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Transistores (100539)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PJD55N03_L2_00001 | 0.1992 |  | 4928 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | PJD55 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 3757-PJD55N03_L2_00001TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 10.5a (TA), 55A (TC) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 16a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 7.1 NC @ 4.5 V | ± 20V | 763 pf @ 25 V | - | 2W (TA), 54W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | IKB40N65EF5ATMA1 | 5.0200 | | 8020 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Trenchstop ™ 5 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IKB40N65 | Estándar | 250 W | PG-TO263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 400V, 40a, 15ohm, 15V | 83 ns | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 74 A | 160 A | 2.1V @ 15V, 40A | 420 µJ (Encendido), 100 µJ (apaguado) | 95 NC | 22ns/160ns | ||||||||||||||||||||||
 | SSFQ3903 | 0.5900 | | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | Canal P | 30 V | 13a (TC) | 4.5V, 10V | 9.5mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 56 NC @ 4.5 V | ± 20V | 4800 pf @ 15 V | - | 4.2W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | SI4090DY-T1-GE3 | 1.5000 | | 4820 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4090 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 V | 19.7a (TC) | 6V, 10V | 10mohm @ 15a, 10v | 3.3V @ 250 µA | 69 NC @ 10 V | ± 20V | 2410 pf @ 50 V | - | 3.5W (TA), 7.8W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | SCH1335-TL-H | - | | 6011 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | SCH133 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-SCH | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 5,000 | Canal P | 12 V | 2.5a (TA) | 1.8V, 4.5V | 112mohm @ 1a, 4.5V | - | 3.1 NC @ 4.5 V | ± 10V | 270 pf @ 6 V | - | 800MW (TA) | |||||||||||||||||||||||
 | PJQ4448P-AU_R2_000A1 | 0.5900 | | 4 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | PJQ4448 | Mosfet (Óxido de metal) | DFN3333-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 3757-PJQ4448P-AU_R2_000A1CT | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 40 V | 10a (TA), 42a (TC) | 4.5V, 10V | 11mohm @ 8a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 10 NC @ 4.5 V | ± 20V | 1040 pf @ 20 V | - | 2.4W (TA), 42W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | IPP22N03S4L15AKSA1 | - | | 4293 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP22N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 30 V | 22a (TC) | 4.5V, 10V | 14.9mohm @ 22a, 10v | 2.2V @ 10 µA | 14 NC @ 10 V | ± 16V | 980 pf @ 25 V | - | 31W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | BFL4004 | - | | 3479 | 0.00000000 | onde | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | BFL40 | Mosfet (Óxido de metal) | To20fi (ls) | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | N-canal | 800 V | 4.3a (TA) | 10V | 2.5ohm @ 3.25a, 10V | 4V @ 1MA | 36 NC @ 10 V | ± 30V | 710 pf @ 30 V | - | 2W (TA), 36W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | Sir850dp-t1-ge3 | - | | 2345 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir850 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 25 V | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 20a, 10v | 3V @ 250 µA | 30 NC @ 10 V | ± 20V | 1120 pf @ 15 V | - | 4.8W (TA), 41.7W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | Buk9k30-80ex | 1.5900 | | 8297 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-1205, 8-LFPAK56 | Buk9k30 | Mosfet (Óxido de metal) | 53W | Lfpak56d | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | 2 Canal N (Dual) | 80V | 17a (TA) | 26mohm @ 5a, 10v | 2.1V @ 1MA | 17.5nc @ 5V | 2297pf @ 25V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||||||
 | AOK8N80L | - | | 9753 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | AOK8 | Mosfet (Óxido de metal) | To-247 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 785-1450-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 240 | N-canal | 800 V | 7.4a (TC) | 10V | 1.63ohm @ 4a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 32 NC @ 10 V | ± 30V | 1650 pf @ 25 V | - | 245W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | FQA13N50CF_F109 | - | | 2080 | 0.00000000 | onde | FRFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | FQA1 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3pn | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 450 | N-canal | 500 V | 15A (TC) | 10V | 480mohm @ 7.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 56 NC @ 10 V | ± 30V | 2055 pf @ 25 V | - | 218W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | BC858B_R1_00001 | 0.1900 | | 2 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | BC856 | Tape & Reel (TR) | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BC858 | 330 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 3757-BC858B_R1_00001DKR | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 30 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | PNP | 650mv @ 5 mm, 100 mapa | 220 @ 2mA, 5V | 200MHz | |||||||||||||||||||||||||
 | Pdtc114yt-qr | 0.0324 | | 6478 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | PDTC114 | 250 MW | To-236ab | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1727-PDTC114YT-QRTR | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 1 µA | NPN - Pre -Sesgado | 100mv @ 250 µA, 5 mA | 100 @ 5 MMA, 5V | 230 MHz | 10 kohms | 47 kohms | |||||||||||||||||||||||||
 | Ixfp8n50pm | - | | 2046 | 0.00000000 | Ixys | Hiperfet ™, Polarht ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IXFP8N50 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 V | 4.4a (TC) | 10V | 800mohm @ 4a, 10v | 5.5V @ 1MA | 20 NC @ 10 V | ± 30V | 1050 pf @ 25 V | - | 42W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | NP80N04MLG-S18-AY | 1.8400 | | 7 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Obsoleto | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 40 V | 80a (TC) | 4.8mohm @ 40a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 135 NC @ 10 V | 6900 pf @ 25 V | - | 1.8W (TA), 115W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | BC846SH6327XTSA1 | 0.4000 | | 8910 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BC846S | 250MW | PG-SOT363-PO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 65V | 100mA | 15NA (ICBO) | 2 NPN (dual) | 600mv @ 5 Ma, 100 Ma | 200 @ 2mA, 5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||
 | PZT2907A, 115 | 0.4900 | | 3 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | PZT2907 | 1.15 W | SOT-223 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 60 V | 600 mA | 10NA (ICBO) | PNP | 1.6v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150mA, 10V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||
 | SPD14N06S2-80 | - | | 1611 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | SPD14N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3-11 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 55 V | 17a (TC) | 10V | 80mohm @ 7a, 10v | 4V @ 14 µA | 10 NC @ 10 V | ± 20V | 400 pf @ 25 V | - | 30W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | 2N4861JTXV02 | - | | 1214 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 2N4861 | TO-206AA (A 18) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 40 | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DMT3006LFG-13 | 0.3042 | | 5301 | 0.00000000 | Diodos incorporados | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | DMT3006 | Mosfet (Óxido de metal) | PowerDI3333-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 16a (TA), 55.6a (TC) | 4.5V, 10V | 6mohm @ 12a, 10v | 3V @ 250 µA | 22.6 NC @ 10 V | ± 20V | 1320 pf @ 15 V | - | 27.8W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | SI5905DC-T1-E3 | - | | 9289 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Si5905 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.1w | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 8V | 3A | 90mohm @ 3a, 4.5V | 450MV @ 250 µA (min) | 9NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||||||
 | BSP372 E6327 | - | | 4674 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT223-4 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 100 V | 1.7a (TA) | 5V | 310mohm @ 1.7a, 5V | 2v @ 1 mapa | ± 14V | 520 pf @ 25 V | - | 1.8w (TA) | ||||||||||||||||||||||||
 | IRF9358PBF | - | | 4534 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IRF9358 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | 2 Canal P (Dual) | 30V | 9.2a | 16.3mohm @ 9.2a, 10v | 2.4V @ 25 µA | 38nc @ 10V | 1740pf @ 25V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||||||
 | Fqi7p06tu | - | | 8460 | 0.00000000 | onde | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | FQI7 | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak (TO-262) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Canal P | 60 V | 7a (TC) | 10V | 410mohm @ 3.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 8.2 NC @ 10 V | ± 25V | 295 pf @ 25 V | - | 3.75W (TA), 45W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | IRF840LCSTRRPBF | 1.8458 | | 6696 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF840 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 500 V | 8a (TC) | 10V | 850mohm @ 4.8a, 10V | 4V @ 250 µA | 39 NC @ 10 V | ± 30V | 1100 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | BSC025N03MSGATMA1 | 1.4100 | | 7472 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | BSC025 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 30 V | 23a (TA). 100A (TC) | 4.5V, 10V | 2.5mohm @ 30a, 10v | 2V @ 250 µA | 98 NC @ 10 V | ± 20V | 7600 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 83W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | Buk663r5-30c, 118 | - | | 5318 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 30 V | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 3.5mohm @ 25A, 10V | 2.8V @ 1MA | 78 NC @ 10 V | ± 16V | 4707 pf @ 25 V | - | 158W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| Sir826dp-T1-RE3 | 0.9999 | | 3488 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir826 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 80 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 4.8mohm @ 20a, 10v | 2.8V @ 250 µA | 90 NC @ 10 V | ± 20V | 2900 pf @ 40 V | - | 104W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | MPSA06_D75Z | - | | 4742 | 0.00000000 | onde | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | MPSA06 | 625 MW | Un 92-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 80 V | 500 mA | 100na | NPN | 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma | 100 @ 100 maja, 1v | 100MHz |
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