken - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Pestaña exposición de 12 sip SLA60 5W 12-SIP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) SLA6026 DK EAR99 8541.29.0075 18 60V 10A 10 µA (ICBO) 3 NPN, 3 PNP Darlington (Puente 3 Formas) 1.5V @ 12 mm, 6a 2000 @ 6a, 4v 50MHz
IRG7PH46UPBF Infineon Technologies IRG7PH46UPBF -
RFQ
ECAD 2174 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Irg7ph Estándar 469 W To47ac descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 600V, 40A, 10ohm, 15V Zanja 1200 V 130 A 160 A 2V @ 15V, 40A 2.56mj (Encendido), 1.78mj (apaguado) 220 NC 45ns/410ns
IRF630NL Infineon Technologies Irf630nl -
RFQ
ECAD 9121 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *Irf630nl EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 200 V 9.3a (TC) 10V 300mohm @ 5.4a, 10V 4V @ 250 µA 35 NC @ 10 V ± 20V 575 pf @ 25 V - 82W (TC)
IF4500ST3 InterFET IF4500ST3 -
RFQ
ECAD 7055 0.00000000 Interfet IF4500 Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-23-3 350 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 4966-if4500st3 EAR99 8541.21.0095 1 N-canal 20 V 28pf @ 15V 30 Ma @ 15 V 1.2 v @ 1 na 20 ohmios
IXTA110N055T2 IXYS IXTA110N055T2 2.9800
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ECAD 3 0.00000000 Ixys Trencht2 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IxtA110 Mosfet (Óxido de metal) Un 263AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 55 V 110A (TC) 10V 6.6mohm @ 25A, 10V 4V @ 250 µA 57 NC @ 10 V ± 20V 3060 pf @ 25 V - 180W (TC)
APTGT200SK60TG Microsemi Corporation Aptgt200sk60tg -
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ECAD 8084 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Descontinuado en sic -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis Sp4 625 W Estándar Sp4 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1 Soltero Parada de Campo de Trinchera 600 V 290 A 1.9V @ 15V, 200a 250 µA Si 12.3 NF @ 25 V
J106 Fairchild Semiconductor J106 -
RFQ
ECAD 1489 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW Un 92-3 descascar EAR99 8541.21.0095 1 N-canal - 25 V 200 mA @ 15 V 2 V @ 1 µA 6 ohmios
SGL60N90DG3TU onsemi SGL60N90DG3TU -
RFQ
ECAD 2783 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-264-3, TO-264AA SGL60 Estándar 180 W Un 264-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 375 - 1.5 µs Zanja 900 V 60 A 120 A 2.7V @ 15V, 60A - 260 NC -
STH47N60DM6-2AG STMicroelectronics STH47N60DM6-2AG 7.2900
RFQ
ECAD 6574 0.00000000 Stmicroelectronics Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STH47 Mosfet (Óxido de metal) H2PAK-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 36A (TC) 10V 80mohm @ 18a, 10v 4.75V @ 250 µA 55 NC @ 10 V ± 25V 2350 pf @ 100 V - 250W (TC)
PMSTA3904,115 NXP USA Inc. PMSTA3904,115 0.0200
RFQ
ECAD 8177 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 Pmsta 200 MW SC-70 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 40 V 200 MA 50NA (ICBO) NPN 300mv @ 5 Ma, 50 Ma 100 @ 10mA, 1V 300MHz
BCW61BE6327HTSA1 Infineon Technologies BCW61BE6327HTSA1 0.0529
RFQ
ECAD 8915 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BCW61 330 MW PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 32 V 100 mA 20NA (ICBO) PNP 550mv @ 1.25 mA, 50 mA 180 @ 2mA, 5V 250MHz
ZXMP6A18KTC Diodes Incorporated Zxmp6a18ktc 1.1100
RFQ
ECAD 7085 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 ZXMP6A18 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 60 V 6.8a (TA) 4.5V, 10V 55mohm @ 3.5a, 10v 1V @ 250 µA 44 NC @ 10 V ± 20V 1580 pf @ 30 V - 2.15W (TA)
BUK9875-100A/CU115 NXP USA Inc. BUK9875-100A/CU115 -
RFQ
ECAD 7320 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1,000
HUFA76619D3ST Fairchild Semiconductor HUFA76619D3ST 0.3600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 18a (TC) 4.5V, 10V 85mohm @ 18a, 10v 3V @ 250 µA 29 NC @ 10 V ± 16V 767 pf @ 25 V - 75W (TC)
MMFTP2319 Diotec Semiconductor MMFTP2319 0.1558
RFQ
ECAD 1628 0.00000000 Semiconductor diotec - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido 2796-MMFTP2319TR 8541.21.0000 3.000 Canal P 4.2a 750MW
BSC014N04LSATMA1 Infineon Technologies Bsc014n04lsatma1 1.7800
RFQ
ECAD 637 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSC014 Mosfet (Óxido de metal) Superso8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 40 V 32A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 1.4mohm @ 50A, 10V 2V @ 250 µA 61 NC @ 10 V ± 20V 4300 pf @ 20 V - 2.5W (TA), 96W (TC)
NTMFS4C910NAT1G onsemi NTMFS4C910NAT1G 0.3392
RFQ
ECAD 8050 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo NTMFS4 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-NTMFS4C910NAT1GTR EAR99 8541.29.0095 1.500
IRG4BC30WPBF Infineon Technologies IRG4BC30WPBF -
RFQ
ECAD 5712 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Estándar 100 W Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 480V, 12a, 23ohm, 15V - 600 V 23 a 92 A 2.7V @ 15V, 12A 130 µJ (Encendido), 130 µJ (apaguado) 51 NC 25ns/99ns
FQPF13N50CT onsemi FQPF13N50CT -
RFQ
ECAD 5106 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero FQPF1 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 13a (TC) 10V 480mohm @ 6.5a, 10v 4V @ 250 µA 56 NC @ 10 V ± 30V 2055 pf @ 25 V - 48W (TC)
DMN2029UVT-13 Diodes Incorporated DMN2029UVT-13 0.0990
RFQ
ECAD 4474 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 DMN2029 Mosfet (Óxido de metal) TSOT-26 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DMN2029UVT-13DI EAR99 8541.29.0095 10,000 N-canal 20 V 6.8a (TA) 2.5V, 4.5V 24mohm @ 6.2a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 7.1 NC @ 4.5 V ± 10V 646 pf @ 10 V - 700MW (TA)
KSC2669YTA onsemi Ksc2669yta -
RFQ
ECAD 6660 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 Cuerpo Corto KSC2669 200 MW Un Los 92 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 30 V 30 Ma 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 1 mapa, 10 ma 120 @ 2mA, 12V 250MHz
MRF24301HR5178 NXP USA Inc. MRF24301HR5178 1.0000
RFQ
ECAD 9953 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo descascar 0000.00.0000 1
SST4392 SOT-23 3L ROHS Linear Integrated Systems, Inc. SST4392 SOT-23 3L ROHS 3.1200
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Linear Integrated Systems, Inc. SST4392 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 13PF @ 20V 40 V 60 ohmios
TP65H070LDG-TR Transphorm TP65H070LDG-TR 13.1200
RFQ
ECAD 1543 0.00000000 Transformación TP65H070L Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-PowerDFN TP65H070 Ganfet (Nitruro de Galio Cascode FET) 3-PQFN (8x8) descascar 3 (168 Horas) EAR99 8541.29.0095 60 N-canal 650 V 25A (TC) 10V 85mohm @ 16a, 10v 4.8V @ 700 µA 9.3 NC @ 10 V ± 20V 600 pf @ 400 V - 96W (TC)
SI4925DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4925DDY-T1-GE3 1.0000
RFQ
ECAD 3956 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Si4925 Mosfet (Óxido de metal) 5W 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal P (Dual) 30V 8A 29mohm @ 7.3a, 10v 3V @ 250 µA 50nc @ 10V 1350pf @ 15V -
2SA2126-TL-H onsemi 2SA2126-TL-H 0.6200
RFQ
ECAD 19 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 2SA2126 800 MW TP-FA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 700 50 V 3 A 1 µA (ICBO) PNP 520mv @ 100 mm, 2a 200 @ 100 mapa, 2v 390MHz
STSJ25NF3LL STMicroelectronics Stsj25nf3ll -
RFQ
ECAD 9218 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla Expunesta de 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm) STSJ25 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 25A (TC) 4.5V, 10V 10.5mohm @ 12.5a, 10V 1V @ 250 µA 33 NC @ 4.5 V ± 16V 1650 pf @ 25 V - 70W (TC)
AO4435 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4435 0.2449
RFQ
ECAD 5113 0.00000000 Alpha y Omega Semiconductor Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) AO44 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 785-AO4435TR EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 30 V 10.5a (TA) 5V, 20V 14mohm @ 11a, 20V 3V @ 250 µA 24 NC @ 10 V ± 25V 1400 pf @ 15 V - 3.1W (TA)
IPD50R650CEBTMA1 Infineon Technologies IPD50R650CEBTMA1 -
RFQ
ECAD 9428 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ CE Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD50R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 500 V 6.1a (TC) 13V 650mohm @ 1.8a, 13V 3.5V @ 150 µA 15 NC @ 10 V ± 20V 342 pf @ 100 V - 47W (TC)
RN1104MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1104MFV, L3F 0.1700
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Sot-723 RN1104 150 MW Vesm descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 47 kohms 47 kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock