SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
PJD55N03_L2_00001 Panjit International Inc. PJD55N03_L2_00001 0.1992
RFQ
ECAD 4928 0.00000000 Panjit International Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 PJD55 Mosfet (Óxido de metal) Un 252 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 3757-PJD55N03_L2_00001TR EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 10.5a (TA), 55A (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 16a, 10v 2.5V @ 250 µA 7.1 NC @ 4.5 V ± 20V 763 pf @ 25 V - 2W (TA), 54W (TC)
IKB40N65EF5ATMA1 Infineon Technologies IKB40N65EF5ATMA1 5.0200
RFQ
ECAD 8020 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ 5 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IKB40N65 Estándar 250 W PG-TO263-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 400V, 40a, 15ohm, 15V 83 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 74 A 160 A 2.1V @ 15V, 40A 420 µJ (Encendido), 100 µJ (apaguado) 95 NC 22ns/160ns
SSFQ3903 Good-Ark Semiconductor SSFQ3903 0.5900
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Semiconductor de Buen Margen - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0080 3.000 Canal P 30 V 13a (TC) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 10a, 10v 2.5V @ 250 µA 56 NC @ 4.5 V ± 20V 4800 pf @ 15 V - 4.2W (TC)
SI4090DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4090DY-T1-GE3 1.5000
RFQ
ECAD 4820 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Si4090 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 19.7a (TC) 6V, 10V 10mohm @ 15a, 10v 3.3V @ 250 µA 69 NC @ 10 V ± 20V 2410 pf @ 50 V - 3.5W (TA), 7.8W (TC)
SCH1335-TL-H onsemi SCH1335-TL-H -
RFQ
ECAD 6011 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 SCH133 Mosfet (Óxido de metal) 6-SCH - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 5,000 Canal P 12 V 2.5a (TA) 1.8V, 4.5V 112mohm @ 1a, 4.5V - 3.1 NC @ 4.5 V ± 10V 270 pf @ 6 V - 800MW (TA)
PJQ4448P-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. PJQ4448P-AU_R2_000A1 0.5900
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Panjit International Inc. Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn PJQ4448 Mosfet (Óxido de metal) DFN3333-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 3757-PJQ4448P-AU_R2_000A1CT EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 40 V 10a (TA), 42a (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 8a, 10v 2.5V @ 250 µA 10 NC @ 4.5 V ± 20V 1040 pf @ 20 V - 2.4W (TA), 42W (TC)
IPP22N03S4L15AKSA1 Infineon Technologies IPP22N03S4L15AKSA1 -
RFQ
ECAD 4293 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP22N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 30 V 22a (TC) 4.5V, 10V 14.9mohm @ 22a, 10v 2.2V @ 10 µA 14 NC @ 10 V ± 16V 980 pf @ 25 V - 31W (TC)
BFL4004 onsemi BFL4004 -
RFQ
ECAD 3479 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero BFL40 Mosfet (Óxido de metal) To20fi (ls) - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 100 N-canal 800 V 4.3a (TA) 10V 2.5ohm @ 3.25a, ​​10V 4V @ 1MA 36 NC @ 10 V ± 30V 710 pf @ 30 V - 2W (TA), 36W (TC)
SIR850DP-T1-GE3 Vishay Siliconix Sir850dp-t1-ge3 -
RFQ
ECAD 2345 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 Sir850 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SO-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 25 V 30A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 30 NC @ 10 V ± 20V 1120 pf @ 15 V - 4.8W (TA), 41.7W (TC)
BUK9K30-80EX Nexperia USA Inc. Buk9k30-80ex 1.5900
RFQ
ECAD 8297 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-1205, 8-LFPAK56 Buk9k30 Mosfet (Óxido de metal) 53W Lfpak56d descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 2 Canal N (Dual) 80V 17a (TA) 26mohm @ 5a, 10v 2.1V @ 1MA 17.5nc @ 5V 2297pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
AOK8N80L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOK8N80L -
RFQ
ECAD 9753 0.00000000 Alpha y Omega Semiconductor Inc. - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 AOK8 Mosfet (Óxido de metal) To-247 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 785-1450-5 EAR99 8541.29.0095 240 N-canal 800 V 7.4a (TC) 10V 1.63ohm @ 4a, 10v 4.5V @ 250 µA 32 NC @ 10 V ± 30V 1650 pf @ 25 V - 245W (TC)
FQA13N50CF_F109 onsemi FQA13N50CF_F109 -
RFQ
ECAD 2080 0.00000000 onde FRFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 FQA1 Mosfet (Óxido de metal) Un 3pn descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 450 N-canal 500 V 15A (TC) 10V 480mohm @ 7.5a, 10V 4V @ 250 µA 56 NC @ 10 V ± 30V 2055 pf @ 25 V - 218W (TC)
BC858B_R1_00001 Panjit International Inc. BC858B_R1_00001 0.1900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. BC856 Tape & Reel (TR) Activo -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BC858 330 MW Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 3757-BC858B_R1_00001DKR EAR99 8541.21.0095 3.000 30 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 220 @ 2mA, 5V 200MHz
PDTC114YT-QR Nexperia USA Inc. Pdtc114yt-qr 0.0324
RFQ
ECAD 6478 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 PDTC114 250 MW To-236ab descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1727-PDTC114YT-QRTR EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 1 µA NPN - Pre -Sesgado 100mv @ 250 µA, 5 mA 100 @ 5 MMA, 5V 230 MHz 10 kohms 47 kohms
IXFP8N50PM IXYS Ixfp8n50pm -
RFQ
ECAD 2046 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Polarht ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IXFP8N50 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 4.4a (TC) 10V 800mohm @ 4a, 10v 5.5V @ 1MA 20 NC @ 10 V ± 30V 1050 pf @ 25 V - 42W (TC)
NP80N04MLG-S18-AY Renesas Electronics America Inc NP80N04MLG-S18-AY 1.8400
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - Tubo Obsoleto 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 40 V 80a (TC) 4.8mohm @ 40a, 10V 2.5V @ 250 µA 135 NC @ 10 V 6900 pf @ 25 V - 1.8W (TA), 115W (TC)
BC846SH6327XTSA1 Infineon Technologies BC846SH6327XTSA1 0.4000
RFQ
ECAD 8910 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BC846S 250MW PG-SOT363-PO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 65V 100mA 15NA (ICBO) 2 NPN (dual) 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 5V 250MHz
PZT2907A,115 Nexperia USA Inc. PZT2907A, 115 0.4900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA PZT2907 1.15 W SOT-223 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 60 V 600 mA 10NA (ICBO) PNP 1.6v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 10V 200MHz
SPD14N06S2-80 Infineon Technologies SPD14N06S2-80 -
RFQ
ECAD 1611 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 SPD14N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-11 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 55 V 17a (TC) 10V 80mohm @ 7a, 10v 4V @ 14 µA 10 NC @ 10 V ± 20V 400 pf @ 25 V - 30W (TC)
2N4861JTXV02 Vishay Siliconix 2N4861JTXV02 -
RFQ
ECAD 1214 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Obsoleto - A Través del Aguetero TO-206AA, a 18-3 Lata de metal 2N4861 TO-206AA (A 18) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 40 - -
DMT3006LFG-13 Diodes Incorporated DMT3006LFG-13 0.3042
RFQ
ECAD 5301 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMT3006 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 16a (TA), 55.6a (TC) 4.5V, 10V 6mohm @ 12a, 10v 3V @ 250 µA 22.6 NC @ 10 V ± 20V 1320 pf @ 15 V - 27.8W (TC)
SI5905DC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5905DC-T1-E3 -
RFQ
ECAD 9289 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SMD, Plomo Plano Si5905 Mosfet (Óxido de metal) 1.1w 1206-8 Chipfet ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal P (Dual) 8V 3A 90mohm @ 3a, 4.5V 450MV @ 250 µA (min) 9NC @ 4.5V - Puerta de Nivel Lógico
BSP372 E6327 Infineon Technologies BSP372 E6327 -
RFQ
ECAD 4674 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT223-4 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 100 V 1.7a (TA) 5V 310mohm @ 1.7a, 5V 2v @ 1 mapa ± 14V 520 pf @ 25 V - 1.8w (TA)
IRF9358PBF Infineon Technologies IRF9358PBF -
RFQ
ECAD 4534 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRF9358 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 95 2 Canal P (Dual) 30V 9.2a 16.3mohm @ 9.2a, 10v 2.4V @ 25 µA 38nc @ 10V 1740pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
FQI7P06TU onsemi Fqi7p06tu -
RFQ
ECAD 8460 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA FQI7 Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 Canal P 60 V 7a (TC) 10V 410mohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250 µA 8.2 NC @ 10 V ± 25V 295 pf @ 25 V - 3.75W (TA), 45W (TC)
IRF840LCSTRRPBF Vishay Siliconix IRF840LCSTRRPBF 1.8458
RFQ
ECAD 6696 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRF840 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 500 V 8a (TC) 10V 850mohm @ 4.8a, 10V 4V @ 250 µA 39 NC @ 10 V ± 30V 1100 pf @ 25 V - 3.1W (TA), 125W (TC)
BSC025N03MSGATMA1 Infineon Technologies BSC025N03MSGATMA1 1.4100
RFQ
ECAD 7472 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSC025 Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 30 V 23a (TA). 100A (TC) 4.5V, 10V 2.5mohm @ 30a, 10v 2V @ 250 µA 98 NC @ 10 V ± 20V 7600 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 83W (TC)
BUK663R5-30C,118 Nexperia USA Inc. Buk663r5-30c, 118 -
RFQ
ECAD 5318 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 30 V 100A (TC) 4.5V, 10V 3.5mohm @ 25A, 10V 2.8V @ 1MA 78 NC @ 10 V ± 16V 4707 pf @ 25 V - 158W (TC)
SIR826DP-T1-RE3 Vishay Siliconix Sir826dp-T1-RE3 0.9999
RFQ
ECAD 3488 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 Sir826 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SO-8 - 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 80 V 60A (TC) 4.5V, 10V 4.8mohm @ 20a, 10v 2.8V @ 250 µA 90 NC @ 10 V ± 20V 2900 pf @ 40 V - 104W (TC)
MPSA06_D75Z onsemi MPSA06_D75Z -
RFQ
ECAD 4742 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales MPSA06 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 80 V 500 mA 100na NPN 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma 100 @ 100 maja, 1v 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock