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Transistores (100539)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Condición de PrueBa | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Voltaje - PrueBa | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) | Figura de Ruido (db typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2SC2883-Y-TP | - |  | 6779 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 2SC2883 | 500 MW | Sot-89 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 353-2SC2883-Y-TPTR | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 30 V | 1.5 A | 100NA (ICBO) | NPN | 2V @ 30mA, 1.5a | 160 @ 500 mA, 2V | 120MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CA3083 | - | | 4104 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 16 DIP (0.300 ", 7.62 mm) | CA3083 | 500MW | 16 PDIP | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 25 | 15V | 100mA | 10 µA | 5 NPN | 700mv @ 5 mm, 50 mA | 40 @ 50 Ma, 3V | 450MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PJX8838_R1_00001 | 0.4500 | | 3 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | PJX8838 | Mosfet (Óxido de metal) | 300MW (TA) | SOT-563 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 3757-PJX8838_R1_00001TR | EAR99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 2 Canal N (Dual) | 50V | 360MA (TA) | 1.45ohm @ 500 mA, 10V | 1V @ 250 µA | 0.95nc @ 4.5V | 36pf @ 25V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSD235NH6327XTSA1 | 0.4200 | | 21 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ 2 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BSD235 | Mosfet (Óxido de metal) | 500MW | PG-SOT363-PO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 950 mm | 350mohm a 950 mm, 4.5V | 1.2V @ 1.6 µA | 0.32NC @ 4.5V | 63pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DXTP5840CFDB-7 | 0.4200 | | 7552 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-udfn almohadilla exposición | DXTP5840 | 690 MW | U-DFN2020-3 (TUPO B) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 V | 4.8 A | 100na | PNP | 370 MV @ 30mA, 3A | 250 @ 10mA, 2V | 135MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NTB18N06LT4G | - | | 1721 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | NTB18 | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 60 V | 15A (TC) | 5V | 100mohm @ 7.5a, 5V | 2V @ 250 µA | 20 NC @ 5 V | ± 10V | 440 pf @ 25 V | - | 48.4W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Aihd03n60rfatma1 | - | | 6976 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | AIHD03 | Estándar | 53.6 W | PG-TO252-3-313 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001346868 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 400V, 2.5A, 68OHM, 15V | Parada de Campo de Trinchera | 600 V | 5 A | 7.5 A | 2.5V @ 15V, 2.5a | 50 µJ (Encendido), 40 µJ (apaguado) | 17.1 NC | 10ns/128ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2N2270 | 33.0372 | | 9736 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-2N2270 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MGW30N60 | 4.6300 | | 8385 | 0.00000000 | Motorola | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Estándar | 202 W | To-247 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 360v, 30a, 20ohm, 15V | - | 600 V | 50 A | 100 A | 3.45V @ 15V, 30a | 980 µJ (apaguado) | 76ns/348ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UPA2562T1H-T1-AT | 0.4100 | | 9 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | UPA2562 | Mosfet (Óxido de metal) | 2.2W | 8-VSOF | descascar | No Aplicable | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 4.5a | 55mohm @ 2a, 4.5V | 1.5V @ 1MA | 5.4nc @ 4.5V | 475pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FQD18N20V2TM | 1.3000 | | 2815 | 0.00000000 | onde | QFET® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | FQD18N20 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 200 V | 15A (TC) | 10V | 140mohm @ 7.5a, 10v | 5V @ 250 µA | 26 NC @ 10 V | ± 30V | 1080 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 83W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Sgi02n120xksa1 | - | | 1818 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Sgi02n | Estándar | 62 W | PG-TO262-3-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | 800V, 2a, 91ohm, 15V | Escrutinio | 1200 V | 6.2 A | 9.6 A | 3.6V @ 15V, 2a | 220 µJ | 11 NC | 23ns/260ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIA106DJ-T1-GE3 | 0.8800 | | 23 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | SIA106 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 10a (TA), 12a (TC) | 7.5V, 10V | 18.5mohm @ 4a, 10v | 4V @ 250 µA | 13.5 NC @ 10 V | ± 20V | 540 pf @ 30 V | - | 3.5W (TA), 19W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Smmun2114lt1g | 0.3300 | | 30 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Smmun2114 | 246 MW | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA | PNP - Pre -Sesgado | 250 mV A 300 µA, 10 mA | 80 @ 5 MMA, 10V | 10 kohms | 47 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SSM6N48FU, RF (D | - | | 1977 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | SSM6N48 | Mosfet (Óxido de metal) | 300MW | US6 | descascar | 1 (ilimitado) | Ssm6n48furf (D | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 100 mA (TA) | 3.2ohm @ 10mA, 4V | 1.5V @ 100 µA | - | 15.1pf @ 3V | Puerta de Nivel Lógico, Unidad de 2.5V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CM600DU-5F | - | | 5171 | 0.00000000 | Powerex Inc. | IGBTMOD ™ | Una granela | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | 1100 W | Estándar | Módulo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Medio puente | - | 250 V | 600 A | 1.7V @ 10V, 600A | 1 MA | No | 170 nf @ 10 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DMN3018SFGQ-7 | 0.1731 | | 1260 | 0.00000000 | Diodos incorporados | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | DMN3018 | Mosfet (Óxido de metal) | PowerDI3333-8 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 30 V | 8.5A (TA) | 4.5V, 10V | 21mohm @ 10a, 10v | 2.1V @ 250 µA | 13.2 NC @ 10 V | ± 25V | 697 pf @ 15 V | - | 1W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSF050N03LQ3GXUMA1 | - | | 2520 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-Wdson | Mosfet (Óxido de metal) | MG-WDSON-2, Canpak M ™ | descascar | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 30 V | 15A (TA), 60A (TC) | 4.5V, 10V | 5mohm @ 20a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 42 NC @ 10 V | ± 20V | 3000 pf @ 15 V | - | 2.2W (TA), 28W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BLC9G20XS-400AVTZ | - | | 3970 | 0.00000000 | AMpleon USA Inc. | - | Banda | Obsoleto | 65 V | Montaje en superficie | SOT-1258-4 | BLC9 | 1.81GHz ~ 1.88GHz | Ldmos | SOT1258-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 20 | Fuente Común Dual | - | 800 Ma | 570W | 16.2db | - | 32 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | KTA1270-Y-AP | - | | 1326 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | KTA1270 | 500 MW | Un 92 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 353-kta1270-y-aptb | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 30 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma | 120 @ 100mA, 1V | 200MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MJE4343 | 4.2000 | | 329 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc | - | Bolsa | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 218-3 | 125 W | Sot-93 | descascar | Rohs no conforme | 2368-MJE4343 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 160 V | 16 A | 750 µA | NPN | 3.5V @ 2a, 16a | 15 @ 8a, 2v | 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DMG1016VQ-13 | 0.1418 | | 8468 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | DMG1016 | Mosfet (Óxido de metal) | 530MW | SOT-563 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | DMG1016VQ-13DI | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 | Vecino del canal | 20V | 870MA, 640MA | 400mohm @ 600mA, 4.5V | 1V @ 250 µA | 0.74nc @ 4.5V | 60.67pf @ 16V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PSMN009-100B, 118 | 1.3642 | | 5930 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Trenchmos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | PSMN009 | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 V | 75A (TC) | 10V | 8.8mohm @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 156 NC @ 10 V | ± 20V | 8250 pf @ 25 V | - | 230W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Buk7511-55b, 127 | 0.4000 | | 2 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 55 V | 75A (TC) | 10V | 11mohm @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 37 NC @ 10 V | ± 20V | 2604 pf @ 25 V | - | 157W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | UPA802T-T1-A | 0.4300 | | 86 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | 200MW | Sot-363 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 12dB | 10V | 65mA | 2 NPN (dual) | 70 @ 7MA, 3V | 7GHz | 1.4db @ 1ghz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | R6515KNZC17 | 4.9800 | | 300 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3 PACK STOTURO | R6515 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3pf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-R6515KNZC17 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 650 V | 15A (TC) | 10V | 315mohm @ 6.5a, 10v | 5V @ 430 µA | 27.5 NC @ 10 V | ± 20V | 1050 pf @ 25 V | - | 60W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RGPR30BM40HRTL | 0.8260 | | 2776 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RGPR30 | Estándar | 125 W | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 300V, 8A, 100OHM, 5V | - | 430 V | 30 A | 2.0V @ 5V, 10a | - | 22 NC | 500NS/4 µs | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NP179N04TUK-E1-AY | 6.9400 | | 2736 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | Automotriz, AEC-Q101 | Banda | Activo | 175 ° C | Montaje en superficie | To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) | Mosfet (Óxido de metal) | Un 263-7 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 40 V | 180A (TC) | 10V | 1.25mohm @ 90a, 10v | 4V @ 250 µA | 240 NC @ 10 V | ± 20V | 13350 pf @ 25 V | - | 1.8W (TA), 288W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Csd19535kcs | 3.4500 | | 1 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | CSD19535 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 150A (TA) | 6V, 10V | 3.6mohm @ 100a, 10V | 3.4V @ 250 µA | 101 NC @ 10 V | ± 20V | 7930 pf @ 50 V | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2sk1299stl-e | 1.0000 | | 3533 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 |
2000+
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30,000,000
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