SIC
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Transistores (100539)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Resistencia - RDS (ON) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
2N4858UB Microchip Technology 2N4858ub 87.6204
RFQ
 ECAD 1842 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, sin Plomo 2N4858 360 MW 3-UB (3.09x2.45) - Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1 N-canal 40 V 18pf @ 10V (VGS) 40 V 8 Ma @ 15 V 4 V @ 500 PA 60 ohmios
RFD3055LE onsemi Rfd3055le 0.9400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA RFD3055 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado RFD3055LE-NDR EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 60 V 11a (TC) 5V 107mohm @ 8a, 5V 3V @ 250 µA 11.3 NC @ 10 V ± 16V 350 pf @ 25 V - 38W (TC)
BUK9509-40B,127 NXP USA Inc. BUK9509-40B, 127 0.4400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 NXP USA Inc. * Tubo Activo Buk95 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000
FPN630A onsemi FPN630A -
RFQ
 ECAD 7878 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO FPN6 1 W Un 226 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1.500 30 V 3 A 100NA (ICBO) PNP 250mv @ 100 mm, 1a 250 @ 100 mapa, 2v 100MHz
AON4605_001 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON4605_001 -
RFQ
 ECAD 9788 0.00000000 Alpha y Omega Semiconductor Inc. - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SMD, Plomo Plano AON460 Mosfet (Óxido de metal) 1.9w 8-DFN (3x2) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Vecino del canal 30V 4.3a, 3.4a 50mohm @ 4.3a, 10V 2.5V @ 250 µA 5NC @ 10V 210pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
VKM60-01P1 IXYS VKM60-01P1 66.2520
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 ECAD 6337 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Caja No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero ECO-PAC2 VKM60 Mosfet (Óxido de metal) 300W ECO-PAC2 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VKM 60-01 P1 EAR99 8541.29.0095 25 4 Canales N (Medio Puente) 100V 75a 25mohm @ 500 mA, 10V 4V @ 4MA 260nc @ 10V 4500pf @ 25V -
OP528,005 WeEn Semiconductors OP528,005 0.1922
RFQ
 ECAD 7196 0.00000000 Semiconductorores de ween * Banda Activo OP528 - - 1 (ilimitado) 0000.00.0000 1 -
BUK6607-75C,118 NXP USA Inc. Buk6607-75c, 118 -
RFQ
 ECAD 9969 0.00000000 NXP USA Inc. Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 75 V 100A (TC) 10V 7mohm @ 25A, 10V 2.8V @ 1MA 123 NC @ 10 V ± 16V 7600 pf @ 25 V - 204W (TC)
MGY40N60D onsemi MGY40N60D 4.8900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 onde * Una granela Activo - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar Afectados EAR99 8542.39.0001 1
AOI4T60P Alpha & Omega Semiconductor Inc. Aoi4t60p -
RFQ
 ECAD 9406 0.00000000 Alpha y Omega Semiconductor Inc. - Tubo Obsoleto -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-251-3 Stub Leads, ipak AOI4 Mosfet (Óxido de metal) Un 251a descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 80 N-canal 600 V 4A (TC) 10V 2.1ohm @ 2a, 10v 5V @ 250 µA 15 NC @ 10 V ± 30V 522 pf @ 100 V - 83W (TC)
STH13N120K5-2AG STMicroelectronics STH13N120K5-2AG 10.7200
RFQ
 ECAD 5067 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STH13 Mosfet (Óxido de metal) H2PAK-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-STH13N120K5-2AGTR EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 1200 V 12a (TC) 10V 690mohm @ 6a, 10v 5V @ 100 µA 44.2 NC @ 10 V ± 30V 1370 pf @ 100 V - 250W (TC)
CPH6442-TL-E onsemi CPH6442-TL-E -
RFQ
 ECAD 3129 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-23-6 CPH644 Mosfet (Óxido de metal) 6-cph descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 60 V 6a (TA) 4V, 10V 43mohm @ 3a, 10v 2.6V @ 1MA 20 NC @ 10 V ± 20V 1040 pf @ 20 V - 1.6w (TA)
RQM2201DNS#P0 Renesas RQM2201DNS#P0 1.1800
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 Renesas - Una granela Obsoleto 150 ° C Montaje en superficie Almohadilla exposición de 6 wdfn RQM2201 Mosfet (Óxido de metal) 1.5W (TA) 6-HWSON (3x3) - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 2156-RQM2201DNS#P0 EAR99 8541.29.0095 1 2 Canal N (Dual) 60V 2a (TA) 225mohm @ 1a, 4.5V 1.4V @ 1MA 2.4nc @ 4.5V 200pf @ 10V -
DMT10H010LSS-13 Diodes Incorporated DMT10H010LSS-13 1.4000
RFQ
 ECAD 3280 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMT10 Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 11.5A (TA), 29.5A (TC) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 13a, 10v 2.8V @ 250 µA 71 NC @ 10 V ± 20V 3000 pf @ 50 V - 1.4W (TA)
ADP3110A0001RZR onsemi ADP3110A0001RZR 0.1800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 onde * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 2.500
BC817-25W,135 Nexperia USA Inc. BC817-25W, 135 0.2100
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BC817 200 MW Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000 45 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50 mm, 500 mA 160 @ 100mA, 1V 100MHz
FDMB668P onsemi Fdmb668p -
RFQ
 ECAD 8864 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN FDMB66 Mosfet (Óxido de metal) 8-MLP, Microfet (3x1.9) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 6.1a (TA) 1.8V, 4.5V 35mohm @ 6.1a, 4.5V 1V @ 250 µA 59 NC @ 10 V ± 8V 2085 pf @ 10 V - 1.9W (TA)
SC8673040L Panasonic Electronic Components SC8673040L 2.3600
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 ECAD 2 0.00000000 Componentes Electrónicos de Panasonic - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowersMD, Pistas Plans SC86730 Mosfet (Óxido de metal) 1.7w, 2.5w HSO8-F3-B descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Asimétrico del canal (dual) 30V 16a, 46a 10mohm @ 8a, 10v 3V @ 5.85MA 6.3nc @ 4.5V 1092pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
IXFH13N50 IXYS IXFH13N50 -
RFQ
 ECAD 8691 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IXFH13 Mosfet (Óxido de metal) TO-247AD (IXFH) descascar No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 500 V 13a (TC) 10V 400mohm @ 6.5a, 10V 4V @ 2.5MA 120 NC @ 10 V ± 20V 2800 pf @ 25 V - 180W (TC)
PUMH9-QF Nexperia USA Inc. PUMH9-QF 0.0402
RFQ
 ECAD 7030 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 Pumh9 200MW 6-TSOP descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1727-PUMH9-QFTR EAR99 8541.21.0095 10,000 50V 100mA 100na 2 NPN - Precializado (dual) 100mv @ 250 µA, 5 mA 100 @ 5 MMA, 5V 230MHz 10 kohms 47 kohms
AOWF9N70 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOWF9N70 0.8556
RFQ
 ECAD 6881 0.00000000 Alpha y Omega Semiconductor Inc. - Tubo La Última Vez Que Compre -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Aowf9 Mosfet (Óxido de metal) Un 262F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 700 V 9A (TC) 10V 1.2ohm @ 4.5a, 10v 4.5V @ 250 µA 35 NC @ 10 V ± 30V 1630 pf @ 25 V - 28W (TC)
2SK3718-T1-A Renesas Electronics America Inc 2SK3718-T1-A 0.1700
RFQ
 ECAD 171 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0095 3.000
FJN3310RTA Fairchild Semiconductor Fjn3310rta 0.0200
RFQ
 ECAD 290 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales FJN331 300 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 2,000 40 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 1 mapa, 10 ma 100 @ 1 mapa, 5v 250 MHz 10 kohms
FQPF2P40 onsemi Fqpf2p40 -
RFQ
 ECAD 3194 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero FQPF2 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 Canal P 400 V 1.34a (TC) 10V 6.5ohm @ 670 mm, 10v 5V @ 250 µA 13 NC @ 10 V ± 30V 350 pf @ 25 V - 28W (TC)
JANSL2N5153 Microchip Technology Jansl2n5153 95.9904
RFQ
 ECAD 5381 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/545 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 1 W TO-39 (TO-205Ad) - Alcanzar sin afectado 150-Jansl2n5153 1 80 V 2 A 50 µA PNP 1.5V @ 500mA, 5A 70 @ 2.5a, 5V -
FS15R06XE3BOMA1 Infineon Technologies FS15R06XE3BOMA1 -
RFQ
 ECAD 4487 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis Módulo FS15R06 71.5 W Estándar Módulo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 20 Inversor de puente entero - 600 V 22 A 2V @ 15V, 15a 1 MA Si 830 pf @ 25 V
APTGLQ50DDA65T3G Microchip Technology Aptglq50dda65t3g 65.5300
RFQ
 ECAD 1351 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo Aptglq50 175 W Estándar descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Chopper de Doble Impulso Parada de Campo de Trinchera 650 V 70 A 2.3V @ 15V, 50A 50 µA Si 3.1 NF @ 25 V
FDU6682_NL Fairchild Semiconductor FDU6682_NL 0.9600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-251-3 Stub Leads, ipak Mosfet (Óxido de metal) TO-251 (ipak) descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 30 V 75A (TA) 4.5V, 10V 6.2mohm @ 17a, 10v 3V @ 250 µA 31 NC @ 5 V ± 20V 2400 pf @ 15 V - 1.6w (TA)
BC636TFR Fairchild Semiconductor BC636TFR -
RFQ
 ECAD 2847 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 1 W Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 7,695 45 V 1 A 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50 mA, 500 mA 40 @ 150mA, 2V 100MHz
STS7C4F30L STMicroelectronics Sts7c4f30l -
RFQ
 ECAD 9714 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Sts7c4 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-Soico descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Vecino del canal 30V 7a, 4a 22mohm @ 3.5a, 10V 2.5V @ 250 µA 23NC @ 5V 1050pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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