SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Resistencia - RDS (ON) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Drenaje real (ID) - Max
IRL40B209 Infineon Technologies IRL40B209 -
RFQ
ECAD 7737 0.00000000 Infineon Technologies HEXFET®, StrongIrfet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IRL40B209 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001576458 EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 40 V 195a (TC) 4.5V, 10V 1.25mohm @ 100a, 10v 2.4V @ 250 µA 270 NC @ 4.5 V ± 20V 15140 pf @ 25 V - 375W (TC)
BCX18LT1G onsemi Bcx18lt1g -
RFQ
ECAD 1875 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BCX18 300 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 25 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP 620mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 100 maja, 1v -
BUK9230-100B,118 Nexperia USA Inc. BUK9230-100B, 118 -
RFQ
ECAD 8420 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 185 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 47a (TC) 5V, 10V 28mohm @ 25A, 10V 2v @ 1 mapa 33 NC @ 5 V ± 15V 3805 pf @ 25 V - 167W (TC)
BUK9640-100A,118 Nexperia USA Inc. BUK9640-100A, 118 1.1900
RFQ
ECAD 8258 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab BUK9640 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 100 V 39A (TC) 4.5V, 10V 39mohm @ 25A, 10V 2v @ 1 mapa 48 NC @ 5 V ± 15V 3072 pf @ 25 V - 158W (TC)
MMRF1015GNR1 NXP USA Inc. MMRF1015GNR1 18.9720
RFQ
ECAD 7999 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre 68 V Montaje en superficie A-270BA MMRF1015 960MHz Ldmos To70-2 gaviota descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 935315212528 EAR99 8541.29.0075 500 - 125 Ma 10W 18dB - 28 V
SIJ470DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SiJ470DP-T1-GE3 1.6300
RFQ
ECAD 1561 0.00000000 Vishay Siliconix Thunderfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 SiJ470 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SO-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 V 58.8a (TC) 7.5V, 10V 9.1mohm @ 20a, 10v 3.5V @ 250 µA 56 NC @ 10 V ± 20V 2050 pf @ 50 V - 5W (TA), 56.8W (TC)
MCB90N12-TP Micro Commercial Co MCB90N12-TP 1.1562
RFQ
ECAD 3199 0.00000000 Micro Commercial Co - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab MCB90N12 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 120 V 90A 7.2mohm @ 20a, 10v 4V @ 250 µA 65 NC @ 10 V ± 20V 4514 pf @ 50 V - 260W
SI7852ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7852AdP-T1-GE3 2.2500
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 Si7852 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SO-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 80 V 30A (TC) 8V, 10V 17mohm @ 10a, 10v 4.5V @ 250 µA 45 NC @ 10 V ± 20V 1825 pf @ 40 V - 5W (TA), 62.5W (TC)
IRGS4615DTRRPBF International Rectifier IRGS4615DTRRPBF -
RFQ
ECAD 3546 0.00000000 Rectificador internacional - Una granela Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Estándar 99 W D2pak descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 400V, 8a, 47ohm, 15V 60 ns - 600 V 23 a 24 A 1.85V @ 15V, 8a 70 µJ (Encendido), 145 µJ (apaguado) 19 NC 30ns/95ns
DMC25D1UVT-13 Diodes Incorporated DMC25D1UVT-13 0.1276
RFQ
ECAD 5757 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 DMC25 Mosfet (Óxido de metal) 1.3w TSOT-26 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DMC25D1UVT-13DI EAR99 8541.29.0095 10,000 Vecino del canal 25V, 12V 500 Ma, 3.9a 4ohm @ 400mA, 4.5V 1.5V @ 250 µA 0.9nc @ 10V 27.6pf @ 10V -
BUK7C10-75AITE,118 NXP Semiconductors Buk7c10-75aite, 118 1.4100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Semiconductorores nxp Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) Mosfet (Óxido de metal) D2pak-7 descascar Vendedor indefinido Alcanzar sin afectado 2156-buk7c10-75aite, 118-954 1 N-canal 75 V 75A (TC) 10V 10mohm @ 50a, 10v 4V @ 1MA 121 NC @ 10 V ± 20V 4700 pf @ 25 V Detección real 272W (TC)
PSMN1R6-40YLC,115 Nexperia USA Inc. PSMN1R6-40YLC, 115 -
RFQ
ECAD 4522 0.00000000 Nexperia USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-1023, 4-LFPAK Mosfet (Óxido de metal) LFPAK56; Potencia-so8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 40 V 100A (TC) 4.5V, 10V 1.55mohm @ 25A, 10V 1.95V @ 1MA 126 NC @ 10 V ± 20V 7790 pf @ 20 V - 288W (TC)
SMP5485TR InterFET SMP5485TR -
RFQ
ECAD 5921 0.00000000 Interfet SMP5485 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-23-3 350 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 4966-SMP5485TR EAR99 8541.21.0095 1 N-canal 25 V 3.5pf @ 15V 6 Ma @ 15 V 2.5 v @ 10 na 220 ohmios
CPC3701CTR IXYS Integrated Circuits Division CPC3701CTR 0.9200
RFQ
ECAD 576 0.00000000 División de Circuitos Integrados Ixys - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA CPC3701 Mosfet (Óxido de metal) Sot-89 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 60 V - 0V 1ohm @ 300mA, 0V - ± 15V MODO DE AGOTAMENTO 1.1W (TA)
2SJ418-TL-E onsemi 2SJ418-TL-E 4.5700
RFQ
ECAD 23 0.00000000 onde * Una granela Activo 2SJ418 - - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido 0000.00.0000 700 -
MG150HF12MRC2 Yangjie Technology MG150HF12MRC2 65.8250
RFQ
ECAD 400 0.00000000 Tecnología yangjie - Una granela Activo - Monte del Chasis Módulo Estándar C2 - Cumplimiento de Rohs Alcanzar sin afectado 4617-MG150HF12MRC2 EAR99 4 Piquero - 1200 V 150 A - No
NP88N04KUG-E1-AY Renesas Electronics America Inc NP88N04KUG-E1-AY -
RFQ
ECAD 2967 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - Tape & Reel (TR) Obsoleto 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) TO-263 (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 40 V 88a (TC) 10V 2.9mohm @ 44a, 10v 4V @ 250 µA 250 nc @ 10 V ± 20V 15000 pf @ 25 V - 1.8W (TA), 200W (TC)
APT94N60L2C3G Microchip Technology Apt94n60l2c3g 26.7200
RFQ
ECAD 6476 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-264-3, TO-264AA Apt94n60 Mosfet (Óxido de metal) 264 Max ™ [L2] descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 600 V 94a (TC) 10V 35mohm @ 60a, 10V 3.9V @ 5.4MA 640 NC @ 10 V ± 20V 13600 pf @ 25 V - 833W (TC)
RD3G07BATTL1 Rohm Semiconductor Rd3g07battl1 2.3900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Rd3g07 Mosfet (Óxido de metal) Un 252 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 40 V 70A (TA) 4.5V, 10V 7.1mohm @ 70a, 10v 2.5V @ 1MA 105 NC @ 10 V ± 20V 5550 pf @ 20 V - 101W (TA)
DMN2024UVT-13 Diodes Incorporated DMN2024UVT-13 0.1395
RFQ
ECAD 1563 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 DMN2024 Mosfet (Óxido de metal) 1W TSOT-23-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DMN2024UVT-13DI EAR99 8541.29.0095 10,000 2 canales (dual) Drenaje Común 20V 7a (TA) 24mohm @ 6.5a, 4.5V 900MV @ 250 µA 7.1NC @ 4.5V 647pf @ 10V -
RJK4518DPK-00#T0 Renesas Electronics America Inc RJK4518DPK-00#T0 -
RFQ
ECAD 6397 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero RJK4518 Mosfet (Óxido de metal) Un 3p descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 450 V 39A (TA) 10V 130mohm @ 19.5a, 10v - 93 NC @ 10 V ± 30V 4100 pf @ 25 V - 200W (TC)
2N5794A Microchip Technology 2N5794A 42.2700
RFQ
ECAD 7612 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-78-6 METAL CAN 2N5794 600MW Un 78-6 - Alcanzar sin afectado 150-2N5794A EAR99 8541.21.0095 1 40V 600mA 10 µA (ICBO) 2 NPN (dual) 900mv @ 30 mA, 300 mA 100 @ 150mA, 10V -
TF410-TL-H onsemi TF410-TL-H -
RFQ
ECAD 2661 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, Plano Plano TF410 30 MW 3-USFP - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 40 V 0.7pf @ 10V 40 V 50 µA @ 10 V 4 V @ 1 µA 1 MA
DMTH6006SPS-13 Diodes Incorporated DMTH6006SPS-13 0.3837
RFQ
ECAD 6310 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMTH6006 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados DMTH6006SPS-13DI EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 17.8a (TA), 100A (TC) 10V 6.2mohm @ 10.5a, 10v 4V @ 250 µA 27.9 NC @ 10 V ± 20V 1721 pf @ 30 V - 2.94W (TA), 107W (TC)
2N3627 Microchip Technology 2N3627 30.6450
RFQ
ECAD 5236 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN 7 W TO-5AA - Alcanzar sin afectado 150-2N3627 EAR99 8541.29.0095 1 50 V 2 A - PNP - - -
MSCSM120AM02T6LIAG Microchip Technology MSCSM120AM02T6LIAG 1.0000
RFQ
ECAD 9695 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo MSCSM120 CARBURO DE SILICIO (SIC) 3.75kw (TC) - descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 150-mscsm120am02t6liag EAR99 8541.29.0095 1 2 N Canal (Pierna de Fase) 1200V (1.2kv) 947a (TC) 2.6mohm @ 480a, 20V 2.8V @ 36MA 2784nc @ 20V 36200pf @ 1000V -
BCR108WE6327 Infineon Technologies BCR108WE6327 -
RFQ
ECAD 1224 0.00000000 Infineon Technologies Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BCR108 250 MW PG-SOT323-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 15,000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 70 @ 5MA, 5V 170 MHz 2.2 kohms 47 kohms
FJC1386RTF onsemi Fjc1386rtf -
RFQ
ECAD 5478 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA FJC13 500 MW SOT-89-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 4.000 20 V 5 A 500NA (ICBO) PNP 1v @ 100 mapa, 4a 180 @ 500mA, 2V -
IRFS4410PBF Infineon Technologies IRFS4410PBF -
RFQ
ECAD 9954 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001573484 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 88a (TC) 10V 10mohm @ 58a, 10v 4V @ 150 µA 180 NC @ 10 V ± 20V 5150 pf @ 50 V - 200W (TC)
TPH9R00CQH,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH9R00CQH, LQ 2.0000
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie 8Powervdfn Mosfet (Óxido de metal) Avance 8-SOP (5x5) descascar 1 (ilimitado) 264-TPH9R00CQHLQTR EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 150 V 64a (TC) 8V, 10V 9mohm @ 32a, 10V 4.3V @ 1MA 44 NC @ 10 V ± 20V 5400 pf @ 75 V - 960MW (TA), 210W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock